SIC
close
Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Velocidade Tipo FET Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
ICA32V21X1SA1 Infineon Technologies ICA32V21X1SA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 7244 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001113922 OBSOLETO 0000.00.0000 1
IRG7PG42UDPBF Infineon Technologies IRG7PG42UDPBF -
Solicitação de cotação
ECAD 1074 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 IRG7PG padrão 320W TO-247AC download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001532794 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 30A, 10Ohm, 15V 153 ns Trincheira 1000V 85A 90A 2V a 15V, 30A 2,11mJ (ligado), 1,18mJ (desligado) 157nC 25ns/229ns
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S4L07AKSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 6646 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP80N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 60 V 80A (Tc) 4,5V, 10V 6,7mOhm a 80A, 10V 2,2 V a 40 µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF a 25 V - 79W (Tc)
F4100R17N3E4B80BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3E4B80BPSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 1362 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Descontinuado na SIC F4100R - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10
IPI65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R110CFDXKSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 7514 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA IPI65R MOSFET (óxido metálico) PG-TO262-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 650 V 31,2A(Tc) 10V 110mOhm @ 12,7A, 10V 4,5 V a 1,3 mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF a 100 V - 277,8W (Tc)
IRD3CH82DF6 Infineon Technologies IRD3CH82DF6 -
Solicitação de cotação
ECAD 1532 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IRD3CH82 download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001538740 EAR99 8541.10.0080 1
IRFB3004GPBF Infineon Technologies IRFB3004GPBF -
Solicitação de cotação
ECAD 7476 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001563908 EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 40 V 195A (Tc) 10V 1,75mOhm a 195A, 10V 4 V a 250 µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF a 25 V - 380W (Tc)
IRLL014NPBF Infineon Technologies IRLL014NPBF -
Solicitação de cotação
ECAD 2042 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) SOT-223 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001550472 EAR99 8541.29.0095 80 Canal N 55 V 2A (Ta) 4V, 10V 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±16V 230 pF a 25 V - 1W (Ta)
64-2028 Infineon Technologies 64-2028 -
Solicitação de cotação
ECAD 7740 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tubo Ativo 64-2028 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001517860 EAR99 8541.29.0095 50
IRF7607TRPBF Infineon Technologies IRF7607TRPBF -
Solicitação de cotação
ECAD 6153 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) IRF7607 MOSFET (óxido metálico) Micro8™ download Compatível com ROHS3 2 (1 ano) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 20 V 6,5A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 30mOhm a 6,5A, 4,5V 1,2 V a 250 µA 22 nC @ 5 V ±12V 1310 pF a 15 V - 1,8W (Ta)
IRF8721PBF Infineon Technologies IRF8721PBF -
Solicitação de cotação
ECAD 8437 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-SO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 95 Canal N 30 V 14A (Ta) 4,5V, 10V 8,5mOhm a 14A, 10V 2,35 V a 25 µA 12 nC @ 4,5 V ±20V 1040 pF a 15 V - 2,5W (Ta)
IPW65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R090CFD7XKSA1 7.4100
Solicitação de cotação
ECAD 6141 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ CFD7 Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 IPW65R MOSFET (óxido metálico) PG-TO247-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 12,5A, 10V 4,5 V a 630 µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF a 400 V - 127W (Tc)
BAL99 Infineon Technologies BAL99 -
Solicitação de cotação
ECAD 3268 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 padrão SOT23-3 (TO-236) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 8.959 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 80 V 1,25 V a 150 mA 4 ns 1 µA a 70 V 150°C (máx.) 250mA 1,5 pF a 0 V, 1 MHz
TD251N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TD251N16KOFHPSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 9230 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TD251N16 Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1,8kV 410A 2V 9100A a 50Hz 200 mA 250A 1 SCR, 1 diodo
IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1 1.2900
Solicitação de cotação
ECAD 3070 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Não para novos designs -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP055 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 30 V 50A (Tc) 4,5V, 10V 5,5mOhm a 30A, 10V 2,2 V a 250 µA 31 nC @ 10 V ±20V 3200 pF a 15 V - 68W (Tc)
IAUZ30N06S5L140ATMA1 Infineon Technologies IAUZ30N06S5L140ATMA1 0,9000
Solicitação de cotação
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN IAUZ30 MOSFET (óxido metálico) PG-TSDSON-8-32 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 60 V 30A (Tj) 14mOhm @ 15A, 10V 2,2 V a 10 µA 12,2 nC a 10 V ±16V 888 pF a 30 V - 33W (Tc)
IRF7451TR Infineon Technologies IRF7451TR -
Solicitação de cotação
ECAD 6923 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-SO download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 150 V 3,6A (Ta) 10V 90mOhm @ 2,2A, 10V 5,5 V a 250 µA 41 nC @ 10 V ±30V 990 pF a 25 V - 2,5W (Ta)
IRL1404ZLPBF Infineon Technologies IRL1404ZLPBF -
Solicitação de cotação
ECAD 1158 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PARA-262 download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001552544 EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 40 V 120A (Tc) 4,5V, 10V 3,1mOhm a 75A, 10V 2,7 V a 250 µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF a 25 V - 230W (Tc)
SPI07N60S5 Infineon Technologies SPI07N60S5 0,7700
Solicitação de cotação
ECAD 8223 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PG-TO262-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 80 Canal N 600V 7,3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4,6A, 10V 5,5 V a 350 µA 35 nC @ 10 V ±20V 970 pF a 25 V - 83W (Tc)
IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies IPB90N04S402ATMA1 3.1900
Solicitação de cotação
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IPB90N04 MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 40 V 90A (Tc) 10V 2,1mOhm a 90A, 10V 4 V a 95 µA 118 nC @ 10 V ±20V 9.430 pF a 25 V - 150W (Tc)
IRG5U50HH12E Infineon Technologies IRG5U50HH12E -
Solicitação de cotação
ECAD 4283 0,00000000 Tecnologias Infineon - Caixa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi Módulo POWIR ECO 2™ IRG5U50 390 W padrão POWIR ECO 2™ download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001533820 EAR99 8541.29.0095 14 Inversor de ponte completa - 1200 V 85A 3,5V a 15V, 50A 1mA Sim 6 nF a 25 V
ETD420N22P60HPSA1 Infineon Technologies ETD420N22P60HPSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 3948 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 135°C (TC) Montagem em chassi Módulo ETD420 Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2kV 700A 2,2V 13400A a 50Hz 250 mA 427A 1 SCR, 1 diodo
IPUH6N03LA G Infineon Technologies IPUH6N03LA G -
Solicitação de cotação
ECAD 5717 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA IPUH6N MOSFET (óxido metálico) P-TO251-3-1 download 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal N 25 V 50A (Tc) 4,5V, 10V 6,2mOhm a 50A, 10V 2V @ 30µA 19 nC @ 5 V ±20V 2390 pF a 15 V - 71W (Tc)
DD260N12KKHPSA1 Infineon Technologies DD260N12KKHPSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 3451 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem em chassi Módulo padrão Módulo download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 3 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) Conexão em série de 1 par 1200 V 260A 1,32 V a 800 A 30 mA a 1200 V 150ºC
FZ400R17KE3HOSA1 Infineon Technologies FZ400R17KE3HOSA1 214.2900
Solicitação de cotação
ECAD 3276 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo FZ400R17 2.250 watts padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 Solteiro Parada de campo de trincheira 1700 V 620A 2,45V a 15V, 400A 3 mA Não 36 nF a 25 V
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R280P7ATMA1 3.4700
Solicitação de cotação
ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD80R MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm a 7,2A, 10V 3,5 V a 360 µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF a 500 V - 101W (Tc)
FZ400R12KE3B1HOSA1 Infineon Technologies FZ400R12KE3B1HOSA1 168.1200
Solicitação de cotação
ECAD 1766 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo FZ400R12 2.250 watts padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 Solteiro - 1200 V 650A 2,15V a 15V, 400A 5 mA Não 28 nF a 25 V
IRF7493TRPBF Infineon Technologies IRF7493TRPBF 1.6900
Solicitação de cotação
ECAD 6197 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) IRF7493 MOSFET (óxido metálico) 8-SO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 80 V 9,3A(Tc) 10V 15mOhm @ 5,6A, 10V 4 V a 250 µA 53 nC @ 10 V ±20V 1510 pF a 25 V - 2,5W (Tc)
BSS315PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS315PL6327HTSA1 -
Solicitação de cotação
ECAD 6022 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) PG-SOT23 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1,5A (Ta) 4,5V, 10V 150mOhm a 1,5A, 10V 2V @ 11µA 2,3 nC a 5 V ±20V 282 pF a 15 V - 500mW (Ta)
FP150R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T7BPSA1 396.5800
Solicitação de cotação
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoPIM™3 Bandeja Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi Módulo FP150R12 20 mW Retificador de ponte trifásico AG-ECONO3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico Parada de campo de trincheira 1200 V 150A 1,55V a 15V, 150A 12 µA Sim 30,1 nF a 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque