SIC
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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S203ATMA1 -
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 ECAD 5720 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB160N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 160A (TC) 10V 2.9mohm @ 60a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
BCW60BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60BE6327HTSA1 0,0666
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 ECAD 48 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na (ICBO) Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 180 @ 2MA, 5V 250MHz
IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL04G65C5Xuma2 2.8000
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 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 4-Powertsfn IDL04G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 4 a 0 ns 70 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 130pf @ 1V, 1MHz
IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF 1.6600
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 ECAD 36 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR1018 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 60 v 56a (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10V 4V @ 100µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 50 V - 110W (TC)
64-2082PBF Infineon Technologies 64-2082pbf -
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 ECAD 5191 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 -
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1 -
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 ECAD 5621 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB160N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 230 NC @ 5 V ± 20V 6000 pf @ 15 V - 300W (TC)
IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1 1.7600
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 ECAD 5357 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-powervdfn IPG20N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 60W PG-TDSON-8-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) 100V 20a 22mohm @ 17a, 10V 2.1V @ 25µA 27NC @ 10V 1755pf @ 25V Portão de Nível Lógico
BSS138W L6433 Infineon Technologies BSS138W L6433 -
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 ECAD 4984 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 60 v 280mA (TA) 4.5V, 10V 3.5OHM @ 220MA, 10V 1.4V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 43 pf @ 25 V - 500mW (TA)
IRFR3410PBF Infineon Technologies IRFR3410PBF -
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 ECAD 3977 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 100 v 31a (TC) 10V 39mohm @ 18a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 3W (TA), 110W (TC)
AUIRF1010ZS Infineon Technologies AUIRF1010ZS -
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 ECAD 3773 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001519530 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
SPW11N60S5FKSA1 Infineon Technologies Spw11n60s5fksa1 -
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 ECAD 4654 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Spw11n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 N-canal 600 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 500µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1460 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRF1404ZPBF 1.8600
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 ECAD 6351 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF1404 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 40 v 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 25 V - 200W (TC)
IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies IPQC60R017S7XTMA1 18.4700
RFQ
 ECAD 1879 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ S7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módulo 22-powerBsop MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22 - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 750 N-canal 600 v 30a (TC) 12V 17mohm @ 29a, 12v 4.5V @ 1.89MA 196 NC @ 12 V ± 20V 7370 pf @ 300 v - 500W (TC)
IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1 6.2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB027 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 120A (TC) 6V, 10V 2.7mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 184µA 139 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 50 V - 250W (TC)
SPB07N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB07N60S5ATMA1 -
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 ECAD 5043 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb07n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5,5V A 350µA 35 nc @ 10 V ± 20V 970 pf @ 25 V - 83W (TC)
SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies SGB30N60ATMA1 -
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 ECAD 2230 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SGB30 Padrão 250 w PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 400V, 30a, 11ohm, 15V NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1,29mj 140 NC 44NS/291NS
IRF3007SPBF Infineon Technologies IRF3007SPBF -
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 ECAD 3100 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF3007 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 62a (TC) 10V 12.6mohm @ 48a, 10V 4V A 250µA 130 nc @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 120W (TC)
IRFHM830DTRPBF Infineon Technologies Irfhm830dtrpbf -
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 ECAD 5874 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Pad Exposto de 8-VQFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PQFN (3x3) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001554840 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 20A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1797 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 37W (TC)
IRFR9N20DTR Infineon Technologies IRFR9N20DTR -
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 ECAD 6691 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 200 v 9.4a (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5,5V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 25 V - 86W (TC)
PTFA241301E V1 Infineon Technologies PTFA241301E V1 -
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 ECAD 8542 0,00000000 Tecnologias Infineon Goldmos® Bandeja Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barra 2,42 GHz LDMOS H-30260-2 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 35 10µA 1.15 a 130W 14dB - 28 v
BB857H7902XTSA1 Infineon Technologies BB857H7902XTSA1 -
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 ECAD 2845 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-80 BB857 SCD-80 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 0,52pf @ 28V, 1MHz Solteiro 30 v 12.7 C1/C28 -
BG3430RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3430RH6327XTSA1 -
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 ECAD 9448 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 v Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 25Ma 14 MA - 25dB 1.3dB 5 v
IRLR3717TRRPBF Infineon Technologies IRLR3717TRRPBF -
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 ECAD 8867 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001569116 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 31 NC a 4,5 V ± 20V 2830 pf @ 10 V - 89W (TC)
IRFU6215 Infineon Technologies IRFU6215 -
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 ECAD 6729 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFU6215 Ear99 8541.29.0095 75 Canal P. 150 v 13a (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 66 nc @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R750P7ATMA1 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD80R750 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 7a (TC) 10V 750mohm @ 2.7a, 10V 3,5V A 140µA 17 NC @ 10 V ± 20V 460 pf @ 500 V - 51W (TC)
IPD49CN10N G Infineon Technologies Ipd49cn10n g -
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 ECAD 5395 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD49C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 20a (TC) 10V 49mohm @ 20a, 10V 4V @ 20µA 16 nc @ 10 V ± 20V 1090 pf @ 50 V - 44W (TC)
F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HPB76BPSA1 152.9700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo F417MR12 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30
FS75R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies FS75R12W2T4BOMA1 80.2600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS75R12 375 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 PONTE CONCLUTA Parada de Campo da Trinceira 1200 v 107 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA Sim 4.3 NF @ 25 V
IRFH5207TRPBF Infineon Technologies IRFH5207TRPBF -
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 ECAD 1099 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001564058 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 75 v 13a (ta), 71a (tc) 10V 9.6mohm @ 43a, 10V 4V @ 100µA 59 NC @ 10 V ± 20V 2474 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 105W (TC)
IPI14N03LA Infineon Technologies IPI14N03LA -
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 ECAD 5647 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI14N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 25 v 30a (TC) 4.5V, 10V 13.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 V ± 20V 1043 pf @ 15 V - 46W (TC)
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