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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - MÁX Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Resistência @ se, f Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
BA 892 E6327 Infineon Technologies BA 892 E6327 -
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 ECAD 6858 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) SC-80 BA 892 SCD-80 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 1.1pf @ 3V, 1MHz Padrão - Único 35V 500mohm @ 10ma, 100MHz
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies IRLML6302TRPBF 0,5600
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 ECAD 282 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML6302 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro3 ™/SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 780mA (TA) 2.7V, 4.5V 600mohm @ 610mA, 4,5V 1,5V a 250µA 3,6 nc @ 4,45 V ± 12V 97 pf @ 15 V - 540MW (TA)
AUIRFS3107 Infineon Technologies AUIRFS3107 -
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 ECAD 1294 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001522294 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 195a (TC) 10V 3mohm @ 140a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 9370 PF @ 50 V - 370W (TC)
PTFC210202FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTFC210202FCV1XWSA1 -
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 ECAD 6828 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Descontinuado no sic 65 v Montagem do chassi H-37248-4 2.2 GHz LDMOS H-37248-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001096308 Ear99 8541.29.0095 50 Dual - 170 MA 5W 21dB - 28 v
FS450R17KE4BOSA1 Infineon Technologies FS450R17KE4BOSA1 1.0000
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 ECAD 6852 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™+ Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS450R17 2500 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4 PONTE CONCLUTA Parada de Campo da Trinceira 1700 v 600 a 2.3V @ 15V, 450A 3 MA Sim 36 NF @ 25 V
IKW50N60TA Infineon Technologies IKW50N60TA -
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 ECAD 7410 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 333 w PG-PARA247-3-41 download Ear99 8542.39.0001 1 400V, 50A, 7OHM, 15V 143 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 80 a 150 a 2V @ 15V, 50A 1,2MJ (ON), 1,4MJ (Desligado) 310 NC 26ns/299ns
IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies IRG4PSC71UDPBF -
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 ECAD 2444 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-274AA Padrão 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 480V, 60A, 5OHM, 15V 82 ns - 600 v 85 a 200 a 2V @ 15V, 60a 3,26MJ (ON), 2,27MJ (Desligado) 340 NC 90ns/245ns
IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA1 -
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 ECAD 8960 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 50a (TC) 10V 14.4mohm @ 32a, 10V 4V @ 80µA 52 NC @ 10 V ± 20V 1485 pf @ 25 V - 136W (TC)
BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR360FH6327XTSA1 0,5000
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 ECAD 68 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-723 BFR360 210MW PG-TSFP-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 15.5dB 9V 35mA Npn 90 @ 15MA, 3V 14GHz 1db @ 1.8GHz
IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD068N10N3GATMA1 2.7500
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 ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD068 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 90A (TC) 6V, 10V 6.8mohm @ 90a, 10V 3,5V a 90µA 68 nc @ 10 V ± 20V 4910 PF @ 50 V - 150W (TC)
IKQ100N60TAXKSA1 Infineon Technologies Ikq100n60taxksa1 10.2954
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 ECAD 2171 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKQ100 Padrão 714 w PG-PARA247-3-46 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001144016 Ear99 8541.29.0095 240 400V, 100A, 3,6OHM, 15V 225 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 160 a 400 a 2V @ 15V, 100A 3,1MJ (ON), 2,5MJ (Desligado) 610 NC 30ns/290ns
D471N85TXPSA1 Infineon Technologies D471N85TXPSA1 -
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 ECAD 8864 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do chassi Do-200ab, B-Puk D471N85 Padrão - download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 8500 v 3,2 V @ 1200 A 50 mA @ 8500 V -40 ° C ~ 160 ° C. 760a -
IPI80N06S208AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S208AKSA1 -
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 ECAD 5550 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V A 150µA 96 nc @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
AUIRF4905STRL Infineon Technologies AUIRF4905STRL 6.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab AUIRF4905 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 55 v 42a (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V A 250µA 180 nc @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF6626 Infineon Technologies IRF6626 -
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 ECAD 7081 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ ISOMÉTRICO ST MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ st download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 v 16a (ta), 72a (tc) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10V 2,35V a 250µA 29 NC a 4,5 V ± 20V 2380 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRG4PC30FDPBF Infineon Technologies IRG4PC30FDPBF -
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 ECAD 8870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PC30 Padrão 100 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 480V, 17a, 23ohm, 15v 42 ns - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 630µJ (ON), 1,39MJ (OFF) 51 NC 42ns/230ns
IRLR3114ZPBF Infineon Technologies IRLR3114ZPBF -
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 ECAD 8968 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001568538 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 42a (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µA 56 nc @ 4,5 V ± 16V 3810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRLR3715TRLPBF Infineon Technologies IRLR3715TRLPBF -
RFQ
 ECAD 9842 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IPP086N10N3G Infineon Technologies IPP086N10N3G 0,5200
RFQ
 ECAD 3879 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Ear99 8542.39.0001 150 N-canal 100 v 80a (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3,5V a 75µA 55 nc @ 10 V ± 20V 3980 PF @ 50 V - 125W (TC)
PTFA041501GL V1 Infineon Technologies PTFA041501GL V1 -
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 ECAD 8709 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barra PTFA041501 470MHz LDMOS PG-63248-2 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 1µA 900 MA 150W 21dB - 28 v
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1 -
RFQ
 ECAD 7968 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB031 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 75 v 100a (TC) 10V 3.1mohm @ 100a, 10V 3,8V a 155µA 117 nc @ 10 V ± 20V 8130 pf @ 37,5 V - 214W (TC)
IRF5804TRPBF Infineon Technologies IRF5804TRPBF -
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 ECAD 9989 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (TSOP-6) download 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 40 v 2.5a (ta) 4.5V, 10V 198MOHM @ 2.5A, 10V 3V A 250µA 8,5 nc @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 2W (TA)
FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HHPSA1 1.0000
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 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - Montagem do chassi Módlo Padrão AG-62MMHB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 2000 v - Não
BCR 198F E6327 Infineon Technologies BCR 198F E6327 -
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 ECAD 1306 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-723 BCR 198 250 MW PG-TSFP-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FP150R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies FP150R12KT4PB11BPSA1 400.6967
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 ECAD 9931 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP150R12 Retificador de Ponte Trifásica Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 150a 1 MA Sim 9,35 NF @ 25 V
BFR 181T E6327 Infineon Technologies BFR 181T E6327 -
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 ECAD 8231 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 BFR 181 175mw PG-SC-75 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 12V 20mA Npn 50 @ 5MA, 8V 8GHz 1,45dB ~ 1,8dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R145CFD7ATMA1 3.8500
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 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-4, DPAK (3 leads + guia) IPD60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK (TO-252) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 16a (TC) 10V 145mohm @ 6.8a, 10V 4.5V @ 340µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1330 PF @ 400 V - 83W (TC)
FS10R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies FS10R06VE3B2BOMA1 -
RFQ
 ECAD 7436 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS10R06 50 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 40 Inversor Trifásico - 600 v 16 a 2V @ 15V, 10A 1 MA Sim 550 pf @ 25 V
IRF8010STRRPBF Infineon Technologies IRF8010STRRPBF -
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 ECAD 8704 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 80a (TC) 10V 15mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 3830 pf @ 25 V - 260W (TC)
BCR 148T E6327 Infineon Technologies BCR 148T E6327 -
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 ECAD 2144 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 BCR 148 250 MW PG-SC-75 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 70 MA 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
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