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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	TIPO DE FET	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tipo Triac	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Quebra (V (BR) GSS)	Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tensão - Corte (VGS desligado) @ id	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Resistência - rds (on)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	Dreno atual (id) - max
NTE56031	11.5600	RFQ	17	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Através do buraco	Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac			TO-218 ISOLADO	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE56031	Ear99	8541.30.0080	1	Solteiro			80 MA											Padrão	600 v	40 a	1,3 v	400A, 420A	50 MA
NTE5036A	0,7900	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5036A	Ear99	8541.10.0050	1																																								33 v	58 ohms
NTE5514	10.0600	RFQ	26	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 150 ° C.	Montagem do chassi	Presente Ajuste			Presente Ajuste	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5514	Ear99	8541.30.0000	1				50 MA												200 v	20 a	2 v	200a @ 60Hz	25 MA	1,9 v		2 MA	RecuperAção Padrão
2N4221A	7.5600	RFQ	26	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN		300 MW	TO-72	download	Rohs Não Compatível			2368-2N4221A	Ear99	8541.21.0095	1			N-canal		30 v							6pf @ 15V																								30 v	2 mA a 15 V	6 V @ 100 Pa				400 ohms					15 MA
NTE2987	4.6500	RFQ	188	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-nte2987	Ear99	8541.29.0095	1			N-canal		100 v	20a	5V	120mohm @ 10a, 5V	2,5V a 250µA	30 NC @ 5 V	± 15V	1500 pf @ 25 V	Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v	105W (TC)
NTE552-10	12.2300	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Padrão		DO-41	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE552-10	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																							600 v	1,2 V @ 1 A	200 ns	5 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
NTE377	2.5300	RFQ	56	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		1,67 w	To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE377	Ear99	8541.29.0095	1																																80 v	10 a						10µA				Npn	1V @ 400Ma, 8a	60 @ 2A, 1V	50MHz
MJ10015	12.0000	RFQ	3436	NTE Electronics, inc	SwitchMode ™	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3		250 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível			2368-MJ10015	Ear99	8541.29.0095	1																																400 v	50 a						250µA				NPN - Darlington	5V @ 10A, 50A	25 @ 20A, 5V	-
NTE5543	20.5300	RFQ	24	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 150 ° C.	Montagem do Pino	TO-208AA, TO-48-3, Stud			TO-48	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5543	Ear99	8541.10.0080	1																200 v	35 a	2 v	300A @ 60Hz	30 mA			2 MA	RecuperAção Padrão
NTE2383	9.3500	RFQ	72	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE2383	Ear99	8541.29.0095	1			Canal P.		100 v	10.5a (TC)	10V	300mohm @ 5.3a, 10V	4V A 250µA	58 nc @ 10 V	± 20V	835 pf @ 25 V	-	75W (TC)
NTE5513	14.5600	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 100 ° C.	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2			TO-66	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5513	Ear99	8541.30.0000	1				20 MA												600 v	5 a	2 v	60a @ 60Hz	15 MA		3.2 a		RecuperAção Padrão
NTE342	19.7200	RFQ	420	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		1,5 w	To-220	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcance como informação de disponição mediana solicitada	2368-NTE342	Ear99	8541.29.0095	1																																17 v	2 a						500µA (ICBO)				Npn	-	10 @ 100mA, 10V	-
Tip31b	0,9200	RFQ	548	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		2 w	To-220-3	download	Rohs Não Compatível			2368-TIP31B	Ear99	8541.29.0095	1																																80 v	3 a						300µA				Npn	1.2V @ 375MA, 3A	10 @ 3A, 4V	3MHz
1N4934	0,1100	RFQ	68	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Padrão		DO-41	download	Rohs Não Compatível			2368-1N4934	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																							100 v	1,2 V @ 1 A	150 ns	5 µA A 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C.	1a	12pf @ 4V, 1MHz
NTE5567	35.9300	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montagem do Pino	TO-208AC, TO-65-3, Stud			TO-65	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5567	Ear99	8541.10.0080	1				200 MA												200 v	80 a	2,5 v	1200A @ 60Hz	100 ma	1.6 V.	50 a	15 MA	RecuperAção Padrão
2N3392	0,6200	RFQ	97	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)		625 MW	TO-92-3	download	Rohs Não Compatível			2368-2N3392	Ear99	8541.21.0095	1																																25 v	500 MA						100na (ICBO)				Npn	-	150 @ 2MA, 4.5V	-
NTE53001	1.9900	RFQ	664	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)			Padrão			download	ROHS3 Compatível			2368-NTE53001	Ear99	8541.10.0080	1																										1,1 V @ 5 A		10 µA A 600 V		8 a				Fase Única	600 v
1N4738A	0,1400	RFQ	471	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 0,5%	-65 ° C ~ 20 ° C.	Através do buraco	Axial		1 w	Axial	download	ROHS3 Compatível			2368-1N4738A	Ear99	8541.10.0050	1																												10 µA a 6 V												8.2 v	4,5 ohms
1N5245B	0,1200	RFQ	88	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	-	download	Rohs Não Compatível			2368-1N5245B	Ear99	8541.10.0050	1																												100 Na @ 11 V												15 v	16 ohms
NTE5590	122.7400	RFQ	9	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 125 ° C.	Montagem do chassi	TO-200B, A-Puk			To-200AB	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5590	Ear99	8541.10.0080	1				600 mA												200 v	780 a	3 v	4650A, 5120A	150 MA	1,75 v	470 a	20 MA	RecuperAção Padrão
NTE6094	19.9800	RFQ	46	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud	Schottky		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6094	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																							45 v	700 mV @ 60 A		50 mA a 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	60a	4000pf @ 5V, 100kHz
NTE116-10	5.5800	RFQ	6	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Através do buraco	Do-204al, DO-41, axial	Padrão		DO-41	download	Rohs Não Compatível			2368-nte116-10	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																							600 v	1,1 V @ 1 A		10 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	-
NTE5012A	0,7900	RFQ	164	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5012A	Ear99	8541.10.0050	1																																								6 v	7 ohms
NTE5437	2.9300	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5437	Ear99	8541.30.0000	1				5 MA												400 v	8 a	800 mv	100a @ 60Hz	200 µA	1.6 V.		10 µA	Portão sensível
NTE5068A	0,6000	RFQ	541	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		1 w	DO-35	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5068A	Ear99	8541.10.0050	1																																								4.3 v	9 ohms
NTE5853	2.9100	RFQ	34	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud	Padrão		Do-4	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5853	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																							100 v	1,1 V @ 19 A		12 mA a 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	-
2N4399	4.7600	RFQ	5	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	TO-204AA, TO-3		5 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível			2368-2N4399	Ear99	8541.29.0095	1																																60 v	30 a						5mA				Pnp	4V @ 6A, 30A	40 @ 1A, 2V	4MHz
NTE252	9.3400	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3		160 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE252	Ear99	8541.29.0095	1																																100 v	20 a						1Ma				PNP - Darlington	3V @ 200Ma, 20A	750 @ 10A, 3V	-
1N5375B	0,7600	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	T-18, axial		5 w	Axial	download	ROHS3 Compatível			2368-1N5375B	Ear99	8541.10.0050	1																										1,2 V @ 1 A		500 Na @ 62,2 V												82 v	65 ohms
NTE5291AK	33.8600	RFQ	14	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud		50 w	Do-5	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5291AK	Ear99	8541.10.0050	1																																								150 v	75 ohms