SIC
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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IPP80P04P405AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1111 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000652622 Ear99 8541.29.0095 500 Canal P. 40 v 80a (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 151 nc @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
PTFB082817FHV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB082817FHV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 9138 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada 821MHz LDMOS H-34288-4/2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000891180 Obsoleto 0000.00.0000 35 - 2.15 a 60W 19.3db - 28 v
SIDC14D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC14D60F6X1SA3 -
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 ECAD 2963 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Morrer SIDC14D60 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 45 A 27 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 45a -
IDH05G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH05G65C5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 8461 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 IDH05G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 170 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 160pf @ 1V, 1MHz
IRG4RC10KTRR Infineon Technologies IRG4RC10KTRR -
RFQ
 ECAD 6736 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRG4RC10K Padrão 38 w D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 480V, 5A, 100OHM, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (ON), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
AIDW20S65C5XKSA1 Infineon Technologies AIDW20S65C5XKSA1 5.5332
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 ECAD 6411 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q100/101, Coolsic ™ Tubo Última Vez compra Através do buraco To-247-3 AIDW20 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 120 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 20a 584pf @ 1V, 1MHz
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1 2.1500
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 ECAD 8105 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB35N10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 35a (TC) 4.5V, 10V 26.3mohm @ 35a, 10V 2.4V @ 39µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 71W (TC)
IRLZ24NSTRL Infineon Technologies Irlz24nstrl -
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 ECAD 5494 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 18a (TC) 4V, 10V 60mohm @ 11a, 10V 2V A 250µA 15 nc @ 5 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRF7233TR Infineon Technologies IRF7233TR -
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 ECAD 6172 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 12 v 9.5a (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 9.5a, 4.5V 600mv @ 250µA (min) 74 NC @ 5 V ± 12V 6000 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
AIDW12S65C5XKSA1 Infineon Technologies AIDW12S65C5XKSA1 3.1292
RFQ
 ECAD 8315 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q100/101, Coolsic ™ Tubo Última Vez compra Através do buraco To-247-3 AIDW12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 12 A 0 ns 70 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C. 12a 363pf @ 1V, 1MHz
IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies IPP020N08N5AKSA1 6.2400
RFQ
 ECAD 494 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 280µA 223 NC @ 10 V ± 20V 16900 pf @ 40 V - 375W (TC)
SMBT 3904U E6327 Infineon Technologies SMBT 3904U E6327 -
RFQ
 ECAD 1353 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 SMBT 3904 330mw PG-SC74-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200Ma 50na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies IPB45N06S3-16 -
RFQ
 ECAD 5970 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB45N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 45a (TC) 10V 15.4mohm @ 23a, 10V 4V @ 30µA 57 nc @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 65W (TC)
SIGC57T120R3LEX1SA3 Infineon Technologies SIGC57T120R3LEX1SA3 -
RFQ
 ECAD 9492 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície Morrer SIGC57 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo da Trinceira 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A - -
IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1346 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 9.1mohm @ 50a, 10V 4V A 125µA 80 nc @ 10 V ± 20V 2360 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRF5305L Infineon Technologies IRF5305L -
RFQ
 ECAD 9509 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF5305L Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 55 v 31a (TC) 10V 60mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R110CFD7ATMA1 6.0500
RFQ
 ECAD 5667 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 22a (TC) 10V 110mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 41 nc @ 10 V ± 20V 1942 pf @ 400 v - 114W (TC)
IDL06G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL06G65C5Xuma1 -
RFQ
 ECAD 9276 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície 4-Powertsfn IDL06G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000941310 Ear99 8541.10.0080 3.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 6 A 0 ns 110 µA @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 190pf @ 1V, 1MHz
BTS244Z E3062A Infineon Technologies BTS244Z E3062A -
RFQ
 ECAD 7272 0,00000000 Tecnologias Infineon Tempfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-5, D²PAK (4 leads + guia), to-263bb MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-5-62 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 35a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 nc @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de detecção de temperatura 170W (TC)
IRFP4568PBF Infineon Technologies IRFP4568PBF 8.2900
RFQ
 ECAD 9820 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRFP4568 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001560548 Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 150 v 171a (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10V 5V A 250µA 227 NC @ 10 V ± 30V 10470 PF @ 50 V - 517W (TC)
BCX5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5310H6327XTSA1 0,1920
RFQ
 ECAD 4952 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX5310 2 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 125MHz
IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies IPD19DP10NMATMA1 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD19D MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 2.6a (ta), 13.7a (tc) 10V 186mohm @ 12a, 10V 4V @ 1.04MA 45 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 3W (TA), 83W (TC)
IRL3302STRL Infineon Technologies IRL3302STRL -
RFQ
 ECAD 8120 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 39a (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7V 700mv @ 250µA (min) 31 NC a 4,5 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 57W (TC)
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC200P03LSgauma1 -
RFQ
 ECAD 1921 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 9.9a (ta), 12.5a (TC) 10V 20mohm @ 12.5a, 10V 2.2V @ 100µA 48,5 nc @ 10 V ± 25V 2430 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 63W (TC)
IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDH20G120C5XKSA1 12.9500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 IDH20G120 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 20 A 0 ns 123 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 56a 1050pf @ 1V, 1MHz
FZ1200R45HL3BPSA1 Infineon Technologies FZ1200R45HL3BPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ1200 15000 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Switch Único Parada de Campo da Trinceira 4500 v 1200 a 2.8V @ 15V, 1200A 5 MA Não 280 NF @ 25 V
BSC106N025S G Infineon Technologies BSC106N025S g -
RFQ
 ECAD 6782 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 13a (ta), 30a (tc) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1370 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 43W (TC)
IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies IRFH7932TR2PBF -
RFQ
 ECAD 4762 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pqfn (5x6) dado único download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 30 v 24a (ta), 104a (tc) 3.3mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µA 51 nc @ 4,5 V 4270 pf @ 15 V - 3.4W (TA)
SMBT 3904 B5003 Infineon Technologies SMBT 3904 B5003 -
RFQ
 ECAD 7899 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMBT 3904 330 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
IPD06P002NATMA1 Infineon Technologies IPD06P002NATMA1 -
RFQ
 ECAD 8932 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD06P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001659626 Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 35a (TC) 10V 38mohm @ 35a, 10V 4V @ 1.7MA 63 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 30 V - 125W (TC)
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