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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Tipo	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Estrutura	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Real	Tensão	Tensão - Isolamento	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Número de SCRs, Diodos	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
SIGC42T120CQX1SA1	-	Solicitação de cotação	1358	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Morrer		SIGC42T120	padrão					Morrer	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		OBSOLETO		1					-																														-	1200 V		75A	2,1V a 15V, 25A	-		-
IHW30N160R2FKSA1	-	Solicitação de cotação	5073	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		IHW30	padrão		312 W			PG-TO247-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	240					600V, 30A, 10Ohm, 15V																														NPT, parada do campo de trincheira	1600 V	60A	90A	2,1V a 15V, 30A	4,37mJ	94nC	-/525ns
IRL3705NL	-	Solicitação de cotação	3780	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (óxido metálico)				PARA-262	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRL3705NL	EAR99	8541.29.0095	50			Canal N						55V	89A (Tc)	4V, 10V	10mOhm @ 46A, 10V	2V @ 250µA	98 nC @ 5 V	±16V	3600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 170 W (Tc)
DF75R12W1H4FB11BOMA2	99.2950	Solicitação de cotação	8967	Tecnologias Infineon	EasyPACK®	Bandeja	Última compra	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo		DF75R12			20 mW		padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	24	Inversor Trifásico																																		-	1200 V	25A		2,65V a 15V, 25A				1mA	Sim	2 nF a 25 V
IRF7807A	-	Solicitação de cotação	1942	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)				MOSFET (óxido metálico)				8-SO	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRF7807A	EAR99	8541.29.0095	95			Canal N						30 V	8,3A (Ta)	4,5V	25mOhm @ 7A, 4,5V	1V @ 250µA	17 nC @ 5 V	±12V		-	2,5W (Ta)
FF225R65T3E3P2BPSA1	1.0000	Solicitação de cotação	2499	Tecnologias Infineon	XHP™3	Bandeja	Ativo	125°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo		FF225R65			1000 W		padrão	AG-XHP3K65	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2	2 Independente																																		Parada de campo de trincheira	5900V	225A		3,4 V a 15 V, 225 A				5 mA	Não	65,6 nF a 25 V
IKW50N65H5FKSA1	6.2400	Solicitação de cotação	124	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Tubo	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		IKW50N65	padrão		305 W			PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 25A, 12Ohm, 15V																								57 ns						-	650 V	80A	150A	2,1V a 15V, 50A	520 µJ (ligado), 180 µJ (desligado)	120nC	21ns/180ns
BCX5616H6433XTMA1	0,1920	Solicitação de cotação	9843	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Última compra	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA		BCX5616			2W			PG-SOT89	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0075	4.000																																				80 V	1A						100nA (ICBO)			NPN	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
BC846UPNE6327HTSA1	0,1260	Solicitação de cotação	2055	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Última compra	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-74, SOT-457		BC846			250mW			PG-SC74-6	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				65V	100mA						15nA (ICBO)			NPN, PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRLS3034-7PPBF	-	Solicitação de cotação	3923	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB				MOSFET (óxido metálico)				D2PAK (7 derivações)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal N						40 V	240A (Tc)	4,5V, 10V	1,4mOhm a 200A, 10V	2,5 V a 250 µA	180 nC @ 4,5 V	±20V	10990 pF a 40 V	-	380W (Tc)
IFCM10P60GDXKMA1	19.2800	Solicitação de cotação	2816	Tecnologias Infineon	CIPOS®	Tubo	Ativo		Através do furo	Módulo PowerDIP de 24 (1.028", 26,10 mm)	IGBT	IFCM10							download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8542.39.0001	14	Inversor trifásico					10A	600V	2.000 Vrms
64-2155PBF	-	Solicitação de cotação	9780	Tecnologias Infineon	*	Tubo	Ativo					64-2155							download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001550640	EAR99	8541.29.0095	50
BAT5403WE6327HTSA1	0,5300	Solicitação de cotação	112	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Montagem em superfície	SC-76, SOD-323		BAT5403		Schottky				PG-SOD323-3D	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade																								30 V		800 mV a 100 mA	5 ns	2 µA a 25 V	150°C (máx.)	200mA	10pF @ 1V, 1MHz
BSB008NE2LXXUMA1	-	Solicitação de cotação	6458	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	3-WDSON		BSB008		MOSFET (óxido metálico)				MG-WDSON-2, CanPAK M™	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N						25 V	46A (Ta), 180A (Tc)	4,5V, 10V	0,8mOhm a 30A, 10V	2V @ 250µA	343 nC @ 10 V	±20V	16.000 pF a 12 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IPB015N04NGATMA1	4.5100	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		IPB015		MOSFET (óxido metálico)				PG-TO263-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N						40 V	120A (Tc)	10V	1,5mOhm a 100A, 10V	4 V a 200 µA	250 nC @ 10 V	±20V	20.000 pF a 20 V	-	250W (Tc)
IPP60R450E6	0,7300	Solicitação de cotação	6442	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				MOSFET (óxido metálico)				PG-TO220-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	318			Canal N						600V	9,2A (Tc)	10V	450mOhm @ 3,4A, 10V	3,5 V a 280 µA	28 nC @ 10 V	±20V	620 pF a 100 V	-	74W (Tc)
TD162N12KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	8694	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo		TD162N				Conexão em Série - SCR/Diodo			download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	8				200 mA															1,6kV	260A	2V	5200A a 50Hz	150 mA	162A										1 SCR, 1 Diodo
BAS7002LE6327	1.0000	Solicitação de cotação	2815	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em superfície	SOD-882				Schottky				PG-TSLP-2-1	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	15.000		Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade																								70 V		1 V a 15 mA	100 CV	100 nA @ 50 V	150ºC	70mA	1,5 pF a 0 V, 1 MHz
T4771N28TS03XPSA1	-	Solicitação de cotação	5817	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	125°C (TJ)	Montagem em chassi	TO-200AF						Solteiro			-			REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	1				350 mA															2,8kV	6820A	2,5 V	100.000 A a 50 Hz	350 mA	6110A										1 SCR
SISC624P06X3MA1	-	Solicitação de cotação	5239	Tecnologias Infineon	*	Fita e Carretel (TR)	Ativo					SISC624							download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000013956		0000.00.0000	3.000
IKP03N120H2XKSA1	-	Solicitação de cotação	1767	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		IKP03N	padrão		62,5W			PG-TO220-3-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500					800V, 3A, 82Ohm, 15V																								42 ns						-	1200 V	9,6A	9,9A	2,8V a 15V, 3A	290µJ	22 nC	9,2ns/281ns
ACESSÓRIO27614NOSA1	-	Solicitação de cotação	7640	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto					ACESSÓRIO2							-			REACH não afetado		EAR99	8542.39.0001	1
BSC883N03LSGATMA1	-	Solicitação de cotação	1376	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN		BSC883		MOSFET (óxido metálico)				PG-TDSON-8-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N						34 V	17A (Ta), 98A (Tc)	4,5V, 10V	3,8mOhm a 30A, 10V	2,2 V a 250 µA	34 nC @ 10 V	±20V	2.800 pF a 15 V	-	2,5W (Ta), 57W (Tc)
41040324AWLXPSA1	-	Solicitação de cotação	2889	Tecnologias Infineon	*	Volume	Obsoleto					41040324							-		1 (ilimitado)	REACH não afetado		OBSOLETO	0000.00.0000	1
BAS 125-06W E6327	-	Solicitação de cotação	4081	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto		Montagem em superfície	SC-70, SOT-323		BAS 125		Schottky				PG-SOT323	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	6.000		Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade																							1 par de anodo comum	25 V	100mA (CC)	950 mV a 35 mA		150 nA @ 25 V	150°C (máx.)
IPW65R048CFDAFKSA1	18.8100	Solicitação de cotação	240	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™	Tubo	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		IPW65R048		MOSFET (óxido metálico)				PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30			Canal N						650 V	63,3A(Tc)	10V	48mOhm @ 29,4A, 10V	4,5 V a 2,9 mA	270 nC @ 10 V	±20V	7.440 pF a 100 V	-	500W (Tc)
IRG7CH75UED-R	-	Solicitação de cotação	1518	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto					IRG7CH							download		Não aplicável	REACH não afetado		OBSOLETO	0000.00.0000	1
TZ310N26KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	4090	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo		TZ310N26				Solteiro			download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA															2,6 kV	700A	1,5 V	9000A a 50Hz	250 mA	445A										1 SCR
IPD052N10NF2SATMA1	1.9900	Solicitação de cotação	8700	Tecnologias Infineon	ForteIRFET™ 2	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canal N						100V	17A (Ta), 118A (Tc)	6V, 10V	5,2mOhm a 70A, 10V	3,8 V a 84 µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF a 50 V	-	3W (Ta), 150W (Tc)
IRFR3504ZTRLPBF	-	Solicitação de cotação	6858	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				D-Pak	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001552130	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N						40 V	42A (Tc)	10V	9mOhm @ 42A, 10V	4 V a 250 µA	45 nC @ 10 V	±20V	1510 pF a 25 V	-	90W (Tc)