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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - Sanda	TIPO DE FET	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Tensão	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	ATUAL - VALLEY (IV)	ATUAL - PICO
NTE5243AK	40.4000	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud			50 w	Do-5	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5243AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							5.1 v	0,12 ohms
1N5266B	0,1600	RFQ	6912	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	-	download	Rohs Não Compatível	2368-1N5266B	Ear99	8541.10.0050	1																														100 Na @ 52 V									68 v	230 ohms
1N5366B	0,9200	RFQ	51	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5366B	Ear99	8541.10.0050	1																												1,2 V @ 1 A		500 Na @ 29,7 V									39 v	14 ohms
1N4763A	0,2400	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 20 ° C.	Através do buraco	Axial			1 w	Axial	download	Rohs Não Compatível	2368-1N4763A	Ear99	8541.10.0050	1																														5 µA A 69,2 V									91 v	250 ohms
NTE6070	25.8700	RFQ	11	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6070	Ear99	8541.30.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									1600 v		1,15 V @ 200 A		2 MA A 1600 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	85a	-
NTE573-1	1.3100	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-201D, axial		Schottky		Do-201d	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE573-1	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									100 v		850 mv @ 5 a		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	5a	380pf @ 4V, 1MHz
1N5349B	0,7600	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5349B	Ear99	8541.10.0050	1																												1,2 V @ 1 A		2 µA A 9,1 V									12 v	2,5 ohms
NTE585	0,9400	RFQ	4	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial		Schottky		DO-41	download	ROHS3 Compatível	2368-nte585	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																									40 v		600 mV @ 1 a		1 mA a 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C.	1a	110pf @ 4V, 1MHz
NTE137A	0,3300	RFQ	14	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			1 w	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE137A	Ear99	8541.10.0050	1																																							6.2 v	2 ohms
NTE5202A	12.8800	RFQ	87	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5202A	Ear99	8541.10.0050	1																																							30 v	8 ohms
NTE6251	6.8200	RFQ	186	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3		Padrão		TO-3P	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6251	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																								1 par cátodo comum	200 v	30a	950 mV @ 15 A	35 ns	10 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
GI854/MR854	0,3200	RFQ	98	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-201D, axial		Padrão		Do-201d	download	Rohs Não Compatível	2368-GI854/MR854	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																									400 v		1,25 V @ 3 A	200 ns	10 µA A 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C.	3a	28pf @ 4V, 1MHz
NTE2934	7.3100	RFQ	449	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Pacote completo para 3p-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To 15:00	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE2934	Ear99	8541.29.0095	1			N-canal			400 v	11.5a (TC)	10V	300mohm @ 5.75a, 10V	4V A 250µA	131 nc @ 10 V	± 30V	2780 pf @ 25 V	-	92W (TC)
NTE5052A	1.5400	RFQ	542	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5052A	Ear99	8541.10.0050	1																																							120 v	900 ohms
NTE6362	123.7600	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	Do-203aa, Do-9, Garanhão		Padrão		Do-9	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6362	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									1400 v				30 mA A 1400 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	300A	-
NTE6400	60.0000	RFQ	34	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN					download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6400	Ear99	8541.29.0095	1		-			-										300 MW																														8 ma	25 µA
1N4151	0,0700	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		Padrão		DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-1N4151	Ear99	8541.10.0070	1	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade																									75 v		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 Na @ 50 V	175 ° C (max)	150mA	2pf @ 0V, 1MHz
NTE5005SM	0,2400	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	SOT-23	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5005SM	Ear99	8541.10.0050	1																																							3,3 v
NTE6023	8.1600	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE6023	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									80 v		1,4 V @ 60 A		10 mA a 80 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	60a	-
NTE53003	2.4000	RFQ	242	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo						Padrão			download	Rohs Não Compatível	2368-NTE53003	Ear99	8541.10.0080	1																												1,1 V @ 5 A		10 µA A 1000 V		8 a				Fase Única	1 kv
NTE125-1	-	RFQ	1373	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial		Padrão		DO-41	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE125-1	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									1000 v		1,1 V @ 1 A		10 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	-
NTE6088	6.1500	RFQ	972	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	To-220-3		Schottky		To-220	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE6088	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																								2 Independente	60 v	30a	750 mv @ 15 a		1 mA a 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
NTE5187A	12.8800	RFQ	157	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5187A	Ear99	8541.10.0050	1																																							11 v	3 ohms
1N5387B	0,7600	RFQ	230	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Através do buraco	T-18, axial			5 w	T-18	download	ROHS3 Compatível	2368-1N5387B	Ear99	8541.10.0050	1																												1,2 V @ 1 A		500 Na @ 137 V									190 v	450 ohms
NTE5003A	0,9200	RFQ	796	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível	2368-NTE5003A	Ear99	8541.10.0050	1																																							2,8 v	30 ohms
GI756	1.0000	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Axial		Padrão		Axial	download	ROHS3 Compatível	2368-GI756	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																									600 v		900 mV @ 6 A	2,5 µs	5 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	150pf @ 4V, 1MHz
NTE5129A	1.3000	RFQ	48	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			5 w	DO-35	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5129A	Ear99	8541.10.0050	1																																							14 v	2,5 ohms
2N7002	0,2800	RFQ	27	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-23-3	download	Rohs Não Compatível	2368-2N7002	Ear99	8541.21.0095	1			N-canal			60 v	115mA (TA)	5V, 10V	7.5Ohm @ 500Ma, 10V	2,5V a 250µA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	200MW (TA)
NTE5571	44.2900	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do Pino	TO-208AC, TO-65-3, Stud				TO-65	download	ROHS3 Compatível	2368-NTE5571	Ear99	8541.30.0080	1				200 MA												1,6 kV	80 a	2,5 v	1200A @ 60Hz	100 ma	1,78 v	50 a	15 MA	RecuperAção Padrão
2N4912	3.0900	RFQ	9941	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2			25 w	TO-66 (TO-213AA)	download	ROHS3 Compatível	2368-2N4912	Ear99	8541.21.0095	1																																		80 v	4 a			-			Pnp	-	-	-