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Produtos semicondutores discretos(885)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Máx.)
BR34 Rectron USA BR34 0,5000
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 ECAD 3700 0,00000000 Rectron EUA - Caixa Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-Quadrado, BR-3 padrão BR-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-BR34 EAR99 8541.10.0080 200 1 V a 1,5 A 5 µA a 400 V 3A Monofásico 400 V
MSB306S Rectron USA MSB306S 0,3600
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 ECAD 2151 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-SMD, cabo plano MSB30 padrão MSBS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-MSB306STR EAR99 8541.10.0080 24.000 1,1 V a 3 A 1 µA a 800 V 3A Monofásico 800V
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
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 ECAD 1150 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5.000 Canal N 650 V 21A (Tc) 10V 180mOhm a 10,5A, 10V 4 V a 250 µA ±30V 2600 pF a 50 V - 33,8W (Tc)
DRS201K Rectron USA DRS201K 0,4200
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 ECAD 6827 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-ESIP padrão D3K download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-DRS201K EAR99 8541.10.0080 9.000 1,1 V a 2 A 1 µA a 50 V 2A Monofásico 50 V
R3000F-B Rectron USA R3000F-B 0,0930
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 ECAD 7573 0,00000000 Rectron EUA - Volume Ativo Através do furo DO-204AC, DO-15, Axial padrão DO-15 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-R3000F-B EAR99 8541.10.0080 1.000 Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade 5 V a 200 mA 500 ns 5 µA a 3.000 V -55°C ~ 150°C 200mA 30pF @ 4V, 1MHz
RM3010S6 Rectron USA RM3010S6 0,0640
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 ECAD 2549 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 MOSFET (óxido metálico) SOT-23-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM3010S6TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 30 V 10A (Ta) 4,5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 1550 pF a 15 V - 2,5W (Ta)
RM2N650IP Rectron USA RM2N650IP 0,3000
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 ECAD 7388 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) PARA-251 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM2N650IP 8541.10.0080 40.000 Canal N 650 V 2A (Tc) 10V 2,5Ohm @ 1A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 190 pF a 50 V - 23W (Tc)
MP156 Rectron USA MP156 1.8500
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 ECAD 1276 0,00000000 Rectron EUA - Bandeja Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi 4 quadrados, MP-15 padrão MP-15 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-MP156 EAR99 8541.10.0080 400 1,05 V a 7,5 A 500 nA a 600 V 15A Monofásico 600 V
RM8N700TI Rectron USA RM8N700TI 0,6800
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 ECAD 7906 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM8N700TI 8541.10.0080 5.000 Canal N 700 V 8A (Tj) 10V 600mOhm @ 4A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 680 pF a 50 V - 31,7W (Tc)
RS203M Rectron USA RS203M 0,5500
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 ECAD 7148 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, RS-2M padrão RS-2M download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RS203M EAR99 8541.10.0080 2.700 1,05 V a 2 A 200 nA @ 200 V 2A Monofásico 200 V
RM5N60S4 Rectron USA RM5N60S4 0,1500
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 ECAD 5893 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) SOT-223-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM5N60S4TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 60 V 5A (Ta) 4,5V, 10V 55mOhm @ 4,5A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 450 pF a 25 V - 2W (Ta)
MP3510W Rectron USA MP3510W 2.2000
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 ECAD 1778 0,00000000 Rectron EUA - Bandeja Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo 4 quadrados, MP-25W padrão MP-25W download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-MP3510W EAR99 8541.10.0080 1.000 1,05 V a 17,5 A 500 nA @ 1000 V 35A Monofásico 1kV
RM78N100LD Rectron USA RM78N100LD 0,4400
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 ECAD 1744 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM78N100LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 100V 78A (Tc) 4,5V, 10V 8,5mOhm a 39A, 10V 2,2 V a 250 µA ±20V 5480 pF a 50 V - 125W (Tc)
FR302-T Rectron USA FR302-T 0,0890
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 ECAD 8274 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-201AD, Axial padrão DO-201AD download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-FR302-TTR EAR99 8541.10.0080 1.200 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 1,3 V a 3 A 150 ns 10 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A 65pF @ 4V, 1MHz
RL1N1200F Rectron USA RL1N1200F 0,0380
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 ECAD 9354 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo Axial padrão A-405 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RL1N1200FTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,8 V a 500 mA 300 ns 5 µA a 1200 V -55°C ~ 150°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
RM45N600T7 Rectron USA RM45N600T7 2.9000
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 ECAD 7621 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM45N600T7 8541.10.0080 1.800 Canal N 600 V 44,5A (Tj) 10V 90mOhm @ 15,6A, 10V 4 V a 250 µA ±30V 2808 pF a 100 V - 431W
UMB4F Rectron USA UMB4F 0,3800
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 ECAD 1539 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-SMD, cabo plano padrão 4-SOF2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-UMB4FTR EAR99 8541.10.0080 48.000 1,1 V a 400 mA 5 µA a 400 V 500 mA Monofásico 400 V
RM30P30D3 Rectron USA RM30P30D3 0,2200
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 ECAD 5866 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN MOSFET (óxido metálico) 8-DFN-EP (3x3) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM30P30D3TR 8541.10.0080 25.000 Canal P 30 V 30A (Ta) 4,5V, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA ±20V 2150 pF a 25 V - 40W (Ta)
RS201L Rectron USA RS201L 0,7000
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 ECAD 300 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, RS-2L padrão RS-2L download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RS201L EAR99 8541.10.0080 300 1,1 V a 2 A 2 µA a 50 V 2A Monofásico 50 V
RL1N1800F Rectron USA RL1N1800F 0,0380
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 ECAD 1192 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo Axial padrão A-405 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RL1N1800FTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1800 V 1,8 V a 500 mA 300 ns 5 µA a 1800 V -55°C ~ 150°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
R3000 Rectron USA R3000 0,1100
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 ECAD 2507 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-204AC, DO-15, Axial padrão DO-15 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-R3000TR EAR99 8541.10.0080 4.000 Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade 3000 V 4 V a 200 mA 5 µA a 3.000 V -55°C ~ 150°C 200mA 30pF @ 4V, 1MHz
RM12N100S8 Rectron USA RM12N100S8 0,3800
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 ECAD 9381 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM12N100S8TR 8541.10.0080 40.000 Canal N 100V 12A (Ta) 4,5V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 2.250 pF a 50 V - 3,1W (Ta)
RM75N60T2 Rectron USA RM75N60T2 0,3600
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 ECAD 9812 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM75N60T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 60 V 75A (Tc) 10V 11,5mOhm a 30A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 2350 pF a 25 V - 110W (Tc)
2N7002KA Rectron USA 2N7002KA 0,0420
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 ECAD 3372 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-2N7002KATR 8541.10.0080 30.000 Canal N 60 V 115mA (Ta) 5V, 10V 3 Ohm @ 500 mA, 10 V 2V @ 250µA ±20V 50 pF a 25 V - 225mW (Ta)
W08L Rectron USA W08L 0,3800
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 ECAD 7308 0,00000000 Rectron EUA - Volume Ativo -55°C ~ 125°C (TJ) Através do furo 4-Circular, RC-2 padrão RC-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-W08L EAR99 8541.10.0080 6.000 1 V a 1,5 A 200 nA a 800 V 1,5A Monofásico 800V
RM47N600T7 Rectron USA RM47N600T7 2.9600
Solicitação de cotação
 ECAD 3602 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM47N600T7 8541.10.0080 1.800 Canal N 600 V 47A (Tj) 10V 81mOhm @ 15,6A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 3111,9 pF a 25 V - 417W
RM8N650IP Rectron USA RM8N650IP 0,5200
Solicitação de cotação
 ECAD 9897 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) PARA-251 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM8N650IP 8541.10.0080 4.000 Canal N 650 V 8A (Tc) 10V 540mOhm @ 4A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 680 pF a 50 V - 80W (Tc)
RS602 Rectron USA RS602 0,9800
Solicitação de cotação
 ECAD 2010 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, RS-6 padrão RS-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RS602 EAR99 8541.10.0080 1.600 1,05 V a 6 A 500 nA @ 100 V 6A Monofásico 100V
RM120N30T2 Rectron USA RM120N30T2 0,3300
Solicitação de cotação
 ECAD 1989 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM120N30T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 30 V 120A (Ta) 10V 3,5mOhm a 20A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 3550 pF a 25 V - 120W (Ta)
RS2002MLS Rectron USA RS2002MLS 1.2000
Solicitação de cotação
 ECAD 6423 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, RS-20MLS padrão RS-20MLS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RS2002MLS EAR99 8541.10.0080 2.000 1 V a 10 A 5 µA a 100 V 20 A Monofásico 100V
  • Daily average RFQ Volume

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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