RFQ
Bom
Contate-nos

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-compponents.com

Entrar

Português

Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	TIPO DE FET	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Ganho	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tipo Triac	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	Figura de Ruído (dB typ @ f)
NTE6087	5.8500	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	To-220-3		Schottky		To-220	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6087	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																							2 Independente	45 v	15a	620 mV @ 15 a		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
NTE383	1.4300	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo			900 MW	TO-92L	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE383	Ear99	8541.21.0095	1																																		100 v	1 a	10µA (ICBO)			Pnp	1V @ 50MA, 500mA	160 @ 150mA, 5V	140MHz
1N5226B	0,1200	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	-	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5226B	Ear99	8541.10.0050	1																														25 µA @ 1 V							3,3 v	28 ohms
NTE143A	0,3300	RFQ	440	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			1 w	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE143A	Ear99	8541.10.0050	1																																					13 v	10 ohms
1N4736A	0,1400	RFQ	173	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 20 ° C.	Através do buraco	Axial			1 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N4736A	Ear99	8541.10.0050	1																														10 µA A 4 V							6,8 v	3,5 ohms
NTE161	2.0100	RFQ	149	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN			200mw	TO-72	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE161	Ear99	8541.21.0095	1					15dB																													45V	50mA				Npn		20 @ 3MA, 1V	600MHz	6db @ 60MHz
2N7002	0,2800	RFQ	27	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-23-3	download	Rohs Não Compatível	2368-2N7002	Ear99	8541.21.0095	1			N-canal			60 v	115mA (TA)	5V, 10V	7.5Ohm @ 500Ma, 10V	2,5V a 250µA	± 20V	50 pf @ 25 V	-	200MW (TA)
NTE6021	10.5700	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6021	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																								40 v		1,4 V @ 60 A		10 mA a 40 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	60a	-
NTE6234	158.0000	RFQ	100	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do chassi	Módlo		Padrão		Módlo	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6234	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																							CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE		190a	1,38 V @ 600 A		12 µA A 1600 V	-
NTE5124A	1.3000	RFQ	346	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			5 w	DO-35	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5124A	Ear99	8541.10.0050	1																																					9.1 v	2 ohms
NTE131	6.5800	RFQ	44	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		90 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2			6 w	TO-66	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE131	Ear99	8541.29.0095	1																																		32 v	1 a	1Ma			Pnp	80mv @ 100ma, 1a	36 @ 1A, 0V	-
1N750A	0,1500	RFQ	4	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-1N750A	Ear99	8541.10.0050	1																												1,5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V							4,7 v	19 ohms
2N2219A	1.2700	RFQ	476	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			800 MW	TO-39	download	ROHS3 Compatível	2368-2N2219A	Ear99	8541.29.0095	1																																		40 v	800 mA	-			Npn	1V @ 50MA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
NTE5387	475.8000	RFQ	6	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Prenda	TO-200AC				TO-200AC	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5387	Ear99	8541.30.0000	1				1 a												1,2 kV	1535 a	3 v	9500A, 10450A	300 mA	1,9 v	745 a	75 Ma	RecuperAção Padrão
1N5263B	0,1600	RFQ	131	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	-	download	Rohs Não Compatível	2368-1N5263B	Ear99	8541.10.0050	1																														100 Na @ 43 V							56 v	150 ohms
MPSA12	0,1800	RFQ	4	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo			625 MW	TO-92 (TO-226)	download	Rohs Não Compatível	2368-MPSA12	Ear99	8541.21.0095	1																																		20 v		100na (ICBO)			NPN - Darlington	1V @ 10µA, 10ma	20000 @ 10MA, 5V	-
2N5551	0,1900	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads			625 MW	Parágrafo 92	download	ROHS3 Compatível	2368-2N5551	Ear99	8541.21.0095	1																																		160 v	200 MA	-			Npn	200mv @ 5Ma, 50Ma	80 @ 10Ma, 5V	300MHz
1N4001	0,0800	RFQ	4654	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial		Padrão		DO-41	download	ROHS3 Compatível	2368-1N4001	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																								50 v		1,1 V @ 1 A		5 µA a 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
NTE156	0,9800	RFQ	22	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	DO-204AC, DO-15, axial		Padrão		DO-15	download	ROHS3 Compatível	2368-nte156	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																								1000 v		1,1 V @ 2 A		5 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	2a	40pf @ 4V, 1MHz
1N5358B	0,7600	RFQ	957	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5358B	Ear99	8541.10.0050	1																												1,2 V @ 1 A		500 Na @ 16,7 V							22 v	3,5 ohms
NTE5846	6.9200	RFQ	64	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud		Padrão		Do-4	download	ROHS3 Compatível	2368-nte5846	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																								800 v		1,2 V @ 3 A		10 µA a 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
NTE159-10	14.8600	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)			625 MW	Parágrafo 92	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE159-10	Ear99	8541.21.0095	1																																		80 v	800 mA	50na (ICBO)			Pnp	500mv @ 50Ma, 500mA	50 @ 10MA, 10V	-
NTE293MP	4.0700	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo			1 w	TO-92L	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE293MP	Ear99	8541.29.0095	1																																		50 v	1 a	100na (ICBO)			Npn	400mv @ 50Ma, 500mA	120 @ 500MA, 10V	200MHz
NTE190	12.6500	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Taba Longo to-202			10 w	TO-202N	download	Rohs Não Compatível	2368-nte190	Ear99	8541.21.0095	1																																		180 v	1 a	100µA (ICBO)			Npn	500mv @ 20Ma, 200Ma	40 @ 10MA, 10V	35MHz
NTE5179AK	35.0000	RFQ	9932	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5179AK	Ear99	8541.10.0050	1																																					6 v	1 ohms
NTE5645	4.2800	RFQ	512	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3				To-220	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5645	Ear99	8541.30.0080	1	Solteiro			50 MA											Padrão	600 v	10 a	2,5 v	100a @ 60Hz	50 MA
NTE2321	7.7400	RFQ	368	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	14-DIP (0,300 ", 7,62 mm)			650 MW	14-DIP	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE2321	Ear99	8541.29.0095	1																																		40 v	500 MA	50na (ICBO)			Npn	1.6V @ 30MA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	350MHz
NTE137A	0,3300	RFQ	14	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			1 w	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE137A	Ear99	8541.10.0050	1																																					6.2 v	2 ohms
1N4151	0,0700	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		Padrão		DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-1N4151	Ear99	8541.10.0070	1		Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade																								75 v		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 Na @ 50 V	175 ° C (max)	150mA	2pf @ 0V, 1MHz
NTE5228A	13.3600	RFQ	53	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5228A	Ear99	8541.10.0050	1																																					170 v	225 ohms