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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Estrutura | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Espera (Ih) (Máx.) | Condição de teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Figura de ruído | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGB4640DPBF | - | ![]() | 4134 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 250W | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001548212 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 89 ns | - | 600V | 65A | 72A | 1,9V a 15V, 24A | 115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 75nC | 41ns/104ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D121N16BXPSA1 | - | ![]() | 2746 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | D121N | padrão | - | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 20 mA @ 1600 V | -40°C ~ 180°C | 230A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPF023N08NF2SATMA1 | 3.6100 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | ForteIRFET™ 2 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | IPF023N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-7-14 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 80 V | 209A (Tc) | 6V, 10V | 2,3mOhm a 100A, 10V | 3,8 V a 139 µA | 133 nC @ 10 V | ±20V | 6200 pF a 40 V | - | 214W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT170N18KOFHPSA1 | - | ![]() | 4896 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TT170N18 | Conexão em série - Todos os SCRs | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1,8 kV | 350A | 2V | 5200A a 50Hz | 200 mA | 223A | 2 SCRs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA32V04X1SA1 | - | ![]() | 9634 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Obsoleto | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP000949952 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDP954E6327HTSA1 | - | ![]() | 2694 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | 5 W | PG-SOT223-4-10 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100V | 3A | 100nA (ICBO) | PNP | 500mV a 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR08PNB6327XT | - | ![]() | 4117 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR08 | 250mW | PG-SOT363-PO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 30.000 | 50V | 100mA | - | 1 NPN, 1 PNP - Pré-polarizado (Duplo) | 300mV @ 500µA, 10mA | 70 @ 5mA, 5V | 170MHz | 2,2 kOhms | 47kOhms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DT250N2016KOFHPSA1 | - | ![]() | 1625 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | 125°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 2kV | 410A | 2V | 9100A a 50 Hz | 200 mA | 250A | 1 SCR, 1 Diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3711 | - | ![]() | 5661 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 20 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,5mOhm a 15A, 10V | 3 V a 250 µA | 44 nC @ 4,5 V | ±20V | 2.980 pF a 10 V | - | 2,5 W (Ta), 120 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | 18.8100 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™ | Tubo | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IPW65R048 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 63,3A(Tc) | 10V | 48mOhm @ 29,4A, 10V | 4,5 V a 2,9 mA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 7.440 pF a 100 V | - | 500W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD104N12KOFHPSA1 | - | ![]() | 6083 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 140°C | Montagem em chassi | Módulo | TD104N12 | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 mA | 1,4kV | 160A | 1,4 V | 2050A a 50Hz | 120 mA | 104A | 1 SCR, 1 Diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3103TRLPBF | - | ![]() | 7601 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001558904 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 55A (Tc) | 4,5V, 10V | 19mOhm @ 33A, 10V | 1V @ 250µA | 50 nC @ 4,5 V | ±16V | 1600 pF a 25 V | - | 107W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC30KPBF | - | ![]() | 1209 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRG4PC30 | padrão | 100 W | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 16A, 23Ohm, 15V | - | 600V | 28A | 58A | 2,7V a 15V, 16A | 360 µJ (ligado), 510 µJ (desligado) | 67nC | 26ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T860N30TOFVTXPSA1 | - | ![]() | 9906 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | TO-200AC | T860N | Solteiro | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 mA | 3,6kV | 2000A | 2V | 18.000 A a 50 Hz | 250 mA | 860A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R17ME3GBOSA1 | 184.7820 | ![]() | 9313 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EconoDUAL™ 3 | Bandeja | Não para novos designs | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | FF150R17 | 1050W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independente | Parada de campo de trincheira | 1700V | 240A | 2,45V a 15V, 150A | 3 mA | Sim | 13,5 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ425N18KOFHPSA1 | 236.6700 | ![]() | 2489 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TZ425N18 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1,8 kV | 800A | 1,5 V | 14500A a 50Hz | 250 mA | 510A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTAC260302SCV1R250XTMA2 | - | ![]() | 2688 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001170840 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 250 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS 125-06W E6327 | - | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | BAS 125 | Schottky | PG-SOT323 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 1 par de anodo comum | 25 V | 100mA (CC) | 950 mV a 35 mA | 150 nA @ 25 V | 150°C (máx.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ800N12KOFHPSA3 | 549.4100 | ![]() | 4379 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Última compra | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TZ800N12 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 mA | 1,2kV | 1500A | 2V | 35000A a 50Hz | 250 mA | 819A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4615PBF | - | ![]() | 5786 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001578264 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 150 V | 33A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 21A, 10V | 5 V a 100 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1750 pF a 50 V | - | 144W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA15TB60PBF | - | ![]() | 9436 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFRED® | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-220-2 | HFA15 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,7 V a 15 A | 60 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD251N16KOFHPSA1 | - | ![]() | 9230 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TD251N16 | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1,8 kV | 410A | 2V | 9100A a 50 Hz | 200 mA | 250A | 1 SCR, 1 Diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS7002LE6327 | 1.0000 | ![]() | 2815 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | SOD-882 | Schottky | PG-TSLP-2-1 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 70 V | 1 V a 15 mA | 100 CV | 100 nA @ 50 V | 150ºC | 70mA | 1,5 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T533N80TOHXPSA1 | 5.0000 | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 120°C | Fixar | TO-200AC | T533N80 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 100 mA | 864A | 10500A a 50 Hz | 790A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE006NE2LM5ATMA1 | 2.5500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™5 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | IQE006 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TSON-8-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 25 V | 41A (Ta), 298A (Tc) | 4,5V, 10V | 650mOhm a 20A, 10V | 2V @ 250µA | 82,1 nC @ 10 V | ±16V | 5453 pF a 12 V | - | 2,1 W (Ta), 89 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK08G120C5XTMA1 | 6.2300 | ![]() | 955 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolSiC™+ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IDK08G120 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PG-TO263-2-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,95 V a 8 A | 40 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 22,8A | 365pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF6215 | 3.5800 | ![]() | 740 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | AUIRF6215 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001521586 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 150 V | 13A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 6,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB015N04NGATMA1 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IPB015 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 1,5mOhm a 100A, 10V | 4 V a 200 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 20.000 pF a 20 V | - | 250W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT310N26KOFHPSA1 | - | ![]() | 8252 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TT310N | Conexão em série - Todos os SCRs | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2,6 kV | 700A | 1,5 V | 10000A a 50Hz | 250 mA | 446A | 2 SCRs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 41040324AWLXPSA1 | - | ![]() | 2889 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Obsoleto | 41040324 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 |

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