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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste Ganho ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
FS200R07A5E3S6BPSA1 Infineon Technologies FS200R07A5E3S6BPSA1 548.7300
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 ECAD 9292 0,00000000 Tecnologias Infineon Hybridpack ™ Bandeja Última Vez compra -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS200R07 630 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 12 Inversor de Ponte Conclua Trincheira 705 v 200 a 1.7V @ 15V, 200a 100 µA Sim 13 NF @ 25 V
SPP06N80C3XK Infineon Technologies Spp06n80c3xk -
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 ECAD 8833 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp06n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 - 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP000013366 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 800 v 6a (TC) 10V 900mohm @ 3.8a, 10V 3,9V a 250µA 41 nc @ 10 V ± 20V 785 pf @ 100 V - 83W (TC)
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Ikza40n120cs7xksa1 11.4000
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Ikza40 - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30
BCW60FN Infineon Technologies BCW60FN -
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 ECAD 1988 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na (ICBO) Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 250MHz
TT430N22KOFXPSA1 Infineon Technologies TT430N22KOFXPSA1 324.3800
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 ECAD 1572 0,00000000 Tecnologias Infineon Tt Bandeja Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS download ROHS3 Compatível 448-TT430N22KOFXPSA1 Ear99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2 kV 800 a 2,2 v 14000A @ 50Hz 250 Ma 430 a 2 scrs
ND260N14KHPSA1 Infineon Technologies ND260N14KHPSA1 -
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 ECAD 5306 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto Montagem do chassi Módlo ND260N Padrão BG-PB50ND-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 30 mA A 1400 V -40 ° C ~ 135 ° C. 260a -
IRFS4115TRL7PP Infineon Technologies IRFS4115trl7pp 4.0300
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 ECAD 21 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB IRFS4115 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 105a (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 5320 pf @ 50 V - 380W (TC)
BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP540FESDH6327XTSA1 0,7400
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 ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP540 250mw 4-tsfp download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 20dB 5V 80mA Npn 50 @ 20MA, 3,5V 30 GHz 0,9dB ~ 1,4dB A 1,8 GHz
IPA60R600CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R600CPXKSA1 -
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 ECAD 4185 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3,5V A 220µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 28W (TC)
IRAM136-0760A2 Infineon Technologies IRAM136-0760A2 -
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 ECAD 2582 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto Através do buraco 29 Módulo de Póa IGBT download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001538598 Ear99 8542.39.0001 110 3 fase 5 a 600 v 2000Vrms
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR148E6433HTMA1 -
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 ECAD 7689 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BAS7002LE6327 Infineon Technologies BAS7002LE6327 1.0000
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 ECAD 2815 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-882 Schottky PG-TSLP-2-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 15.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150 ° C. 70mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
SKW07N120FKSA1 Infineon Technologies SKW07N120FKSA1 -
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 ECAD 3870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SKW07N Padrão 125 w PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 800V, 8A, 47OHM, 15V 60 ns NPT 1200 v 16.5 a 27 a 3.6V @ 15V, 8a 1mj 70 NC 27ns/440ns
IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies IQE008N03LM5ATMA1 2.6800
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 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IQE008N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tson-8-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 27a (ta), 253a (tc) 4.5V, 10V 0,85mohm @ 20a, 10V 2V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 16V 5700 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 89W (TC)
BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies BSC120N12LSGATMA1 2.0200
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 ECAD 8233 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 120 v 10a (ta), 68a (tc) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10V 2.4V @ 72µA 51 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 60 V - 114W (TC)
ACCESSORY34555NOSA1 Infineon Technologies ACESSÓRIO34555NOSA1 -
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 ECAD 9743 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto ACESSÓRIO3 - Alcançar Não Afetado 448-Accessory34555NOSA1 Ear99 8542.39.0001 1
IPI80404S3-03 Infineon Technologies IPI80404S3-03 -
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 ECAD 1404 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
IPS60R650CEAKMA1 Infineon Technologies IPS60R650Ceakma1 -
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 ECAD 9236 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPS60R650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 v 9.9a (TJ) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20,5 nc @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 82W (TC)
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2FE325HOSA1 72.8000
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 ECAD 110 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo BSM100 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BSM100GB120DN2FE325HOSA1-448 1
IPB08CNE8N G Infineon Technologies Ipb08cne8n g -
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 ECAD 3845 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB08C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 85 v 95a (TC) 10V 8.2mohm @ 95a, 10V 4V A 130µA 99 NC @ 10 V ± 20V 6690 pf @ 40 V - 167W (TC)
BFS 483 E6327 Infineon Technologies BFS 483 E6327 -
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 ECAD 1632 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BFS 483 450mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 19dB 12V 65mA 2 NPN (DUPLO) 70 @ 15MA, 8V 8GHz 0,9dB ~ 1,4dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
IRFR3711Z Infineon Technologies IRFR3711Z -
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 ECAD 7482 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFR3711Z Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRLR8113TRLPBF Infineon Technologies IRLR8113TRLPBF -
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 ECAD 8422 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001578796 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 94A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,25V a 250µA 32 NC a 4,5 V ± 20V 2920 PF @ 15 V - 89W (TC)
IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies IRG4IBC10UDPBF -
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 ECAD 1401 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IRG4IBC Padrão 25 w To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 480V, 5A, 100OHM, 15V 28 ns - 600 v 6.8 a 27 a 2.6V @ 15V, 5A 140µJ (ON), 120µJ (Off) 15 NC 40ns/87ns
IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 1.1100
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IKD04N60 Padrão 75 w PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 90µJ (ON), 150µJ (Off) 27 NC 14ns/146ns
IRLMS5703TR Infineon Technologies IRLMS5703TR -
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 ECAD 4335 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (SOT23-6) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 2.3a (ta) 200mohm @ 1.6a, 10V 1V a 250µA 11 NC @ 10 V 170 pf @ 25 V -
IPG20N06S3L-23 Infineon Technologies IPG20N06S3L-23 -
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 ECAD 6688 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IPG20N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 45W Pg-tdson-8-4 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000396304 Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) 55V 20a 23mohm @ 16a, 10V 2.2V @ 20µA 42NC @ 10V 2950pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IPC90R1K2C3X1SA1 Infineon Technologies IPC90R1K2C3X1SA1 -
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 ECAD 2127 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IPC90R - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000469920 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRF6637TR1PBF Infineon Technologies IRF6637TR1PBF -
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 ECAD 7733 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ MP ISOMÉTRICO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ MP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 14a (ta), 59a (tc) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 14a, 10v 2,35V a 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1330 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM20T65GDXKMA1 15.4800
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 ECAD 2890 0,00000000 Tecnologias Infineon Cipos ™ Tubo Ativo Através do buraco Módlo de 24-Powerdip (1.028 ", 26,10mm) IGBT IFCM20 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 14 2 fase 20 a 650 v 2000Vrms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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