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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Poder - Máx	Estrutura	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	TIPO DE FET	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Ganho	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Número de SCRS, Diodos	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	Figura de Ruído (dB typ @ f)
NTE5852	2.9100	RFQ	56	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão			Do-4	download	ROHS3 Compatível			2368-nte5852	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						100 v	1,1 V @ 19 A		12 mA a 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	-
NTE387MP	75.1800	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3		250 w		TO-3	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE387MP	Ear99	8541.29.0095	1																															150 v	50 a	50µA			Npn	3V @ 10A, 50A	50 @ 1A, 4V	30MHz
NTE5705	106.8800	RFQ	33	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		Módlo			CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS		download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5705	Ear99	8541.30.0080	1			100 ma											1,2 kV	15.5 a	2 v	357a, 375a	60 MA		12.5 a										2 scrs
NTE5948	6.5900	RFQ	26	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud	Padrão			Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-nte5948	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						400 v	1,5 V @ 15 A		10 mA a 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	15a	-
NTE255	2.6900	RFQ	117	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-237AA		850 MW		TO-237	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE255	Ear99	8541.29.0095	1																															300 v	500 MA	1µA (ICBO)			Npn	500mv @ 10ma, 100mA	30 @ 100mA, 10V	300MHz
NTE5594	236.6000	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200AC				TO-200AC	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5594	Ear99	8541.10.0080	1			1 a											200 v	16.4 Ka	3 v	11500A, 12650A	200 MA	1,75 v	820 a	60 MA	RecuperAção Padrão
2N5686	10.5600	RFQ	390	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AE		300 w		TO-204 (TO-3)	download	Rohs Não Compatível			2368-2N5686	Ear99	8541.29.0095	1																															80 v	50 a	1Ma			Npn	1v @ 2.5a, 25a	15 @ 25A, 2V	2MHz
NTE5039A	0,7900	RFQ	173	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW		DO-35	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5039A	Ear99	8541.10.0050	1																																		43 v	93 ohms
NTE2313	2.1900	RFQ	54	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		50 w		To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE2313	Ear99	8541.29.0095	1																															450 v	2 a	200µA			Npn	1V @ 200Ma, 1A	30 @ 100mA, 5V	4MHz
GI752	0,7000	RFQ	288	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Axial	Padrão			Axial	download	Rohs Não Compatível			2368-GI752	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						200 v	900 mV @ 6 A	2,5 µs	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	150pf @ 4V, 1MHz
NTE2302	6.2900	RFQ	596	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3		120 w		TO-3P	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE2302	Ear99	8541.29.0095	1																															800 v	5 a	10µA (ICBO)			Npn	5V @ 800MA, 4A	8 @ 1A, 5V	3MHz
Rgp15m	0,3600	RFQ	982	NTE Electronics, inc	RGP15	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-201D, axial	Padrão			Do-201d	download	Rohs Não Compatível			2368-RGP15M	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																						1000 v	1,3 V @ 1,5 A	500 ns	5 µA A 1000 V	-	1.5a	25pf @ 4V, 1MHz
2N6109	1.2400	RFQ	66	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		40 w		To-220	download	Rohs Não Compatível			2368-2N6109	Ear99	8541.29.0095	1																															50 v	7 a	1Ma			Pnp	3.5V @ 3A, 7a	30 @ 2.5a, 4V	10MHz
MPSL51	0,1200	RFQ	259	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)		625 MW		TO-92-3	download	Rohs Não Compatível			2368-MPSL51	Ear99	8541.21.0095	1																															100 v	200 MA	1µA (ICBO)			Pnp	300mv @ 5MA, 50MA	40 @ 50MA, 5V	60MHz
MPSA44	0,2200	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)		625 MW		Parágrafo 92	download	ROHS3 Compatível			2368-MPSA44	Ear99	8541.21.0095	1																															400 v	300 mA	500na			Npn	750MV @ 5MA, 50MA	50 @ 10MA, 10V	-
NTE5293A	33.8600	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud		50 w		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5293A	Ear99	8541.10.0050	1																																		175 v	85 ohms
NTE5258AK	26.8600	RFQ	10	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud		50 w		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5258AK	Ear99	8541.10.0050	1																																		16 v	1,6 ohms
NTE5848	7.2800	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão			Do-4	download	ROHS3 Compatível			2368-nte5848	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						1000 v	1,2 V @ 3 A		10 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
BU806	2.5300	RFQ	45	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		60 w		To-220-3	download	ROHS3 Compatível			2368-BU806	Ear99	8541.29.0095	1																															200 v	8 a	100µA			NPN - Darlington	1.5V @ 50MA, 5A	-	-
MPSH17	0,1400	RFQ	8433	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo		350mw		TO-92 (TO-226)	download	Rohs Não Compatível			2368-MPSH17	Ear99	8541.21.0095	1				24dB																											15V	-				Npn		25 @ 5MA, 10V	800MHz	6db @ 200MHz
NTE5835	5.1000	RFQ	112	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão			Do-4	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5835	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						200 v	1,2 V @ 3 A		10 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
MJE2955T	1.3000	RFQ	63	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		75 w		To-220	download	Rohs Não Compatível			2368-MJE2955T	Ear99	8541.29.0095	1																															60 v	10 a	700µA			Pnp	8V @ 3.3a, 10a	20 @ 4A, 4V	2MHz
NTE5866	8.5000	RFQ	41	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão			Do-4	download	Rohs Não Compatível			2368-nte5866	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																						800 v	1,1 V @ 19 A		12 mA a 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	-
NTE5290AK	33.8600	RFQ	36	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud		50 w		Do-5	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5290AK	Ear99	8541.10.0050	1																																		140 v	60 ohms
NTE139A	0,3300	RFQ	6	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		1 w		DO-35	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE139A	Ear99	8541.10.0050	1																																		9.1 v	5 ohms
NTE184	-	RFQ	1716	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-225AA, TO-126-3		40 w		TO-126	download	ROHS3 Compatível			2368-nte184	Ear99	8541.29.0095	1																															80 v	4 a	1Ma			Npn	1.4V @ 1A, 4A	20 @ 1.5a, 2V	2MHz
1N5261B	0,1200	RFQ	156	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW		-	download	ROHS3 Compatível			2368-1N5261B	Ear99	8541.10.0050	1																										100 Na @ 36 V								47 v	105 ohms
NTE649G	0,1800	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem na Superfície	DO-214AC, SMA	Padrão			DO-214AC (SMA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcance como informação de disponição mediana solicitada	2368-NTE649G	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																						400 v	1,3 V @ 1 a	150 ns	5 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	10pf @ 4V, 1MHz
NTE2404	0,7500	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		350 MW		SOT-23	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE2404	Ear99	8541.21.0095	1																															30 v	300 mA	100na (ICBO)			NPN - Darlington	1V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	220MHz
NTE464	17.8400	RFQ	40	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-72-3	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			TO-72	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE464	Ear99	8541.29.0095	1		Canal P.			25 v	10a	10V	600OHM @ 0A, 10V	5V @ 10A	± 30V	5000 pf @ 10 V	Padrão	800mW (TC)