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Produtos Semicondutores discretos (885)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	TIPO DE FET	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)
RM12N650LD	0,5400	RFQ	1516	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-252-2	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM12N650LDTR		8541.10.0080	25.000			N-canal	650 v	11.5a (TC)	10V	360mohm @ 7a, 10V	4V A 250µA		± 30V	870 pf @ 50 V	-	101W (TC)
RM150N100ADF	0,8000	RFQ	8337	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-powervdfn		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		8-DFN (5x6)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM150N100Adftr		8541.10.0080	40.000			N-canal	100 v	128a (TC)	10V	4.2mohm @ 20a, 10V	2.4V a 250µA		± 20V	3650 pf @ 50 V	-	125W (TC)
HVM10	1.3500	RFQ	9528	Rectron EUA	-	Volume	Ativo		Através do buraco	Axial		Padrão		HVM	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-HVM10	Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												10000 v	14 V @ 350 mA		5 µA A 10000 V	-20 ° C ~ 150 ° C.	350mA	-
RM80N80HD	0,5200	RFQ	6436	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-263-2	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM80N80HDTR		8541.10.0080	8.000			N-canal	80 v	80a (TA)	10V	8.5mohm @ 40a, 10V	4V A 250µA		± 20V	4400 pf @ 25 V	-	170W (TA)
RM3416	0,0580	RFQ	7064	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-23	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM3416TR		8541.10.0080	30.000			N-canal	20 v	6.5a (ta)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 6.5a, 4.5V	1V a 250µA		± 12V	660 pf @ 10 V	-	1.4W (TA)
RM2004NE	0,0900	RFQ	9814	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-23-6	RM2004	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	1.25W (TA)	SOT-23-6	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM2004NETR		8541.10.0080	30.000	2 canal n (Duplo)			20V	6a (ta)		24mohm @ 6a, 10V	1V a 250µA	8nc @ 4.5V		650pf @ 10V	-
EFM102-W	0,0400	RFQ	7153	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA		Padrão		DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-EFM102-WTR	Ear99	8541.10.0080	7.500		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													950 mV @ 1 a	35 ns	5 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
DB106LS	0,3200	RFQ	5434	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	4-SMD, Asa de Gaivota		Padrão		Dbls	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-DB106LSTR	Ear99	8541.10.0080	8.000															1 V @ 1 A		1 µA A 800 V		1 a		Fase Única	800 v
RM6A5N30S6	0,0520	RFQ	4369	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-23-6		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-23-6	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM6A5N30S6TR		8541.10.0080	30.000			N-canal	32 v	6.5a (ta)	4.5V, 10V	35mohm @ 500mA, 10V	2,5V a 250µA		± 20V	325 pf @ 15 V	-	2.7W (TA)
RBU601M	0,7900	RFQ	5945	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, rbu		Padrão		Rbu	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RBU601M	Ear99	8541.10.0080	2.000															1 V @ 6 A		1 µA a 50 V		6 a		Fase Única	50 v
RM40N40D3	0,1540	RFQ	5285	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-powervdfn		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		8-DFN-EP (3x3)	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM40N40D3TR		8541.10.0080	25.000			N-canal	40 v	40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 30a, 10V	2,5V a 250µA		± 20V	2229 PF @ 20 V	-	27W (TC)
RM150N150HD	1.7500	RFQ	3265	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-263-2	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM150N150HDTR		8541.10.0080	8.000			N-canal	150 v	150a (TC)	10V	7.2mohm @ 70a, 10V	4V A 250µA		± 20V	5500 pf @ 75 V	-	320W (TC)
RM20N650T2	1.0400	RFQ	2976	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM20N650T2		8541.10.0080	5.000			N-canal	650 v	20a (TC)	10V	210mohm @ 10a, 10V	5V A 250µA		± 30V	2600 pf @ 50 V	-	180W (TC)
R5000	0,1400	RFQ	8032	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		Através do buraco	DO-204AC, DO-15, axial		Padrão		DO-15	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-R5000TR	Ear99	8541.10.0080	20.000		Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												5000 v	5 V @ 200 mA		50 µA @ 5000 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	200Ma	30pf @ 4V, 1MHz
RM1505S	0,3900	RFQ	3397	Rectron EUA	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		8-SOP	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	2516-RM1505STR		8541.10.0080	40.000			N-canal	150 v	5.1a (ta)	10V	65mohm @ 5.1a, 10V	4.5V a 250µA		± 20V	730 PF @ 75 V	-	3W (TA), 5W (TC)