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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IPD70P04P4L08ATMA1	1.7400	Solicitação de cotação	7769	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD70		MOSFET (óxido metálico)		PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	2.500	Canal P		40 V	70A (Tc)	4,5V, 10V	7,8mOhm a 70A, 10V	2,2 V a 120 µA	92 nC @ 10 V	±16V	5430 pF a 25 V	-	75W (Tc)
IRLS3034-7PPBF	-	Solicitação de cotação	3923	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	50	Canal N		40 V	240A (Tc)	4,5V, 10V	1,4mOhm a 200A, 10V	2,5 V a 250 µA	180 nC @ 4,5 V	±20V	10990 pF a 40 V	-	380W (Tc)
IHW30N160R2FKSA1	-	Solicitação de cotação	5073	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IHW30	padrão		312 W	PG-TO247-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	240		600V, 30A, 10Ohm, 15V											NPT, parada do campo de trincheira	1600 V	60A	90A	2,1V a 15V, 30A	4,37mJ	94nC	-/525ns
F3L11MR12W2M1HB19BPSA1	291.6200	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo									-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	15
SIGC42T120CQX1SA1	-	Solicitação de cotação	1358	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Morrer	SIGC42T120	padrão			Morrer	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	OBSOLETO		1		-											-	1200 V		75A	2,1V a 15V, 25A	-		-
IPD052N10NF2SATMA1	1.9900	Solicitação de cotação	8700	Tecnologias Infineon	ForteIRFET™ 2	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	2.000	Canal N		100V	17A (Ta), 118A (Tc)	6V, 10V	5,2mOhm a 70A, 10V	3,8 V a 84 µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF a 50 V	-	3W (Ta), 150W (Tc)