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Produtos Semicondutores discretos (6390)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Corrente - Sanda de Pico TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tipo Triac Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Tensão - Ruptura Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão ATUAL - ROUBO
STH200N10WF7-2 STMicroelectronics STH200N10WF7-2 6.9100
RFQ
 ECAD 4503 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) H2PAK-2 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 180A (TC) 10V 4mohm @ 90a, 10V 4.5V a 250µA 93 NC @ 10 V ± 20V 4430 PF @ 25 V - 340W (TC)
STW32NM50N STMicroelectronics STW32NM50N 6.5000
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW32 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-13284-5 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 500 v 22a (TC) 10V 130mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 62,5 nc @ 10 V ± 25V 1973 pf @ 50 V - 190W (TC)
STW65N80K5 STMicroelectronics STW65N80K5 18.7500
RFQ
 ECAD 5378 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ K5 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-16333-5 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 800 v 46a (TC) 10V 80mohm @ 23a, 10V 5V @ 100µA 92 NC @ 10 V ± 30V 3230 pf @ 100 V - 446W (TC)
STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB 3.2900
RFQ
 ECAD 366 0,00000000 Stmicroelectronics Hb Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 STGWT40 Padrão 283 w TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-16972 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 5OHM, 15V 140 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 80 a 160 a 2V @ 15V, 40A 363µJ (Off) 210 NC -/142ns
STPS5L60S STMicroelectronics STPS5L60S 0,9100
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC STPS5 Schottky SMC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 520 mV @ 5 A 220 µA A 60 V 150 ° C (Máximo) 5a -
2SC5200 STMicroelectronics 2SC5200 -
RFQ
 ECAD 7767 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA 2SC5 150 w To-264 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 25 230 v 15 a 5µA (ICBO) Npn 3V @ 800Ma, 8a 55 @ 1A, 5V 30MHz
STTH802D STMicroelectronics STTH802D 1.1800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STTH802 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-5284-5 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,05 V @ 8 A 30 ns 6 µA A 200 V 175 ° C (max) 8a -
STF11N65M5 STMicroelectronics STF11N65M5 2.2300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ V. Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 STF11 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 9a (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 644 pf @ 100 V - 25W (TC)
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
RFQ
 ECAD 1412 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STGW45 Padrão 250 w TO-247 LIMPOS LONGOS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-10402-5 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 4.7OHM, 15V 90 ns - 600 v 70 a 150 a 2.5V @ 15V, 30A 330µJ (Off) 160 NC -/145ns
STP40NF03L STMicroelectronics STP40NF03L 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 STP40 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 16V 770 pf @ 25 V - 70W (TC)
STBV42-AP STMicroelectronics STBV42-AP -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Stmicroelectronics - Fita de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads STBV42 1 w TO-92AP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 400 v 1 a 1Ma Npn 1,5V a 250mA, 750mA 10 @ 400mA, 5V -
STF42N65M5 STMicroelectronics STF42N65M5 5.8557
RFQ
 ECAD 1456 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ V. Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 STF42 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-8895-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 33a (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10V 5V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 25V 4650 PF @ 100 V - 40W (TC)
STTH30L06D STMicroelectronics STTH30L06D -
RFQ
 ECAD 3229 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 STTH30 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,55 V @ 30 A 90 ns 25 µA A 600 V 175 ° C (max) 30a -
T1010H-6G STMicroelectronics T1010H-6G 0,5448
RFQ
 ECAD 9764 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab T1010 D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 2.000 Solteiro 25 MA Lógica - Portão Sensível 600 v 10 a 1 v 100a, 105a 10 MA
STPS15SM80CR STMicroelectronics STPS15SM80CR -
RFQ
 ECAD 8734 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STPS15 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 7.5a 780 mV @ 7.5 A 20 µA A 80 V 175 ° C (max)
STTH5R06G-TR STMicroelectronics STTH5R06G-TR -
RFQ
 ECAD 1989 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STTH5R06 Padrão D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,9 V @ 5 A 40 ns 20 µA A 600 V 175 ° C (max) 5a -
STU2N80K5 STMicroelectronics STU2N80K5 1.3500
RFQ
 ECAD 994 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA STU2N80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-15022-5 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 800 v 2a (TC) 10V 4.5OHM @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9,5 nc @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 45W (TC)
BTW69-1000RG STMicroelectronics BTW69-1000RG -
RFQ
 ECAD 6339 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco Top 3 BTW69 Top3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 30 150 MA 1 kv 50 a 1,3 v 580A, 610A 80 MA 1,9 v 32 a 10 µA RecuperAção Padrão
BULT118M STMicroelectronics Bult118m -
RFQ
 ECAD 6346 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 Bult118 45 w SOT-32-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 400 v 2 a 250µA Npn 1,5V a 400mA, 2a 10 @ 500mA, 5V -
STU10N60M2 STMicroelectronics STU10N60M2 1.6000
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA STU10N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 7.5a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 13,5 nc @ 10 V ± 25V 400 pf @ 100 V - 85W (TC)
STI12NM50N STMicroelectronics STI12NM50N -
RFQ
 ECAD 3040 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STI12N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 25V 940 pf @ 50 V - 100w (TC)
TYN416RG STMicroelectronics Tyn416rg -
RFQ
 ECAD 3263 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco To-220-3 Tyn416 To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1026-TYN416RG Ear99 8541.30.0080 50 40 MA 400 v 16 a 1,5 v 160a, 167a 25 MA 1.6 V. 10 a 5 µA RecuperAção Padrão
LIC01-215B-TR STMicroelectronics LIC01-215B-TR -
RFQ
 ECAD 7605 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 LIC01 DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 2.500 1.2 a 50 MA 215 ~ 255V 500 µA
STFI12N60M2 STMicroelectronics STFI12N60M2 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Pacote completo, i²pak STFI12N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pakfp (to-281) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9a (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 25W (TC)
STW24NM65N STMicroelectronics STW24NM65N -
RFQ
 ECAD 6663 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW24N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 19a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
STP35NF10 STMicroelectronics STP35NF10 -
RFQ
 ECAD 8945 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Stp35n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 40A (TC) 10V 35mohm @ 17.5a, 10V 4V A 250µA 55 nc @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 115W (TC)
STTH30L06PI STMicroelectronics STTH30L06PI -
RFQ
 ECAD 4709 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco DOP3I-2 ISOLADO (Leads Retos) STTH30 Padrão Dop3i download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-4630-5 Ear99 8541.10.0080 600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,55 V @ 30 A 90 ns 25 µA A 600 V 175 ° C (max) 30a -
STTA812DIRG STMicroelectronics STTA812DIRG -
RFQ
 ECAD 1894 0,00000000 Stmicroelectronics Turboswitch ™ Tubo Obsoleto Através do buraco TO-220-2 ISOLADO, TO-220AC STTA812 Padrão TO-220AC INS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,2 V @ 8 A 100 ns 100 µA A 1200 V 150 ° C (Máximo) 8a -
STTH803G-TR STMicroelectronics STTH803G-TR 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab STTH803 Padrão D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,25 V @ 8 a 35 ns 20 µA A 300 V 175 ° C (max) 8a -
BULD118D-1 STMicroelectronics BULD118D-1 0,9900
RFQ
 ECAD 6216 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Buld118 20 w TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 400 v 2 a 250µA Npn 1,5V a 400mA, 2a 10 @ 500mA, 5V -
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