SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
BCW61C Infineon Technologies BCW61C 1.0000
RFQ
ECAD 3200 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na (ICBO) Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 100MHz
BCR196TE6327 Infineon Technologies BCR196TE6327 0,0200
RFQ
ECAD 7689 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR196 200 MW PG-SOT23-3-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 70 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150 MHz 47 Kohms 22 Kohms
BAS70-04WE6327 Infineon Technologies BAS70-04WE6327 0,2400
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky PG-SOT323-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 70 v 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150 ° C.
AUXVNGP4062D-E Infineon Technologies AUXVNGP4062D-E -
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ECAD 5730 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto AUXVNGP4062 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRFH6200TRPBF Infineon Technologies IRFH6200TRPBF 2.0700
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ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IRFH6200 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 v 49A (TA), 100A (TC) 2.5V, 10V 0,95mohm @ 50a, 10V 1.1V @ 150µA 230 NC a 4,5 V ± 12V 10890 pf @ 10 V - 3.6W (TA), 156W (TC)
IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies IPA80R900P7XKSA1 1.7200
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ECAD 2289 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA80R900 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 6a (TC) 10V 900mohm @ 2.2a, 10V 3,5V A 110µA 15 nc @ 10 V ± 20V 350 pf @ 500 V - 26W (TC)
SPP80N10L Infineon Technologies Spp80n10l -
RFQ
ECAD 2547 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 80a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2Ma 240 nc @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRL3102STRLPBF Infineon Technologies IRL3102STRLPBF -
RFQ
ECAD 5395 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 61a (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7V 700mv @ 250µA (min) 58 NC a 4,5 V ± 10V 2500 pf @ 15 V - 89W (TC)
IPP65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R190CFDXKSA1 2.5301
RFQ
ECAD 5739 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Última Vez compra -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP65R190 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V a 730µA 68 nc @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 151W (TC)
DD350N12K-K Infineon Technologies DD350N12K-K 162.8600
RFQ
ECAD 162 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 350a 1,28 V @ 1000 A 30 mA a 1200 V 150 ° C.
IRAMS10UP60A Infineon Technologies IRAMS10UP60A -
RFQ
ECAD 8338 0,00000000 Tecnologias Infineon IMOTION ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 23-Powersip, 19 leads, Formou Leads IGBT download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 80 3 fase 10 a 600 v 2000Vrms
BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1 0,9800
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC032 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 22a (ta), 84a (tc) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 12 V - 2.8W (TA), 78W (TC)
T2480N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2480N22TOFVTXPSA1 -
RFQ
ECAD 4737 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi DO-200AE T2480N Solteiro download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 1 300 mA 2,8 kV 5100 a 2,5 v 47500A @ 50Hz 250 Ma 2490 a 1 scr
SPB03N60C3E3045 Infineon Technologies SPB03N60C3E3045 0,2900
RFQ
ECAD 4647 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 750 N-canal 600 v 3.2a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 3,9V A 135µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 38W (TC)
IHW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IHW30N100TFKSA1 -
RFQ
ECAD 3210 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 412 w PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 600V, 30A, 15OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1000 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V, 30A 1.6MJ (Desligado) 217 NC 35ns/546ns
IRFH8325TR2PBF Infineon Technologies IRFH8325TR2PBF -
RFQ
ECAD 6426 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PQFN (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 30 v 21a (ta), 82a (tc) 5mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 32 NC @ 10 V 2487 pf @ 10 V -
IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R045CFD7XTMA1 11.9000
RFQ
ECAD 9677 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN IPT60R045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 600 v 52a (TC) 10V 45mohm @ 18a, 10V 4.5V A 900µA 79 NC @ 10 V ± 20V 3194 pf @ 400 V - 270W (TC)
AUIRF7379Q Infineon Technologies AUIRF7379Q -
RFQ
ECAD 4312 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) AUIRF7379 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-SOIC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001518462 Ear99 8541.29.0095 95 N E P-Canal 30V 5.8a, 4.3a 45mohm @ 5.8a, 10V 3V A 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V Portão de Nível Lógico
DF225R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies DF225R12W2H3FB11BPSA1 80.8700
RFQ
ECAD 1064 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15
FS35R12KE3GBPSA1 Infineon Technologies FS35R12KE3GBPSA1 109.1653
RFQ
ECAD 2376 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS35R12 200 w Padrão Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor de Ponte Conclua - 1200 v 55 a 2.15V @ 15V, 35A 5 MA Sim 2.5 NF @ 25 V
IRFC4568EF Infineon Technologies IRFC4568EF -
RFQ
ECAD 5595 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1 -
BSS209PW L6327 Infineon Technologies BSS209PW L6327 -
RFQ
ECAD 2295 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 580mA (TA) 2.5V, 4.5V 550mohm @ 580mA, 4.5V 1,2V a 3,5µA 1,38 nc @ 4,5 V ± 12V 89,9 pf @ 15 V - 300mW (TA)
IRG4BH20K-LPBF Infineon Technologies IRG4BH20K-LPBF -
RFQ
ECAD 4537 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IRG4BH20 Padrão 60 w To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 960V, 5A, 50OHM, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (ON), 440µJ (Off) 28 NC 23ns/93ns
IRG7PH50UPBF Infineon Technologies IRG7PH50UPBF -
RFQ
ECAD 4471 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG7PH Padrão 556 w TO-247AC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001541698 Ear99 8541.29.0095 25 600V, 50A, 5OHM, 15V Trincheira 1200 v 140 a 150 a 2V @ 15V, 50A 3,6MJ (ON), 2,2MJ (Desligado) 290 NC 35ns/430ns
PSDC412E11228049NOSA1 Infineon Technologies PSDC412E11228049NOSA1 -
RFQ
ECAD 8208 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto PSDC412 - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1
IRG4PH40UDPBF Infineon Technologies IRG4PH40UDPBF -
RFQ
ECAD 6465 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 160 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 800V, 21A, 10OHM, 15V 63 ns - 1200 v 41 a 82 a 3.1V @ 15V, 21a 1,8MJ (ON), 1,93MJ (Desligado) 86 NC 46ns/97ns
IRG4PC50SPBF Infineon Technologies IRG4PC50SPBF -
RFQ
ECAD 3340 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PC50 Padrão 200 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 480V, 41A, 5OHM, 15V - 600 v 70 a 140 a 1.36V @ 15V, 41a 720µJ (ON), 8,27MJ (Desligado) 180 NC 33ns/650ns
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies IAUC60N06S5L073ATMA1 0,4435
RFQ
ECAD 8870 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TDSON-8-33 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 60a (TJ) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 19µA 22,6 nc @ 10 V ± 16V 1655 pf @ 30 V - 52W (TC)
2SP0320T2A0FF1000NPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A0FF1000NPSA1 -
RFQ
ECAD 8512 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto - Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 1
IM818MCCXKMA1 Infineon Technologies IM818MCCXKMA1 45.7400
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ECAD 555 0,00000000 Tecnologias Infineon IM818-SCC Tubo Ativo Através do buraco Módlo de 24-Powerdip (1.205 ", 30,60mm) IGBT IM818 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 14 Inversor de três fases 16 a 1,2 kV 2500VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque