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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	TIPO DE FET	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tipo Triac	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	Resistor - Base (R1)	Resistor - Base de Emissor (R2)
NTE6122	467.7400	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Prenda	DO-200AC, K-Puk		Padrão		DO-200AC	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6122	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				1600 v		1,41 V @ 4000 A		75 mA a 1600 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	3000A	-
NTE6035	15.6000	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6035	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				320 v		1,4 V @ 60 A		10 mA A 320 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	60a	-
NTE102A	8.8300	RFQ	46	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		90 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-1-3 Metal Can			650 MW	To-1	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE102A	Ear99	8541.21.0095	1																															1 a	25µA (ICBO)			Pnp	170MV @ 50Ma, 500mA	69 @ 300MA, 0V	-
NTE2309	6.7900	RFQ	369	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3			2,5 w	TO-3P	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE2309	Ear99	8541.29.0095	1																														800 v	12 a	10µA (ICBO)			Npn	2V @ 600MA, 3A	10 @ 400mA, 5V	15MHz
NTE5265AK	26.8600	RFQ	40	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud			50 w	Do-5	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5265AK	Ear99	8541.10.0050	1																																	25 v	2,7 ohms
1N4003	0,0900	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial		Padrão		DO-41	download	ROHS3 Compatível	2368-1N4003	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				200 v		1,1 V @ 1 A		5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
2N4403	0,1200	RFQ	42	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)			625 MW	Parágrafo 92	download	ROHS3 Compatível	2368-2N4403	Ear99	8541.21.0095	1																														40 v	600 mA	100na			Pnp	750mv @ 50Ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
2N4033	0,9600	RFQ	100	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			800 MW	TO-39	download	ROHS3 Compatível	2368-2N4033	Ear99	8541.29.0095	1																														80 v	1 a	-			Pnp	1V @ 100MA, 1A	75 @ 100µA, 5V	-
1N5374B	0,7600	RFQ	16	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5374B	Ear99	8541.10.0050	1																								1,2 V @ 1 A		500 Na @ 56 V							75 v	45 ohms
NTE5225A	13.3600	RFQ	17	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5225A	Ear99	8541.10.0050	1																																	140 v	125 ohms
2N2102	1.3600	RFQ	153	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 w	TO-39	download	ROHS3 Compatível	2368-2N2102	Ear99	8541.29.0095	1																														65 v	1 a	2Na (ICBO)			Npn	500mv @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
NTE551	3.4000	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Axial		Padrão		Axial	download	Rohs Não Compatível	2368-nte551	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				1500 v		1,2 V @ 2 A	20 µs	10 µA A 1500 V	-40 ° C ~ 125 ° C.	1.5a	-
NTE388	14.7700	RFQ	446	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			250 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE388	Ear99	8541.29.0095	1																														250 v	16 a	500µA			Npn	4V @ 3.2a, 16a	15 @ 8A, 4V	4MHz
NTE153	2.9000	RFQ	331	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			40 w	To-220	download	ROHS3 Compatível	2368-nte153	Ear99	8541.29.0095	1																														90 v	4 a	20µA (ICBO)			Pnp	1.5V @ 300Ma, 3a	40 @ 500mA, 5V	8MHz
MJ10021	18.1800	RFQ	6782	NTE Electronics, inc	SwitchMode ™	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			250 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível	2368-MJ10021	Ear99	8541.29.0095	1																														250 v	60 a	250µA			NPN - Darlington	4V @ 4A, 60A	75 @ 15A, 5V	-
NTE275	5.4000	RFQ	78	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2			50 w	TO-66	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE275	Ear99	8541.29.0095	1																														80 v	4 a	500µA			PNP - Darlington	3V @ 40MA, 4A	750 @ 2A, 3V	-
1N5345B	0,7600	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5345B	Ear99	8541.10.0050	1																								1,2 V @ 1 A		10 µA A 6,6 V							8,7 v	2 ohms
NTE300	3.2500	RFQ	33	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	Taba Longo to-202			7 w	Parágrafo 202	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE300	Ear99	8541.29.0095	1																														40 v	1.5 a	1µA (ICBO)			Npn	1V @ 50MA, 1A	55 @ 500mA, 4V	-
NTE2374	3.7500	RFQ	615	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-220	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE2374	Ear99	8541.29.0095	1			N-canal		200 v	18a (TC)	10V	180mohm @ 31a, 10V	4V A 250µA	70 nc @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
NTE6086	6.7700	RFQ	24	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	To-220-3		Schottky		To-220	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6086	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																			2 Independente		10a	800 mv @ 10 a		150 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
NTE242	1.4000	RFQ	984	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			60 w	To-220	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE242	Ear99	8541.29.0095	1																														80 v	4 a	1Ma			Pnp	1.4V @ 1A, 4A	20 @ 1.5a, 2V	2,5MHz
NTE6210	23.0400	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	TO-204AA, TO-3		Padrão		TO-3	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6210	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																			1 par cátodo comum	600 v	15a	1,4 V @ 15 A	200 ns	5 mA a 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
NTE5867	8.5000	RFQ	32	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Padrão		Do-4	download	Rohs Não Compatível	2368-nte5867	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				800 v		1,1 V @ 19 A		12 mA a 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	-
NTE2370	1.0900	RFQ	500	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto	NTE23		200 MW	Parágrafo 92s	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE2370	Ear99	8541.21.0095	1																														50 v	100 ma	500na			PNP - Pré -tendencioso	300mv @ 250µA, 5MA	80 @ 10Ma, 5V	200 MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
NTE248	6.4200	RFQ	108	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			150 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE248	Ear99	8541.29.0095	1																														100 v	12 a	1Ma			PNP - Darlington	3V a 120mA, 12a	750 @ 6A, 3V	-
NTE158	9.0000	RFQ	181	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-	Através do buraco	TO-1-3 Metal Can			550 MW	To-1	download	ROHS3 Compatível	2368-nte158	Ear99	8541.29.0095	1																														32 v	1 a	10µA (ICBO)			Pnp	-	50 @ 300mA, 1V	-
NTE5903	12.1800	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Padrão		Do-4	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5903	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																				500 v		1,23 V @ 50 A		12 mA a 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	16a	-
NTE5184AK	12.8800	RFQ	810	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5184AK	Ear99	8541.10.0050	1																																	8,7 v	1,7 ohms
2N6385	3.6200	RFQ	184	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			6 w	TO-204AA (TO-3)	download	ROHS3 Compatível	2368-2N6385	Ear99	8541.29.0095	1																														80 v	10 a	1MA (ICBO)			NPN - Darlington	3V @ 100MA, 10A	1000 @ 5A, 3V	-
NTE56051	1.7100	RFQ	348	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		125 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3				To-220	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE56051	Ear99	8541.30.0080	1	Solteiro			10 MA											Lógica - Portão Sensível	500 v	8 a	1,5 v	55a, 60a	5 MA