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Produtos semicondutores discretos(885)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RS1006M | 0,9800 |  | 1272 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-10M | padrão | RS-10M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1006M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1,1 V a 5 A | 5 µA a 800 V | 10A | Monofásico | 800 V | ||||||||||||||||||||
 | 2RS106M | 0,3600 | | 9026 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-1M | padrão | RS-1M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-2RS106M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.100 | 1,1 V a 2 A | 2 µA a 800 V | 2A | Monofásico | 800 V | ||||||||||||||||||||
 | RS1504MLS | 1.0200 | | 3256 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-15MLS | padrão | RS-15MLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1504MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V a 7,5 A | 200 nA @ 400 V | 15A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||||||
 | DB201LS | 0,3900 | | 4385 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | DBLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DB201LSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 50 V | 2A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||||||
 | R3000F | 0,1800 | | 2433 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | padrão | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-R3000FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 3000V | 5 V a 200 mA | 500 ns | 5 µA @ 3000 V | -55°C ~ 150°C | 200mA | 30pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | MP1505W | 1.8500 | | 1601 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4 quadrados, MP-15 | padrão | MP-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MP1505W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,05 V a 7,5 A | 500 nA @ 50 V | 15A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||||||
 | 2N7002DS6 | 0,0480 | | 9024 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | 350 mW (Ta) | SOT-363-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-2N7002DS6TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 60V | 250mA (Ta) | 5 Ohm @ 500 mA, 10 V | 1,9 V a 250 µA | - | - | - | ||||||||||||||||
 | RM6602 | 0,1300 | | 9658 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | RM660 | MOSFET (óxido metálico) | 1,2W (Ta) | TSOT-23-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM6602TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal N e P | 30V | 3,5A (Ta), 2,7A (Ta) | 58mOhm a 3,5A, 10V, 100mOhm a 2,7A, 10V | 2,2 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA | 5nC @ 10V | 210pF a 15V, 199pF a 15V | - | ||||||||||||||||
 | RS2005M | 1.1600 | | 5249 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-20M | padrão | RS-20M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS2005M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 600 V | 20 A | Monofásico | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | RM15P55LD | 0,2800 | | 7424 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM15P55LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 55 V | 15A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±20V | 1450 pF a 20 V | - | 35W (Tc) | ||||||||||||||||
| RM80N60LD | 0,3100 | | 7058 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N60LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 60 V | 80A (Tc) | 10V | 8,5mOhm a 20A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4000 pF a 30 V | - | 110W (Tc) | ||||||||||||||||
 | RM2305 | 0,0490 | | 2178 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2305TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P | 20 V | 3A (Ta), 4,1A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 52mOhm @ 4,1A, 4,5V | 1V @ 250µA | ±12V | 740 pF a 4 V | - | 1,7 W (Ta) | ||||||||||||||||
 | FMD2S | 0,3300 | | 1897 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | MD-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-FMD2STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1,3 V a 400 mA | 10 µA a 100 V | 500 mA | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||||||
 | RM8N650TI | 0,5200 | | 1596 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 8A (Tj) | 10V | 450mOhm @ 4A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 31,7W (Tc) | ||||||||||||||||
 | DB101LS | 0,3200 | | 9057 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | DBLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DB101LSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 1 V @ 1 A | 1 µA a 50 V | 1A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||||||
 | RS607 | 0,9800 | | 4664 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-6 | padrão | RS-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS607 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | 1,05 V a 6 A | 200 nA @ 1000 V | 6A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||||||
 | RM002N30DF | 0,3200 | | 9560 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM002N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 30 V | 85A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,4mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 4345 pF a 15 V | - | 187W (Tc) | ||||||||||||||||
 | RBU1507M | 0,7900 | | 2162 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU1507M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V a 7,5 A | 500 nA @ 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||||||
 | RM45P20D3 | 0,2500 | | 9074 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM45P20D3TR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 19V | 45A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 7mOhm a 20A, 4,5V | 1V @ 250µA | ±12V | 3500 pF a 10 V | - | 80W (Tc) | ||||||||||||||||
| RBU403M | 0,7900 | | 6496 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU403M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 4 A | 1 µA a 200 V | 4A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||||||
| RS201M | 0,5500 | | 7688 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-2M | padrão | RS-2M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS201M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.700 | 1,05 V a 2 A | 200 nA @ 50 V | 2A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||||||
| RM150N40DF | 0,5600 | | 3261 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 40 V | 150A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,8mOhm a 75A, 10V | 2,2 V a 250 µA | ±20V | 7150 pF a 20 V | - | 88W (Tc) | ||||||||||||||||
 | RBU2507M | 0,7900 | | 9076 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU2507M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V a 12,5 A | 5 µA a 1000 V | 25A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||||||
 | FR302-B | 0,0890 | | 7496 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-FR302-B | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1,3 V a 3 A | 150 ns | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 65pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| RBU803M | 0,7900 | | 4587 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU803M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 8 A | 500 nA @ 200 V | 8A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||||||
 | RM115N65T2 | 0,4600 | | 7143 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM115N65T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 65V | 115A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,7mOhm a 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | +20V, -12V | 5900 pF a 30 V | - | 160W (Tc) | ||||||||||||||||
 | SLDB101S | 0,3500 | | 7345 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | SLDBS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-SLDB101STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 40.000 | 1 V @ 1 A | 1 µA a 50 V | 1A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||||||
 | R1500F | 0,0390 | | 6452 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-R1500FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1500V | 2,5 V a 500 mA | 500 ns | 5 µA a 1500 V | -65°C ~ 175°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||
| RS1002M | 0,9800 | | 3087 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-10M | padrão | RS-10M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1002M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1,1 V a 5 A | 5 µA a 100 V | 10A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||||||
 | RMA7P20ED1 | 0,0290 | | 7509 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (óxido metálico) | DFN1006-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RMA7P20ED1TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal P | 20 V | 700mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 420mOhm @ 500mA, 4,5V | 1V @ 250µA | ±8V | 52 pF a 4 V | - | 900 mW (Ta) |
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