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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Tipo | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Estrutura | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Atual - Espera (Ih) (Máx.) | Condição de teste | Real | Tensão | Tensão - Isolamento | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB015N04NGATMA1 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IPB015 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 1,5mOhm a 100A, 10V | 4 V a 200 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 20.000 pF a 20 V | - | 250W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R450E6 | 0,7300 | ![]() | 6442 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 318 | Canal N | 600V | 9,2A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 3,4A, 10V | 3,5 V a 280 µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF a 100 V | - | 74W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD162N12KOFHPSA1 | - | ![]() | 8694 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TD162N | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 8 | 200 mA | 1,6kV | 260A | 2V | 5200A a 50Hz | 150 mA | 162A | 1 SCR, 1 Diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPTC019N10NM5ATMA1 | 6.5300 | ![]() | 8970 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™5 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | Módulo 16-PowerSOP | IPTC019N | MOSFET (óxido metálico) | PG-HDSOP-16-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | Canal N | 100V | 31A (Ta), 279A (Tc) | 6V, 10V | 1,9mOhm a 100A, 10V | 3,8 V a 210 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 12.000 pF a 50 V | - | 3,8 W (Ta), 300 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S4L07AKSA1 | - | ![]() | 6646 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP80N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 80A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,7mOhm a 80A, 10V | 2,2 V a 40 µA | 75 nC @ 10 V | ±16V | 5680 pF a 25 V | - | 79W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF1400R12IP4DBOSA1 | 831.0100 | ![]() | 3697 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | PrimePACK™3 | Bandeja | Não para novos designs | -40°C ~ 150°C | Montagem em chassi | Módulo | DF1400 | 7700W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Helicóptero Único | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 1400A | 2,1V a 15V, 1400A | 5 mA | Sim | 82 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR185L3 E6327 | - | ![]() | 4382 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | BCR 185 | 250 mW | PG-TSLP-3-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 50 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP - Pré-tendencioso | 300mV @ 500µA, 10mA | 70 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 10 kOhms | 47 kOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH10SG60CXKSA2 | 7.1200 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolSiC™+ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | IDH10SG60 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PG-TO220-2-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 600V | 2,1 V a 10 A | 0 ns | 90 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 290pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA42E6327HTSA1 | - | ![]() | 2708 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | PZTA42 | 1,5W | PG-SOT223-4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D452N14EXPSA1 | - | ![]() | 8152 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem de parafuso | Fora do padrão | D452N | padrão | FL54 | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 50 mA a 1400 V | -40°C ~ 180°C | 450A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM25GP120B2BOSA1 | - | ![]() | 3936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Última compra | 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | BSM25G | 230W | Retificador de ponte trifásico | Módulo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Ponte Completa | - | 1200 V | 45A | 2,55V a 15V, 25A | 500 µA | Sim | 1,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1010ZSPBF | - | ![]() | 6275 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 55V | 75A (Tc) | 10V | 7,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2840 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3710L | - | ![]() | 5515 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF3710L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 57A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 28A, 10V | 4 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 3130 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R450E6BTMA1 | - | ![]() | 6914 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ E6 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD60R | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 600V | 9,2A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 3,4A, 10V | 3,5 V a 280 µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF a 100 V | - | 74W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM200GA120DN2SE325HOSA1 | - | ![]() | 5205 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | BSM200 | - | OBSOLETO | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM393S6FXKLA1 | - | ![]() | 7547 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CIPOS® | Tubo | Obsoleto | Através do furo | Módulo 26-PowerSIP, 22 derivações, derivações formadas | IGBT | IM393S6 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | SP001675680 | EAR99 | 8542.39.0001 | 540 | Inversor trifásico | 6A | 600V | 2.000 Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP072N10N3GXKSA1 | 2.4000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP072 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 80A (Tc) | 6V, 10V | 7,2mOhm a 80A, 10V | 3,5 V a 90 µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 4910 pF a 50 V | - | 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO4410 | - | ![]() | 6576 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 11.1A (Ta) | 4,5V, 10V | 13mOhm @ 11,1A, 10V | 2V @ 42µA | 21 nC @ 5 V | ±20V | 1280 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R33T3E3P3BPMA1 | 1.0000 | ![]() | 2359 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | XHP™3 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C | Montagem em chassi | Módulo | FF450R33 | 1.000.000 W | padrão | AG-XHP100-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 8541.29.0095 | 3 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 3300 V | 450A | 2,75V a 15V, 450A | 5 mA | Não | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM400GA170DLCHOSA1 | - | ![]() | 7728 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | BSM400 | 3120W | padrão | Módulo | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Solteiro | - | 1700V | 800A | 3,2V a 15V, 400A | 1mA | Não | 29 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS35R12KT3BPSA1 | 101.2600 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EconoPACK™ 2 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | FS35R12 | 210W | padrão | AG-ECONO2B | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de ponte completa | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 55A | 2,15V a 15V, 35A | 5 mA | Sim | 2,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1590N24TOFVTXPSA1 | - | ![]() | 8440 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | DO-200AD | T1590N | Solteiro | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 2,8kV | 3200A | 3V | 32.000 A a 50 Hz | 300 mA | 1590A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD600N25N3GBTMA1 | - | ![]() | 5974 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD600N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 250 V | 25A (Tc) | 10V | 60mOhm a 25A, 10V | 4V @ 90µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 2350 pF a 100 V | - | 136W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX55-16E6327 | 0,0800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-243AA | 2W | PG-SOT89-4-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 1A | 100nA (ICBO) | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF200R12W1H3FB11BPSA1 | - | ![]() | 5720 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EasyPACK® | Bandeja | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | DF200R12 | 20 mW | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001355692 | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Helicóptero Único | - | 1200 V | 30 A | 1,45V a 15V, 30A | 1mA | Sim | 6,15 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD330N16AOFHPSA1 | 191.5900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | TD330N16 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8707TRPBF-1 | - | ![]() | 9826 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 30 V | 11A (Ta) | 4,5V, 10V | 11,9mOhm @ 11A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±20V | 760 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM323M6G2XKMA1 | 11.1600 | ![]() | 7105 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CIPOS® | Tubo | Não para novos designs | Através do furo | Módulo PowerDIP de 26 (1.043", 26,50 mm) | IGBT | IM323M6 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 240 | Inversor trifásico | 10A | 600V | 2.000 Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRGS30B60KTRL | - | ![]() | 5001 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | AUIRGS30 | padrão | 370W | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001511192 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | TNP | 600V | 78A | 120A | 2,35V a 15V, 30A | 350 µJ (ligado), 825 µJ (desligado) | 102nC | 46ns/185ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC11T60SNCX1SA1 | - | ![]() | 7266 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | SIGC11 | padrão | Morrer | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 1 | 400V, 10A, 25Ohm, 15V | TNP | 600V | 10A | 30 A | 2,4V a 15V, 10A | - | 28ns/198ns |

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