SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET ATUAL - MÁX Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Resistência @ se, f Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
ECAD 1128 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™, Trenchstop ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo F3L200 20 mw Padrão Ag-Easy2b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor de três níveis Parada de Campo da Trinceira 650 v 95 a 1.38V @ 15V, 100A 1 MA Sim 14.3 NF @ 25 V
BBY57-02VH6327 Infineon Technologies BBY57-02VH6327 1.0000
RFQ
ECAD 6401 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem NA Superfície SC-79, SOD-523 PG-SC79-2-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 5.5pf @ 4V, 1MHz Solteiro 10 v 3.7 C1/C4 -
IPI22N03S4L-15 Infineon Technologies IPI22N03S4L-15 0,2400
RFQ
ECAD 3307 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 897 N-canal 30 v 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10V 2.2V @ 10µA 14 nc @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
SPB10N10LG Infineon Technologies Spb10n10lg 0,4200
RFQ
ECAD 993 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 10.3a (TC) 10V 154mohm @ 8.1a, 10V 2V @ 21µA 22 NC @ 10 V ± 20V 444 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPI65R190C Infineon Technologies IPI65R190C 2.0000
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 650 v 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3,5V a 730µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 PF @ 100 V - 151W (TC)
SIPC19N80C3 Infineon Technologies SIPC19N80C3 -
RFQ
ECAD 9533 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0040 1
BCP69-16 Infineon Technologies BCP69-16 -
RFQ
ECAD 6851 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA 3 w PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 1V 100MHz
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 7.4600
RFQ
ECAD 592 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA IMBF170 Sicfet (Carboneto de Silício) PG-PARA263-7-13 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 1700 v 7.4a (TC) 12V, 15V 650mohm @ 1.5a, 15V 5.7V @ 1.7MA 8 nc @ 12 V +20V, -10V 422 pf @ 1000 V - 88W (TC)
IRFCZ44VB Infineon Technologies IRFCZ44VB -
RFQ
ECAD 9434 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Volume Obsoleto - Montagem NA Superfície Morrer MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Morrer - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 448-IRFCZ44VB Obsoleto 1 - 60 v 55a 10V 16.5mohm @ 55a, 10V - - - -
BSS7728NH6327 Infineon Technologies BSS7728NH6327 -
RFQ
ECAD 9911 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23-3-5 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 60 v 200Ma (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500mA, 10V 2.3V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 56 pf @ 25 V - 360MW (TA)
SPP08N80C3 Infineon Technologies Spp08n80c3 1.0000
RFQ
ECAD 1057 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 800 v 8a (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 104W (TC)
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies IAUS260N10S5N019TATMA1 7.6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Módulo de 16-Powersop MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDSOP-16-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 v 260a (TJ) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3,8V A 210µA 166 NC @ 10 V ± 20V 11830 pf @ 50 V - 300W (TC)
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 132.7200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão Ag-Easy1b-1 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 24 1,85 V @ 60 A 174 µA A 1200 V 60 a Fase Única 1,2 kV
IPC26N10NRX1SA1 Infineon Technologies IPC26N10NRX1SA1 -
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ECAD 1997 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IPC26N download Obsoleto 1
IPQC65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPQC65R040CFD7XTMA1 7.4950
RFQ
ECAD 3363 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Módulo 22-powerBsop IPDQ65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 750 N-canal 650 v 64a (TC) 10V 40mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24MA 97 nc @ 10 V ± 20V 4975 PF @ 400 V - 357W (TC)
FF100R12YT3B60BOMA1 Infineon Technologies FF100R12YT3B60BOMA1 52.0000
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 1650 w Padrão - - 2156-FF100R12YT3B60BOMA1 6 Meia Ponte Trincheira 1200 v 140 a 2.15V @ 15V, 100A 3 MA Sim 18.5 NF @ 25 V
IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD122 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 59a (TC) 6V, 10V 12.2mohm @ 46a, 10V 3,5V a 46µA 35 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 94W (TC)
AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies AIGW50N65H5XKSA1 7.7800
RFQ
ECAD 3081 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AIGW50 Padrão 270 w PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12OHM, 15V Trincheira 650 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 140µJ (Off) 1018 NC 21ns/156ns
IMT65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R107M1HXTMA1 -
RFQ
ECAD 8797 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic IMT65R - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 2.000
IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R080CFD7XTMA1 3.3605
RFQ
ECAD 6407 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem NA Superfície 8-POWERSFN - PG-HSOF-8-3 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 - 650 v - - - - - - -
ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC030N12NM6ATMA1 5.5400
RFQ
ECAD 1581 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn ISC030N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tson-8-3 - 1 (ilimito) 5.000 N-canal 120 v 21a (TA), 194a (TC) 8V, 10V 3.04mohm @ 50a, 10V 3.6V A 141µA 74 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 60 V - 3W (TA), 250W (TC)
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies SGP15N60XKSA1 -
RFQ
ECAD 3718 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP15N Padrão 139 w PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 400V, 15A, 21OHM, 15V NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15A 570µJ 76 NC 32ns/234ns
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies IPC70N04S54R6ATMA1 1.1000
RFQ
ECAD 4360 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn IPC70N04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 70A (TC) 7V, 10V 4.6mohm @ 35a, 10V 3.4V @ 17µA 24,2 nc @ 10 V ± 20V 1430 PF @ 25 V - 50W (TC)
IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R180P7ATMA1 2.7400
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 18a (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V A 280µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 400 V - 72W (TC)
BAR6405E6327HTSA1 Infineon Technologies Bar6405e6327htsa1 0,3600
RFQ
ECAD 4739 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bar6405 PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 250 MW 0,35pf @ 20V, 1MHz Pin - 1 par cátodo comum 150V 1.35OHM @ 100MA, 100MHz
ISC240P06LMATMA1 Infineon Technologies ISC240P06LMATMA1 2.7800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo ISC240P06 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB013N06NF2SATMA1 3.9600
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB013 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 40A (TA), 198A (TC) 6V, 10V 1.3mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 246µA 305 nc @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
ISK036N03LM5AUSA1 Infineon Technologies ISK036N03LM5AUSA1 0,4339
RFQ
ECAD 3873 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-Powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-VSON-6-1 download ROHS3 Compatível 448-UK036N03LM5AUSA1TR 3.000 N-canal 30 v 16.5a (ta), 81a (tc) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10V 2V A 250µA 21,5 nc @ 10 V ± 16V 1400 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 39W (TC)
IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA2 1.5955
RFQ
ECAD 1321 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R225 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 NC A 10 V ± 20V 996 PF @ 400 V - 63W (TC)
SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies Spp08p06phxksa1 -
RFQ
ECAD 5450 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp08p MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 Canal P. 60 v 8.8a (TC) 10V 300mohm @ 6.2a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 420 pf @ 25 V - 42W (TC)
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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