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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tipo Triac Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
1N5371B NTE Electronics, Inc 1N5371B 0,7600
RFQ
 ECAD 926 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco T-18, axial 5 w Axial download ROHS3 Compatível 2368-1N5371B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 45,5 V 60 v 40 ohms
TIP101 NTE Electronics, Inc Tip101 1.0800
RFQ
 ECAD 984 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 2368-TIP101 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 50µA NPN - Darlington 2,5V a 80mA, 8a 1000 @ 3A, 4V 4MHz
NTE5390 NTE Electronics, Inc NTE5390 3.6400
RFQ
 ECAD 320 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP Padrão 4-sip download ROHS3 Compatível 2368-NTE5390 Ear99 8541.30.0000 1 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 200 V 35 a Fase Única 200 v
NTE5394 NTE Electronics, Inc NTE5394 4.9100
RFQ
 ECAD 326 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP Padrão 4-sip download ROHS3 Compatível 2368-NTE5394 Ear99 8541.30.0000 1 1,1 V @ 17,5 A 5 µA A 1000 V 35 a Fase Única 1 kv
TIP147 NTE Electronics, Inc Tip147 3.5200
RFQ
 ECAD 377 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-218-3 125 w To-218 download Rohs Não Compatível 2368-TIP147 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - Pnp - 1000 @ 5A, 4V -
NTE5417 NTE Electronics, Inc NTE5417 2.3100
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco To-220-3 To-220 download ROHS3 Compatível 2368-nte5417 Ear99 8541.30.0000 1 30 mA 200 v 10 a 1,5 v 100a @ 60Hz 25 MA 1,8 v 500 µA RecuperAção Padrão
1N5372B NTE Electronics, Inc 1N5372B 0,7600
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco T-18, axial 5 w Axial download Rohs Não Compatível 2368-1N5372B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 A 500 Na @ 47,1 V 62 v 42 ohms
NTE5892 NTE Electronics, Inc NTE5892 9.4300
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-nte5892 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,23 V @ 50 A 12 mA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a -
NTE59 NTE Electronics, Inc NTE59 15.7500
RFQ
 ECAD 252 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco 3-sip 200 w 3-sip download ROHS3 Compatível 2368-nte59 Ear99 8541.29.0095 1 200 v 17 a 100µA (ICBO) Pnp 2.5V @ 1A, 10A 20 @ 8A, 4V 20MHz
TIP105 NTE Electronics, Inc Tip105 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download Rohs Não Compatível 2368-TIP105 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 8 a 50µA PNP - Darlington 2,5V a 80mA, 8a 1000 @ 3A, 4V 4MHz
PN2907A NTE Electronics, Inc PN2907A 0,1100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 2368-PN2907A Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
MJ15015 NTE Electronics, Inc MJ15015 3.2800
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 180 w TO-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2368-MJ15015 Ear99 8541.29.0095 1 120 v 15 a 100µA Npn 5V @ 7A, 15A 20 @ 4A, 4V 6MHz
TIP42C NTE Electronics, Inc Tip42c 1.1600
RFQ
 ECAD 244 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2368-TIP42C Ear99 8541.29.0095 1 100 v 6 a 700µA Pnp 1,5V a 600mA, 6a 30 @ 300mA, 4V 3MHz
BC547A NTE Electronics, Inc BC547A 0,1300
RFQ
 ECAD 3547 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC547 625 MW Parágrafo 92 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2368-BC547A Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 15Na Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
NTE56065 NTE Electronics, Inc NTE56065 3.2900
RFQ
 ECAD 948 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 125 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 To-220 download Rohs Não Compatível 2368-NTE56065 Ear99 8541.30.0080 1 Solteiro 60 MA Padrão 600 v 12 a 1,5 v 95A, 105A 50 MA
NTE5375 NTE Electronics, Inc NTE5375 262.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do Pino TO-209AB, TO-93-4, Stud Parágrafo 93 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5375 Ear99 8541.10.0080 1 600 mA 1,2 kV 355 a 3 v 3250A @ 50Hz 200 MA 2.074 v 175 a 30 mA RecuperAção Padrão
NTE56044 NTE Electronics, Inc NTE56044 4.2500
RFQ
 ECAD 280 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 125 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 To-220 download Rohs Não Compatível 2368-NTE56044 Ear99 8541.30.0080 1 Solteiro 30 mA Lógica - Portão Sensível 800 v 16 a 1,5 v 140A, 150A 10 MA
PN4249 NTE Electronics, Inc PN4249 0,1400
RFQ
 ECAD 9838 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download Rohs Não Compatível 2368-PN4249 Ear99 8541.21.0095 1 60 v 500 MA 10na (ICBO) Pnp 250mv @ 500µA, 10MA 100 @ 100µA, 5V -
NTE5223AK NTE Electronics, Inc NTE5223AK 13.3600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 10 w Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5223AK Ear99 8541.10.0050 1 120 v 75 ohms
NTE5603 NTE Electronics, Inc NTE5603 1.8900
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 TO-126 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5603 Ear99 8541.10.0080 1 Solteiro 30 mA Padrão 200 v 4 a 2,5 v 30a @ 60Hz 30 mA
NTE5612 NTE Electronics, Inc NTE5612 27.5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AB, TO-127-3 TO-127 download Rohs Não Compatível 2368-NTE5612 Ear99 8541.30.0080 1 Solteiro 50 MA Padrão 50 v 10 a 2 v 100a @ 60Hz 50 MA
NTE265 NTE Electronics, Inc NTE265 7.2500
RFQ
 ECAD 162 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba Longo to-202 1,33 w Parágrafo 202 download ROHS3 Compatível 2368-NTE265 Ear99 8541.29.0095 1 50 v 500 MA 500na NPN - Darlington 1,5V a 500µA, 500mA 10000 @ 200Ma, 5V 75MHz
NTE6118 NTE Electronics, Inc NTE6118 407.6800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Prenda DO-200AC, K-Puk Padrão DO-200AC download ROHS3 Compatível 2368-NTE6118 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,41 V @ 4000 A 75 mA A 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C. 3000A -
NTE5250AK NTE Electronics, Inc NTE5250AK 26.8600
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 50 w Do-5 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5250AK Ear99 8541.10.0050 1 8,7 v 0,45 ohms
NTE346 NTE Electronics, Inc NTE346 -
RFQ
 ECAD 7786 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo - Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1w TO-39 download ROHS3 Compatível 2368-NTE346 Ear99 8541.29.0095 1 10dB 20V 400mA Npn 10 @ 100mA, 5V 500MHz -
NTE165 NTE Electronics, Inc NTE165 5.7000
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 115 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 12,5 w TO-3 download ROHS3 Compatível 2368-nte165 Ear99 8541.29.0095 1 700 v 5 a 1Ma Npn 5V @ 2A, 4.5a 2.25 @ 4.5a, 5V 7MHz
NTE253 NTE Electronics, Inc NTE253 1.4000
RFQ
 ECAD 187 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 40 w TO-126 download ROHS3 Compatível 2368-NTE253 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 100µA NPN - Darlington 3V @ 40MA, 4A 750 @ 1.5A, 3V -
2N3905 NTE Electronics, Inc 2N3905 0,1300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 2368-2N3905 Ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 MA 50na Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 50 @ 10MA, 1V 200MHz
NTE2933 NTE Electronics, Inc NTE2933 7.1000
RFQ
 ECAD 168 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To 15:00 download Rohs Não Compatível 2368-NTE2933 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 8a (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 10 V ± 30V 1530 pf @ 25 V - 85W (TC)
NTE2539 NTE Electronics, Inc NTE2539 12.5600
RFQ
 ECAD 390 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 2,5 w TO-3P download ROHS3 Compatível 2368-NTE2539 Ear99 8541.29.0095 1 400 v 25 a 10µA (ICBO) Npn 800mv @ 3.2a, 16a 15 @ 3.2a, 5V 20MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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