SIC
close

Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
NTE5185A NTE Electronics, Inc NTE5185A 12.8800
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 10 w Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5185A Ear99 8541.10.0050 1 9.1 v 2 ohms
NTE5480 NTE Electronics, Inc NTE5480 15.4700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-208AB, TO-64-3, Stud TO-64 download Rohs Não Compatível 2368-nte5480 Ear99 8541.30.0000 1 30 mA 25 v 8 a 1,5 v 100a @ 60Hz 30 mA 2 v 10 µA RecuperAção Padrão
BU406D NTE Electronics, Inc BU406D 3.0600
RFQ
 ECAD 192 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 60 w To-220 download Rohs Não Compatível 2368-BU406D Ear99 8541.29.0095 1 200 v 7 a 15m Npn 1V @ 650MA, 5A 15 @ 2A, 5V 10MHz
NTE5511 NTE Electronics, Inc NTE5511 10.8000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 TO-66 download Rohs Não Compatível 2368-NTE5511 Ear99 8541.30.0000 1 20 MA 200 v 5 a 2 v 60a @ 60Hz 15 MA 3.2 a RecuperAção Padrão
NTE5902 NTE Electronics, Inc NTE5902 12.1800
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5902 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,23 V @ 50 A 12 mA a 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 16a -
NTE5808 NTE Electronics, Inc NTE5808 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial Padrão DO-27 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5808 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 9,4 A 500 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
1N969B NTE Electronics, Inc 1n969b 0,1100
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 download Rohs Não Compatível 2368-1N969B Ear99 8541.10.0050 1 5 µA A 16,7 V 22 v 29 ohms
NTE2389 NTE Electronics, Inc NTE2389 7.6700
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 2368-NTE2389 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 35a (ta) 10V 45mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 30V 2000 pf @ 25 V - 125W (TA)
NTE125-1 NTE Electronics, Inc NTE125-1 -
RFQ
 ECAD 1373 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-41 download Rohs Não Compatível 2368-NTE125-1 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
2N7000 NTE Electronics, Inc 2N7000 0,4000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 2368-2N7000 Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 60 v 200Ma (TA) 5ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1Ma 60 pf @ 25 V -
NTE5190A NTE Electronics, Inc NTE5190A 12.8800
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 10 w Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5190A Ear99 8541.10.0050 1 14 v 3 ohms
1N4741A NTE Electronics, Inc 1N4741A 0,1400
RFQ
 ECAD 988 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Através do buraco Axial 1 w Axial download ROHS3 Compatível 2368-1N4741A Ear99 8541.10.0050 1 5 µA a 8,4 V 11 v 8 ohms
2N6668 NTE Electronics, Inc 2N6668 1.7300
RFQ
 ECAD 791 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 65 w To-220 download ROHS3 Compatível 2368-2N6668 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 1Ma PNP - Darlington 3V @ 100MA, 10A 1000 @ 5A, 3V -
NTE5587 NTE Electronics, Inc NTE5587 273.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-209AE, TO-118-4, Stud TO-118 download ROHS3 Compatível 2368-nte5587 Ear99 8541.10.0080 1 600 v 550 a 3 v 9100A, 10000A 150 MA 1,4 v 350 a 30 mA RecuperAção Padrão
NTE53006 NTE Electronics, Inc NTE53006 1.4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 105 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP Padrão 4-sip download ROHS3 Compatível 2368-NTE53006 Ear99 8541.10.0070 1 1,05 V @ 7,5 A 10 µA A 200 V 15 a Fase Única 200 v
1N4761A NTE Electronics, Inc 1N4761A 0,2400
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Através do buraco Axial 1 w Axial download ROHS3 Compatível 2368-1N4761A Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 56 V 75 v 175 ohms
NTE5530 NTE Electronics, Inc NTE5530 26.2600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-208AA, TO-48-3, Stud TO-48 download Rohs Não Compatível 2368-NTE5530 Ear99 8541.10.0080 1 700 v 25 a 3 v 150A @ 60Hz 40 MA 1,7 V. 16 a RecuperAção Padrão
NTE5442 NTE Electronics, Inc NTE5442 16.3400
RFQ
 ECAD 687 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AB, TO-127-3 TO-127 download Rohs Não Compatível 2368-nte5442 Ear99 8541.30.0000 1 40 MA 50 v 8 a 1,5 v 80a @ 60Hz 30 mA 1,5 v 5.1 a 10 µA RecuperAção Padrão
NTE6114 NTE Electronics, Inc NTE6114 250.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Prenda Do-200aa, a-puk Padrão DO-2000AA download ROHS3 Compatível 2368-NTE6114 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,31 V @ 1500 A 15 mA a 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C. 1400A -
NTE53016 NTE Electronics, Inc NTE53016 5.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 quadrados Padrão - download ROHS3 Compatível 2368-NTE53016 Ear99 8541.10.0070 1 1.1 V @ 25 A 50 µA A 200 V 50 a Fase Única 200 v
NTE5437 NTE Electronics, Inc NTE5437 2.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 To-220 download ROHS3 Compatível 2368-NTE5437 Ear99 8541.30.0000 1 5 MA 400 v 8 a 800 mv 100a @ 60Hz 200 µA 1.6 V. 10 µA Portão sensível
BCW61C NTE Electronics, Inc BCW61C 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 download Rohs Não Compatível 2368-BCW61C Ear99 8541.21.0095 1 32 v 100 ma 20na (ICBO) Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 100MHz
MPSA92 NTE Electronics, Inc MPSA92 -
RFQ
 ECAD 7787 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível 2368-MPSA92 Ear99 8541.21.0095 1 300 v 500 MA 250na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 25 @ 30MA, 10V 50MHz
NTE16006 NTE Electronics, Inc NTE16006 2.0300
RFQ
 ECAD 407 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco 3-sip 1 w 3-sip download Rohs Não Compatível 2368-NTE16006 Ear99 8541.29.0095 1 20 v 700 MA 10µA Npn 400mv @ 50Ma, 500mA 1000 @ 150mA, 10V 55MHz
TIP36A NTE Electronics, Inc Tip36a 3.3200
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-218-3 125 w To-218 download Rohs Não Compatível 2368-TIP36A Ear99 8541.29.0095 1 60 v 25 a - Pnp - 10 @ 15A, 4V 3MHz
2N6059 NTE Electronics, Inc 2N6059 3.4200
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 200 ° C (TJ) Montagem do chassi TO-204AA, TO-3 150 w TO-3 download ROHS3 Compatível 2368-2N6059 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 12 a 1Ma NPN - Darlington 3V a 120mA, 12a 750 @ 6A, 3V 4MHz
NTE6011 NTE Electronics, Inc NTE6011 28.4100
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-5, Stud Padrão Do-5 download ROHS3 Compatível 2368-NTE6011 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 40 A 400 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 160 ° C. 40A -
NTE6055 NTE Electronics, Inc NTE6055 13.2900
RFQ
 ECAD 3579 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-5, Stud Padrão Do-5 download ROHS3 Compatível 2368-NTE6055 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 20 mA 2 ma @ 200 V -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
RGP15D NTE Electronics, Inc RGP15D 0,2800
RFQ
 ECAD 159 0,00000000 NTE Electronics, inc RGP15 Bolsa Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d download Rohs Não Compatível 2368-RGP15D Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 200 V - 1.5a 25pf @ 4V, 1MHz
NTE382 NTE Electronics, Inc NTE382 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 900 MW TO-92L download ROHS3 Compatível 2368-NTE382 Ear99 8541.21.0095 1 100 v 1 a 10µA (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 160 @ 150mA, 5V 140MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar