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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RBU1006M | 0,7900 |  | 6826 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU1006M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 5 A | 1 µA a 800 V | 10A | Monofásico | 800V | ||||||||||||||||
 | RM21N650T2 | 1.2500 | | 7279 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM21N650T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 21A (Tc) | 10V | 180mOhm a 10,5A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 2600 pF a 50 V | - | 188W (Tc) | ||||||||||||
 | RM185N30DF | 0,7300 | | 8931 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM185N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 30 V | 185A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,4mOhm a 95A, 10V | 2V @ 250µA | ±20V | 8.800 pF a 15 V | - | 95W (Tc) | ||||||||||||
 | RM30N100LD | 0,3500 | | 2353 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM30N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 100V | 30A (Tc) | 10V | 31mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 2.000 pF a 25 V | - | 85W (Tc) | ||||||||||||
| RM70P30LD | 0,2800 | | 8708 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM70P30LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 30 V | 70A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,2mOhm a 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 3450 pF a 25 V | - | 90W (Tc) | ||||||||||||
 | RM17N800HD | 1.5300 | | 8118 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM17N800HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 800V | 17A (Ta) | 10V | 320mOhm a 8,5A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 2060 pF a 50 V | - | 260W (Tc) | ||||||||||||
 | FM806C-W-AT1 | 0,0790 | | 1001 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-FM806C-W-AT1TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1,05 V a 8 A | 300 nA @ 800 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||||||
 | RC204 | 0,4400 | | 1265 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-Circular, RC-2 | padrão | RC-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RC204 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | 1,05 V a 2 A | 200 nA @ 400 V | 2A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||
 | R2000G | 0,0600 | | 8230 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-R2000GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 2.000V | 2 V a 200 mA | 5 µA a 2.000 V | -65°C ~ 175°C | 500mA | 30pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| RM70P40LD | 0,3800 | | 7749 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM70P40LD | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal P | 40 V | 70A (Tc) | 10V | 10mOhm a 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 5380 pF a 20 V | - | 130W (Tc) | ||||||||||||
 | MP3505W | 2.2000 | | 9071 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, MP-25W | padrão | MP-25W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MP3505W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,05 V a 17,5 A | 500 nA @ 50 V | 35A | Monofásico | 50 V | ||||||||||||||||
 | DB103 | 0,3400 | | 5774 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-EDIP (0,321", 8,15 mm) | padrão | DB-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DB103 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1 V @ 1 A | 1 µA a 200 V | 1A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||
 | RS1004M-C-LV | 1.3500 | | 9109 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-10M | padrão | RS-10M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1004M-C-LV | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 900 mV a 5 A | 5 µA a 400 V | 10A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||
 | RBU402M | 0,7900 | | 4707 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU402M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 4 A | 1 µA a 100 V | 4A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||
 | HER508-F | 0,1550 | | 7189 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-HER508-FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1,7 V a 3 A | 75ns | 500 nA @ 1000 V | 150ºC | 5A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| RM8N650HD | 0,5200 | | 3581 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 650 V | 8A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 4A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 80W (Tc) | ||||||||||||
| 1F18 | 0,0550 | | 5726 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | R-1, Axial | padrão | R-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-1F18TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1800 V | 1,8 V a 500 mA | 300 ns | 5 µA a 1800 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | RBU2007M | 0,8900 | | 7658 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBU | padrão | RBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RBU2007M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 1000 V | 20 A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||
| RS1502M | 1.0000 | | 2900 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-15M | padrão | RS-15M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1502M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,05 V a 7,5 A | 500 nA @ 100 V | 15A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||
| MP152 | 1.8500 | | 4583 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4 quadrados, MP-15 | padrão | MP-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MP152 | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V a 7,5 A | 500 nA @ 200 V | 15A | Monofásico | 200 V | ||||||||||||||||
 | FR302-T | 0,0890 | | 8274 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-FR302-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,3 V a 3 A | 150 ns | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 65pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
| RS2505M | 1.3500 | | 300 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-25M | padrão | RS-25M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS2505M | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | 1 V a 12,5 A | 500 nA a 600 V | 25A | Monofásico | 600 V | ||||||||||||||||
| RM7N600LD | 0,5800 | | 4789 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM7N600LD | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal N | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 580mOhm @ 3A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 587 pF a 50 V | - | 63W (Tc) | ||||||||||||
 | RM5N150S8 | 0,4000 | | 8016 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | Canal N | 150 V | 4,6A (Ta) | 4,5V, 10V | 75mOhm @ 5A, 10V | 3 V a 250 µA | ±20V | 625 pF a 75 V | - | 3,1W (Ta) | ||||||||||||
 | RM25N30DN | 0,1400 | | 8606 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN-EP (3x3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM25N30DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 30 V | 25A (Tc) | 4,5V, 10V | 10mOhm @ 10A, 10V | 3 V a 250 µA | ±20V | 1530 pF a 15 V | - | 25W (Tc) | ||||||||||||
| RM11N800T2 | 1.4400 | | 7116 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM11N800T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 800V | 11A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 2600 pF a 50 V | - | 188W (Tc) | ||||||||||||
 | RS1004M | 0,9800 | | 8070 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-10M | padrão | RS-10M | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS1004M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1,1 V a 5 A | 5 µA a 400 V | 10A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||
| RS402L | 0,7800 | | 6889 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RS-4L | padrão | RS-4L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RS402L | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,05 V a 4 A | 2 µA a 100 V | 4A | Monofásico | 100V | ||||||||||||||||
 | MD4F | 0,3300 | | 6626 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | padrão | MD-S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-MD4FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1 V a 500 mA | 1 µA a 400 V | 1A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||
 | BR1010 | 0,9800 | | 2815 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-8 | padrão | BR-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-BR1010 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | 1,1 V a 5 A | 5 µA a 1000 V | 6A | Monofásico | 1kV |
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