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Produtos semicondutores discretos(885)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)
RS3504M	2.4800	Solicitação de cotação	6123	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-35M	padrão	RS-35M	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS3504M	EAR99	8541.10.0080	1.200													1 V a 17,5 A	500 nA @ 400 V		35A		Monofásico	400 V
RM2310	0,0600	Solicitação de cotação	4745	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (óxido metálico)	SOT-23	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM2310TR		8541.10.0080	30.000		Canal N	60 V	3A (Ta)	4,5V, 10V	105mOhm @ 3A, 10V	1,9 V a 250 µA	±20V	247 pF a 30 V	-	1,7 W (Ta)
RM150N30LT2	0,2800	Solicitação de cotação	9826	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	MOSFET (óxido metálico)	PARA-220-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM150N30LT2		8541.10.0080	5.000		Canal N	30 V	150A (Tc)	4,5V, 10V	3mOhm @ 30A, 10V	3 V a 250 µA	±20V	3400 pF a 25 V	-	150W (Tc)
RM50N30DN	0,2400	Solicitação de cotação	1488	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerWDFN	MOSFET (óxido metálico)	8-DFN (3x3)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM50N30DNTR		8541.10.0080	25.000		Canal N	30 V	50A (Ta)	4,5V, 10V	6,5mOhm a 12A, 10V	3 V a 250 µA	±20V	1840 pF a 25 V	-	3,57W (Ta)
BR61	0,8500	Solicitação de cotação	7732	Rectron EUA	-	Bandeja	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-Quadrado, BR-6	padrão	BR-6	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-BR61	EAR99	8541.10.0080	2.000													1,1 V a 3 A	5 µA a 100 V		6A		Monofásico	100V
RS804M	0,9100	Solicitação de cotação	7627	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-8M	padrão	RS-8M	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS804M	EAR99	8541.10.0080	2.400													1,05 V a 8 A	500 nA @ 400 V		8A		Monofásico	400 V
FM4006-W	0,0350	Solicitação de cotação	5285	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Montagem em superfície	DO-214AC, SMA	padrão	DO-214AC (SMA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-FM4006-WTR	EAR99	8541.10.0080	7.500	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												1 V @ 1 A	500 nA a 800 V	-55°C ~ 175°C	1A	15pF @ 4V, 1MHz
RM12N650T2	0,6700	Solicitação de cotação	2682	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	MOSFET (óxido metálico)	PARA-220-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM12N650T2		8541.10.0080	5.000		Canal N	650 V	11,5A (Tc)	10V	360mOhm @ 7A, 10V	4 V a 250 µA	±30V	870 pF a 50 V	-	101W (Tc)
RM2302	0,0420	Solicitação de cotação	7094	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (óxido metálico)	SOT-23	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM2302TR		8541.10.0080	30.000		Canal N	20 V	4A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	45mOhm @ 2,9A, 4,5V	1,2 V a 250 µA	±12V	300 pF a 10 V	-	1W (Ta)
RS1006MLS	0,7800	Solicitação de cotação	7174	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-10MLS	padrão	RS-10MLS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS1006MLS	EAR99	8541.10.0080	2.000													1,1 V a 5 A	200 nA a 800 V		10A		Monofásico	800V
RM8N700T2	0,6800	Solicitação de cotação	4384	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	MOSFET (óxido metálico)	PARA-220-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM8N700T2		8541.10.0080	5.000		Canal N	700 V	8A (Tc)	10V	600mOhm @ 4A, 10V	3,5 V a 250 µA	±30V	680 pF a 50 V	-	80W (Tc)
R3000G	0,0880	Solicitação de cotação	4128	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	DO-204AL, DO-41, Axial	padrão	DO-41	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-R3000GTR	EAR99	8541.10.0080	20.000	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)											3000 V	3 V a 200 mA	5 µA a 3.000 V	-65°C ~ 175°C	500mA	30pF @ 4V, 1MHz
UMB8F	0,3800	Solicitação de cotação	5746	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, cabo plano	padrão	4-SOF2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-UMB8FTR	EAR99	8541.10.0080	48.000													1,1 V a 400 mA	5 µA a 800 V		500 mA		Monofásico	800V
DB206S	0,3900	Solicitação de cotação	7562	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota	padrão	DB-S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-DB206STR	EAR99	8541.10.0080	8.000													1,1 V a 2 A	5 µA a 800 V		2A		Monofásico	800V
RM8N700IP	0,4700	Solicitação de cotação	6594	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Terminais TO-251-3, IPak	MOSFET (óxido metálico)	PARA-251	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM8N700IP		8541.10.0080	4.000		Canal N	700 V	8A (Tc)	10V	600mOhm @ 4A, 10V	4 V a 250 µA	±30V	590 pF a 50 V	-	69W (Tc)