SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Tipo Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Velocidade Tipo FET Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Ganho Real Tensão Tensão - Isolamento Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Figura de ruído (dB Typ @ f)
FF600R12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4B11BPSA1 -
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ECAD 3520 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoDUAL™ 3 Volume Descontinuado na SIC -40°C ~ 150°C Montagem em chassi Módulo FF600R12 4050 W padrão Módulo download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independente Parada de campo de trincheira 1200 V 2,1V a 15V, 600A 3 mA Sim 37 nF a 25 V
FF600R12ME4CB11BOSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4CB11BOSA1 -
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ECAD 3323 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoDUAL™ 3 Volume Descontinuado na SIC -40°C ~ 150°C Montagem em chassi Módulo FF600R12 4050 W padrão Módulo download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independente Parada de campo de trincheira 1200 V 1060A 2,1V a 15V, 600A 3 mA Sim 37 nF a 25 V
IRL540NLPBF Infineon Technologies IRL540NLPBF -
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ECAD 2890 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PARA-262 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 100V 36A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 18A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 140 W (Tc)
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC146N10LS5ATMA1 1.9300
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ECAD 27 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™5 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSC146 MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 100V 44A (Tc) 4,5V, 10V 14,6mOhm a 22A, 10V 2,3 V a 23 µA 10 nC @ 4,5 V ±20V 1300 pF a 50 V - 2,5W (Ta), 52W (Tc)
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM15F60GAXKMA1 14.2700
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ECAD 320 0,00000000 Tecnologias Infineon CIPOS® Tubo Ativo Através do furo Módulo PowerDIP de 24 (1.028", 26,10 mm) IGBT IKCM15 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 14 3 Fase 15A 600V 2.000 Vrms
IPP03N03LB G Infineon Technologies IPP03N03LB G -
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ECAD 4680 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP03N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 30 V 80A (Tc) 4,5V, 10V 3,1mOhm a 55A, 10V 2V @ 100µA 59 nC @ 5 V ±20V 7624 pF a 15 V - 150W (Tc)
SGP30N60 Infineon Technologies SGP30N60 -
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ECAD 9277 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 SGP30N padrão 250W PARA-220AB download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 11Ohm, 15V TNP 600V 41A 112A 2,4V a 15V, 30A 1,29mJ 140nC 44ns/291ns
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKP28N65ES5XKSA1 4.0300
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ECAD 3434 0,00000000 Tecnologias Infineon TrincheiraStop™ 5 Tubo Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IKP28N65 padrão 130 W PG-TO220-3 download Compatível com ROHS3 Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 28A, 34Ohm, 15V 73 ns Parada de campo de trincheira 650 V 38A 90A 1,9V a 15V, 28A 530 µJ (ligado), 400 µJ (desligado) 50nC 27ns/184ns
IRG4BC20KDSTRRP Infineon Technologies IRG4BC20KDSTRRP -
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ECAD 5322 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IRG4BC20 padrão 60 W D2PAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 9A, 50Ohm, 15V 37 ns - 600V 16A 32A 2,8V a 15V, 9A 340 µJ (ligado), 300 µJ (desligado) 34nC 54ns/180ns
FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Infineon Technologies FDDF80R12W1H3B52BOMA1 27.6100
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ECAD 672 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
IM241S6S1JAUMA1 Infineon Technologies IM241S6S1JAUMA1 10.3800
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ECAD 341 0,00000000 Tecnologias Infineon IM241, CIPOS® Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície Módulo 23-PowerSMD, Asa de Gaivota IM241S6 9W padrão 23-POP download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Inversor Trifásico - 600V 1,78 V a 15 V, 500 mA Sim
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F48MR12W2M1HPB76BPSA1 152.6000
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ECAD 2058 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 18
AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies AIGB50N65F5ATMA1 5.0600
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ECAD 224 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Ativo - Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB AIGB50 padrão PG-TO263-3-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 - TNP 650 V 50A - - -
TD425N16KOFXPSA1 Infineon Technologies TD425N16KOFXPSA1 288.8050
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ECAD 8739 0,00000000 Tecnologias Infineon DT Bandeja Ativo 125°C (TJ) Montagem em chassi Módulo Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 448-TD425N16KOFXPSA1 EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 1,6kV 800A 1,5 V 14500A a 50Hz 250 mA 471A 1 SCR, 1 Diodo
IDD12SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD12SG60CXTMA1 -
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ECAD 9536 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolSiC™+ Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IDD12SG60 SiC (carboneto de silício) Schottky PG-TO252-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 600V 2,1 V a 12 A 0 ns 100 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 12A 310pF @ 1V, 1MHz
AUIRFS4310Z Infineon Technologies AUIRFS4310Z -
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ECAD 1353 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4 V a 150 µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF a 50 V - 250W (Tc)
IRF3415STRR Infineon Technologies IRF3415STRR -
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ECAD 7612 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4 V a 250 µA 200 nC @ 10 V ±20V 2.400 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies IRLTS6342TRPBF 0,5300
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ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 IRLTS6342 MOSFET (óxido metálico) 6-TSOP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 8,3A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 17,5mOhm @ 8,3A, 4,5V 1,1 V a 10 µA 11 nC @ 4,5 V ±12V 1010 pF a 25 V - 2W (Ta)
DDB6U134N16RRB38BPSA1 Infineon Technologies DDB6U134N16RRB38BPSA1 125.9473
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ECAD 8138 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo 150°C (TJ) Montagem em chassi Módulo 500 W padrão AG-ECONO2B - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 15 Helicóptero Único - 1200 V 70A 2,75V a 15V, 70A 500 µA Sim 5,1 nF a 25 V
BFP 740FESD E6327 Infineon Technologies BFP 740FESD E6327 -
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ECAD 7764 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-SMD, cabos planos BFP 740 160mW 4-TSFP download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000 9db ~ 31db 4,7 V 45mA NPN 160 @ 25mA, 3V 47GHz 0,5dB ~ 1,45dB @ 150MHz ~ 10GHz
BAL99 Infineon Technologies BAL99 -
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ECAD 3268 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 padrão SOT23-3 (TO-236) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 8.959 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 80 V 1,25 V a 150 mA 4 ns 1 µA a 70 V 150°C (máx.) 250mA 1,5 pF a 0 V, 1 MHz
FS215R04A1E3DBOMA1 Infineon Technologies FS215R04A1E3DBOMA1 -
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ECAD 3742 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Descontinuado na SIC download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 16
IPP11N03LA Infineon Technologies IPP11N03LA -
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ECAD 2288 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IP11N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 25 V 30A (Tc) 4,5V, 10V 11,5mOhm a 30A, 10V 2V @ 20µA 11 nC @ 5 V ±20V 1358 pF a 15 V - 52W (Tc)
T590N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T590N16TOFXPSA1 140.6000
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ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi DO-200AB, B-PUK T590N16 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 6 300 mA 1,8 kV 1250A 2,2 V 9400A a 50Hz 250 mA 590A 1 SCR
TT310N22KOFHPSA1 Infineon Technologies TT310N22KOFHPSA1 -
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ECAD 4311 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TT310N Conexão em série - Todos os SCRs download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2kV 700A 1,5 V 10000A a 50Hz 250 mA 446A 2 SCRs
BC857CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC857CWH6327XTSA1 0,0558
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ECAD 2228 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Última compra 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 BC857 250 mW PG-SOT323 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IRLU7821 Infineon Technologies IRLU7821 -
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ECAD 4216 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) I-PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 30 V 65A (Tc) 4,5V, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 1V @ 250µA 14 nC @ 4,5 V ±20V 1030 pF a 15 V - 75W (Tc)
SPP07N65C3IN Infineon Technologies SPP07N65C3IN 1.0000
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ECAD 6317 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 650 V 7,3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4,6A, 10V 3,9 V a 350 µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF a 25 V - 83W (Tc)
T300N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T300N16TOFXPSA1 -
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ECAD 7870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi PARA-200AA T300N16 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 18 200 mA 1,8 kV 400A 2V 3800A a 50Hz 150 mA 303A 1 SCR
TT162N08KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N08KOFKHPSA1 -
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ECAD 2091 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TT162N Cátodo Comum - Todos os SCRs download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 8 200 mA 800V 2V 5200A a 50Hz 150 mA 162A 2 SCRs
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque