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Produtos semicondutores discretos(885)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4005 | 0,0350 |  | 2273 | 0,00000000 | Rectron EUA | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2516-1N4005TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1 V @ 1 A | 200 nA @ 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | R4000 | 0,1200 | | 9761 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | padrão | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-R4000TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 4000 V | 5 V a 200 mA | 5 µA @ 4000 V | -55°C ~ 150°C | 200mA | 30pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM42P30DN | 0,1550 | | 4027 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN-EP (3x3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM42P30DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 30 V | 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 14mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 2215 pF a 15 V | - | 37W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | SLDB103S | 0,3500 | | 7069 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | SLDBS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-SLDB103STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 40.000 | 1 V @ 1 A | 1 µA a 200 V | 1A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MP151 | 1.8500 | | 7649 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4 quadrados, MP-15 | padrão | MP-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MP151 | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V a 7,5 A | 500 nA @ 100 V | 15A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DB1012S | 0,3200 | | 3629 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | DB-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DB1012STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 1200 V | 1A | Monofásico | 1,2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DB207 | 0,3900 | | 1618 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-EDIP (0,321", 8,15mm) | padrão | DB-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DB207 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15.000 | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 1000 V | 2A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RM2303 | 0,0450 | | 2195 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2303TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P | 30 V | 2A (Ta) | 4,5V, 10V | 130mOhm @ 2A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 226 pF a 15 V | - | 1W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||
 | EMD2S | 0,3300 | | 5028 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | MD-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-EMD2STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1,05 V a 500 mA | 10 µA a 100 V | 1A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 4RS104M | 0,4000 | | 6863 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-1M | padrão | RS-1M | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-4RS104M | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.280 | 1,1 V a 4 A | 2 µA a 400 V | 4A | Monofásico | 400V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | KMD150S | 0,3800 | | 6761 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | Schottky | MD-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-KMD150STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 850 mV por 1 A | 200 µA a 150 V | 1A | Monofásico | 150 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RM30N250DF | 1.2100 | | 4091 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM30N250DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 250 V | 29A (Tc) | 10V | 64mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 1584 pF a 100 V | - | 150W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | RS207L | 0,4800 | | 4995 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-2L | padrão | RS-2L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS207L | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.600 | 1,1 V a 2 A | 2 µA a 1000 V | 2A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1F10 | 0,0550 | | 7256 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | R-1, Axial | padrão | R-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-1F10TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,8 V a 500 mA | 300 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | RM2020ES9 | 0,0550 | | 9570 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RM2020 | MOSFET (óxido metálico) | 150mW (Ta), 800mW (Ta) | SOT-363-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2020ES9TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal N e P | 20V | 750mA (Ta), 800mA (Ta) | 1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V, 380 mOhm a 650 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA, 1,1 V a 250 µA | 0,0018 nC a 10 V, 0,75 nC a 4,5 V | 87pF a 10V, 120pF a 16V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | R2000 | 0,0490 | | 7573 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-R2000TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 2.000V | 1,3 V a 1 A | 5 µA a 2.000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM8N650LD | 0,5200 | | 4458 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 650 V | 8A (Tc) | 10V | 540mOhm @ 4A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 80W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | RM60P60HD | 0,5400 | | 1158 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM60P60HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal P | 60 V | 61A (Ta) | 6V, 10V | 22mOhm @ 15A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 3200 pF a 25 V | - | 171W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||
| BR101 | 0,9800 | | 1248 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-8 | padrão | BR-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-BR101 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | 1,1 V a 5 A | 5 µA a 100 V | 6A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RBU604M | 0,7900 | | 7.000 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU604M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 6 A | 1 µA a 400 V | 6A | Monofásico | 400V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RM110N82T2 | 0,4400 | | 9356 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM110N82T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 82 V | 110A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 20A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 6.400 pF a 40 V | - | 200W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| RBU806M | 0,7900 | | 4655 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU806M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 8 A | 500 nA a 800 V | 8A | Monofásico | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||
| SLDB104S | 0,3500 | | 6089 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | SLDBS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-SLDB104STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 40.000 | 1 V @ 1 A | 1 µA a 400 V | 1A | Monofásico | 400V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RS2004MLS | 1.2000 | | 5024 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-20MLS | padrão | RS-20MLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS2004MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V a 10 A | 5 µA a 400 V | 20 A | Monofásico | 400V | ||||||||||||||||||||||||||||
| MP352 | 2.2000 | | 4301 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | 4 quadrados, MP-35 | padrão | MP-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MP352 | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V a 17,5 A | 500 nA @ 200 V | 35A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| RS1005MLS | 0,7800 | | 1593 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-10MLS | padrão | RS-10MLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1005MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V a 5 A | 200 nA a 600 V | 10A | Monofásico | 600V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FR605-T | 0,1950 | | 5673 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | R-6, Axiais | padrão | R-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-FR605-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,3 V a 6 A | 250 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 6A | 150pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | MB2S | 0,3300 | | 9572 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | MD-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MB2STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1,05 V a 500 mA | 5 µA a 200 V | 500 mA | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| RM100N60T2 | 0,3500 | | 6793 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N60T2TR | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal N | 60 V | 100A (Tc) | 10V | 6,5mOhm a 40A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4800 pF a 30 V | - | 170W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | CMBT2907A-T | 0,0240 | | 2763 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-CMBT2907A-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 10mA, 10V | 200MHz |
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