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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Estrutura | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Atual - Espera (Ih) (Máx.) | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ICA32V21X1SA1 | - | ![]() | 7244 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Obsoleto | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001113922 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7PG42UDPBF | - | ![]() | 1074 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRG7PG | padrão | 320W | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001532794 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 30A, 10Ohm, 15V | 153 ns | Trincheira | 1000V | 85A | 90A | 2V a 15V, 30A | 2,11mJ (ligado), 1,18mJ (desligado) | 157nC | 25ns/229ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S4L07AKSA1 | - | ![]() | 6646 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP80N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 80A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,7mOhm a 80A, 10V | 2,2 V a 40 µA | 75 nC @ 10 V | ±16V | 5680 pF a 25 V | - | 79W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4100R17N3E4B80BPSA1 | - | ![]() | 1362 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Bandeja | Descontinuado na SIC | F4100R | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI65R110CFDXKSA1 | - | ![]() | 7514 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IPI65R | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 650 V | 31,2A(Tc) | 10V | 110mOhm @ 12,7A, 10V | 4,5 V a 1,3 mA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 3240 pF a 100 V | - | 277,8W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRD3CH82DF6 | - | ![]() | 1532 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | IRD3CH82 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001538740 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB3004GPBF | - | ![]() | 7476 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001563908 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,75mOhm a 195A, 10V | 4 V a 250 µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF a 25 V | - | 380W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLL014NPBF | - | ![]() | 2042 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001550472 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal N | 55 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 140mOhm @ 2A, 10V | 2V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±16V | 230 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-2028 | - | ![]() | 7740 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tubo | Ativo | 64-2028 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001517860 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7607TRPBF | - | ![]() | 6153 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) | IRF7607 | MOSFET (óxido metálico) | Micro8™ | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 20 V | 6,5A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 30mOhm a 6,5A, 4,5V | 1,2 V a 250 µA | 22 nC @ 5 V | ±12V | 1310 pF a 15 V | - | 1,8W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8721PBF | - | ![]() | 8437 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal N | 30 V | 14A (Ta) | 4,5V, 10V | 8,5mOhm a 14A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 12 nC @ 4,5 V | ±20V | 1040 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R090CFD7XKSA1 | 7.4100 | ![]() | 6141 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ CFD7 | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IPW65R | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 25A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 12,5A, 10V | 4,5 V a 630 µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 2513 pF a 400 V | - | 127W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAL99 | - | ![]() | 3268 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | padrão | SOT23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.959 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 80 V | 1,25 V a 150 mA | 4 ns | 1 µA a 70 V | 150°C (máx.) | 250mA | 1,5 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD251N16KOFHPSA1 | - | ![]() | 9230 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TD251N16 | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1,8kV | 410A | 2V | 9100A a 50Hz | 200 mA | 250A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP055N03LGXKSA1 | 1.2900 | ![]() | 3070 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP055 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 30 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,5mOhm a 30A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 3200 pF a 15 V | - | 68W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | 0,9000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | IAUZ30 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TSDSON-8-32 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 60 V | 30A (Tj) | 14mOhm @ 15A, 10V | 2,2 V a 10 µA | 12,2 nC a 10 V | ±16V | 888 pF a 30 V | - | 33W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7451TR | - | ![]() | 6923 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 150 V | 3,6A (Ta) | 10V | 90mOhm @ 2,2A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 41 nC @ 10 V | ±30V | 990 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL1404ZLPBF | - | ![]() | 1158 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001552544 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,1mOhm a 75A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 110 nC @ 5 V | ±16V | 5080 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI07N60S5 | 0,7700 | ![]() | 8223 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal N | 600V | 7,3A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4,6A, 10V | 5,5 V a 350 µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 970 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB90N04S402ATMA1 | 3.1900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IPB90N04 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 40 V | 90A (Tc) | 10V | 2,1mOhm a 90A, 10V | 4 V a 95 µA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 9.430 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG5U50HH12E | - | ![]() | 4283 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Caixa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo POWIR ECO 2™ | IRG5U50 | 390 W | padrão | POWIR ECO 2™ | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001533820 | EAR99 | 8541.29.0095 | 14 | Inversor de ponte completa | - | 1200 V | 85A | 3,5V a 15V, 50A | 1mA | Sim | 6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ETD420N22P60HPSA1 | - | ![]() | 3948 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 135°C (TC) | Montagem em chassi | Módulo | ETD420 | Conexão em Série - SCR/Diodo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2,2kV | 700A | 2,2V | 13400A a 50Hz | 250 mA | 427A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPUH6N03LA G | - | ![]() | 5717 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | IPUH6N | MOSFET (óxido metálico) | P-TO251-3-1 | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal N | 25 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,2mOhm a 50A, 10V | 2V @ 30µA | 19 nC @ 5 V | ±20V | 2390 pF a 15 V | - | 71W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD260N12KKHPSA1 | - | ![]() | 3451 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Módulo | padrão | Módulo | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1200 V | 260A | 1,32 V a 800 A | 30 mA a 1200 V | 150ºC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R17KE3HOSA1 | 214.2900 | ![]() | 3276 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | C | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | FZ400R17 | 2.250 watts | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1700 V | 620A | 2,45V a 15V, 400A | 3 mA | Não | 36 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD80R280P7ATMA1 | 3.4700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD80R | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 800 V | 17A (Tc) | 10V | 280mOhm a 7,2A, 10V | 3,5 V a 360 µA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF a 500 V | - | 101W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R12KE3B1HOSA1 | 168.1200 | ![]() | 1766 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | FZ400R12 | 2.250 watts | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Solteiro | - | 1200 V | 650A | 2,15V a 15V, 400A | 5 mA | Não | 28 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7493TRPBF | 1.6900 | ![]() | 6197 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF7493 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 80 V | 9,3A(Tc) | 10V | 15mOhm @ 5,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 1510 pF a 25 V | - | 2,5W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS315PL6327HTSA1 | - | ![]() | 6022 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | PG-SOT23 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1,5A (Ta) | 4,5V, 10V | 150mOhm a 1,5A, 10V | 2V @ 11µA | 2,3 nC a 5 V | ±20V | 282 pF a 15 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R12N3T7BPSA1 | 396.5800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EconoPIM™3 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | FP150R12 | 20 mW | Retificador de ponte trifásico | AG-ECONO3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor Trifásico | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 150A | 1,55V a 15V, 150A | 12 µA | Sim | 30,1 nF a 25 V |

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