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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC857AE6327HTSA1 | 0,3600 |  | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1005SE6433XT | - | | 6694 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | 8 v | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | BF1005 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143-3D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 20.000 | N-canal | 25Ma | - | 22dB | 1.6dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP120N06S402AKSA1 | - | | 9961 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP120N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 15750 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFML8244TRPBF | 0,4400 | | 65 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRFML8244 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 v | 5.8a (ta) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5.8a, 10V | 2,35V a 10µA | 5,4 nc @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP410N30NAKSA1 | 10.0800 | | 250 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP410 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 v | 44a (TC) | 10V | 41mohm @ 44a, 10V | 4V @ 270µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 7180 pf @ 100 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6616TR1PBF | - | | 9293 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 19a (ta), 106a (tc) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10V | 2,25V a 250µA | 44 NC a 4,5 V | ± 20V | 3765 pf @ 20 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP460PBF | - | | 3579 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 500 v | 20a (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 210 nc @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD033N06NATMA1 | 2.3300 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD033 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 90a, 10V | 3.3V @ 50µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 30 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STT5100N18P110XPSA1 | 2.0000 | | 5028 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 448-STT5100N18P110XPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL6372pbf | - | | 5176 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRL6372 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001568406 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8.1a | 17.9mohm @ 8.1a, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 11nc @ 4.5V | 1020pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AE6327 | 0,0400 | | 36 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.460 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC06D60AC6X1SA1 | - | | 3816 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC06D60 | Padrão | Serra Em Papel Alumínio | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,95 V @ 20 A | 27 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC11T60TEX7SA1 | - | | 8306 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | - | - | - | IGC11 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB80N06S2L11ATMA2 | 2.5200 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 55 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 10.7mohm @ 40a, 10V | 2V @ 93µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 2075 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR166 | 0,0200 | | 6550 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BCR16 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPU07N60C3BKMA1 | - | | 7731 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | SPU07N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3-21 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V A 350µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP045N10N3GHKSA1 | - | | 7501 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP045N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000457560 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 100a (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 3,5V a 150µA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 8410 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB212507SHV1R250XTMA1 | - | | 9114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | PTFB212507 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001015178 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD04N60C3ATMA1 | 1.9900 | | 9264 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SPD04N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4.5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | - | | 3542 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB90R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 900 v | 15a (TC) | 10V | 340mohm @ 9.2a, 10V | 3.5V @ 1Ma | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB80N08S406ATMA1 | - | | 7077 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 80 v | 80a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 80a, 10V | 4V A 90µA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP100N08S2L-07 | - | | 6925 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp100n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 75 v | 100a (TC) | 10V | 6.8mohm @ 68a, 10V | 2V A 250µA | 246 nc @ 10 V | ± 20V | 7130 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC007N04LS6SCATMA1 | 4.0000 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8 fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 48a (ta), 381a (tc) | 4.5V, 10V | 0,7mohm @ 50a, 10V | 2.3V A 250µA | 118 nc @ 10 V | ± 20V | 8400 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSD816SNL6327 | - | | 3499 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 2 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT363-6-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 20 v | 1.4a (ta) | 1.8V, 2,5V | 160mohm @ 1.4a, 2.5V | 950mv @ 3.7µA | 0,6 nc @ 2,5 V | ± 8V | 180 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BBY5305WE6327 | 0,1200 | | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 3.1pf @ 3V, 1MHz | 1 par cátodo comum | 6 v | 2.6 | C1/C3 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2518pbf | - | | 6904 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | - | 94-2518 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16W | 0,0200 | | 207 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | BC817 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | 3.3300 | | 3685 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | ISC007N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8 fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 48a (ta), 381a (tc) | 6V, 10V | 0,7mohm @ 50a, 10V | 2.8V @ 1.05mA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 8400 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH7934TR2PBF | - | | 2412 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 v | 24a (ta), 76a (tc) | 3.5mohm @ 24a, 10V | 2.35V @ 50µA | 30 NC a 4,5 V | 3100 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC882N03LSG | - | | 3996 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 3 m | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-6 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 34 v | - | 10V | 4.2mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | ± 20V | 3700 pf @ 15 V | - | - |
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