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Produtos Semicondutores Discretos (2287)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Tensão - Classificada	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Freqüência	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	Classificação ATUAL (Amplificadorores)	ATUAL - Hold (ih) (Máx)	POTÊNCIA - SAÍDA	Ganho	Tipo Triac	Tensão - Estado Off - Off	ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max)	Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM)	Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max)	Tensão - No Estado (VTM) (Max)	ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX)	ATUAL - Off State (Max)	TIPO SCR	Figura de Ruído	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão	Figura de Ruído (dB typ @ f)	Razão de Capacitânncia	Condição da Razão de Capacitância	Q @ vr, f
NTE5058A	1.5400	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5058A	Ear99	8541.10.0050	1																																180 v	2200 ohms
NTE573	1.1300	RFQ	6	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Através do buraco	Do-201D, axial		Schottky		Do-201d	download	ROHS3 Compatível			2368-nte573	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																	60 v		700 mv @ 5 a		5 mA a 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	5a	400pf @ 4V, 1MHz
NTE6071	-	RFQ	7137	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6071	Ear99	8541.30.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																	1600 v		1,15 V @ 200 A		2 MA A 1600 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	85a	-
Tip34a	1.6000	RFQ	430	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-218-3			80 w	To-218	download	ROHS3 Compatível			2368-TIP34A	Ear99	8541.29.0095	1																											60 v	10 a			-			Pnp	-	100 @ 3A, 4V	3MHz
NTE5206A	12.8800	RFQ	11	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do Pino	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5206A	Ear99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 2 A		10 µA a 32,7 V									43 v	12 ohms
NTE5273AK	26.8600	RFQ	90	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud			50 w	Do-5	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5273AK	Ear99	8541.10.0050	1																																45 v	4,5 ohms
NTE5415	2.4200	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-225AA, TO-126-3				TO-126	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5415	Ear99	8541.30.0000	1				5 MA				400 v		1 v	25a, 35a	200 µA	2,2 v	2.6 a	10 µA	Portão sensível
2N3819	1.7800	RFQ	583	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo		25 v		Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA)	-	JFET		TO-92-3	download	Rohs Não Compatível			2368-2N3819	Ear99	8541.21.0095	1	N-canal		-		-	-											-
NTE5271AK	26.8600	RFQ	16	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud			50 w	Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5271AK	Ear99	8541.10.0050	1																																39 v	4 ohms
NTE6010	28.4100	RFQ	146	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6010	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																	600 v		1,4 V @ 40 A	400 ns	50 µA A 600 V	-65 ° C ~ 160 ° C.	40A	-
NTE6356	68.1300	RFQ	4416	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Montagem do Pino	Do-203aa, Do-9, Garanhão		Padrão		Do-9	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6356	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)																	600 v				40 mA a 600 V	-40 ° C ~ 180 ° C.	300A	-
NTE54MP	9.0500	RFQ	4	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			2W	To-220	download	Rohs Não Compatível			2368-nte54mp	Ear99	8541.29.0095	1						-																					150V	8a						Npn		40 @ 2A, 2V	30MHz	-
NTE5416	3.1700	RFQ	78	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-225AA, TO-126-3				TO-126	download	ROHS3 Compatível			2368-nte5416	Ear99	8541.30.0000	1				5 MA				600 v		1 v	25a, 35a	200 µA	2,2 v	2.6 a	10 µA	Portão sensível
NTE293MP	4.0700	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo			1 w	TO-92L	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE293MP	Ear99	8541.29.0095	1																											50 v	1 a			100na (ICBO)			Npn	400mv @ 50Ma, 500mA	120 @ 500MA, 10V	200MHz
NTE5230A	22.2800	RFQ	16	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud			10 w	Do-4	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5230A	Ear99	8541.10.0050	1																																180 v	260 ohms
1N752A	0,1500	RFQ	75	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível			2368-1N752A	Ear99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 200 mA		1 µA a 1 V									5,6 v	11 ohms
NTE5610	6.4900	RFQ	669	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3				To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5610	Ear99	8541.30.0080	1	Solteiro			50 MA			Lógica - Portão Sensível	800 v	8 a	1,3 v	80a @ 60Hz	10 MA
NTE5302	1.5500	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 -SIP		Padrão		4-sip	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE5302	Ear99	8541.10.0080	1																					1 V @ 8 A		5 µA A 800 V		8 a				Fase Única	1 kv
NTE5645	4.2800	RFQ	512	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3				To-220	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE5645	Ear99	8541.30.0080	1	Solteiro			50 MA			Padrão	600 v	10 a	2,5 v	100a @ 60Hz	50 MA
1N750A	0,1500	RFQ	4	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível			2368-1N750A	Ear99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V									4,7 v	19 ohms
NTE605A	0,7300	RFQ	2	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial		Padrão		DO-35	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcance como informação de disponição mediana solicitada	2368-NTE605A	Ear99	8533.40.4000	1		Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade																	6 v		1,36 V @ 3 mA		1 µA a 6 V	150 ° C.	100mA	-
NTE612	2.0700	RFQ	76	NTE Electronics, inc	-	Volume	Ativo			-	Através do buraco	TO-226-2, parágrafo 92-2 (TO-226AC)				-	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE612	Ear99	8541.10.0080	1																										13.2pf @ 4V, 1MHz			Solteiro	30 v									2.9	C2/C33	400 @ 4V, 50MHz
2N2904	0,5500	RFQ	327	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			600 MW	TO-39	download	ROHS3 Compatível			2368-2N2904	Ear99	8541.21.0095	1																											40 v	600 mA			20na			Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	40 @ 150mA, 10V	200MHz
NTE5419	3.1800	RFQ	163	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-40 ° C ~ 110 ° C.	Através do buraco	To-220-3				To-220	download	ROHS3 Compatível			2368-nte5419	Ear99	8541.30.0000	1				30 mA				600 v	10 a	1,5 v	100a @ 60Hz	25 MA	1,8 v		500 µA	RecuperAção Padrão
NTE6011	28.4100	RFQ	40	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Montagem do Pino	DO-203AA, DO-5, Stud		Padrão		Do-5	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6011	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																	600 v		1,4 V @ 40 A	400 ns	50 µA A 600 V	-65 ° C ~ 160 ° C.	40A	-
1n748a	0,1500	RFQ	3	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			500 MW	DO-35	download	Rohs Não Compatível			2368-1N748A	Ear99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 200 mA		10 µA A 1 V									3,9 v	23 ohms
MJ10007	6.5600	RFQ	1	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			150 w	TO-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)		2368-MJ10007	Ear99	8541.29.0095	1																											400 v	10 a			250µA			NPN - Darlington	2.9V @ 1A, 10A	40 @ 2.5a, 5V	-
NTE315	2.7600	RFQ	80	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			120 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo			750 MW	TO-92L	download	Rohs Não Compatível			2368-NTE315	Ear99	8541.21.0095	1																											50 v	1 a			200na (ICBO)			Npn	300mv @ 50ma, 1a	199 @ 100mA, 2V	-
NTE190	12.6500	RFQ	12	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Taba Longo to-202			10 w	TO-202N	download	Rohs Não Compatível			2368-nte190	Ear99	8541.21.0095	1																											180 v	1 a			100µA (ICBO)			Npn	500mv @ 20Ma, 200Ma	40 @ 10MA, 10V	35MHz
NTE6218	45.8200	RFQ	8	NTE Electronics, inc	-	Bolsa	Ativo				Montagem do chassi	Módlo		Padrão		Módlo	download	ROHS3 Compatível			2368-NTE6218	Ear99	8541.10.0080	1		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)																1 par cátodo comum		100a	1,3 V @ 100 A	95 ns	5 µA A 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.