SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Tipo Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Velocidade Tipo FET Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Ganho Tensão - Isolamento Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Figura de ruído (dB Typ @ f)
IRLU3915PBF Infineon Technologies IRLU3915PBF -
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ECAD 6431 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) IPAK (TO-251AA) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 55 V 30A (Tc) 5V, 10V 14mOhm a 30A, 10V 3 V a 250 µA 92 nC @ 10 V ±16V 1870 pF a 25 V - 120W (Tc)
IRG4BC10SD Infineon Technologies IRG4BC10SD -
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ECAD 1572 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IRG4BC10 padrão 38 W PARA-220AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRG4BC10SD EAR99 8541.29.0095 50 480V, 8A, 100Ohm, 15V 28 ns - 600V 14A 18A 1,8V a 15V, 8A 310 µJ (ligado), 3,28 mJ (desligado) 15 nC 76ns/815ns
ICA30V01X1SA1 Infineon Technologies ICA30V01X1SA1 -
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ECAD 4275 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000906842 OBSOLETO 0000.00.0000 1
BSC152N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC152N10NSFGATMA1 -
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ECAD 8310 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 100V 9,4A (Ta), 63A (Tc) 10V 15,2mOhm a 25A, 10V 4V @ 72µA 29 nC @ 10 V ±20V 1900 pF a 50 V - 114W (Tc)
ETD510N16P60HPSA1 Infineon Technologies ETD510N16P60HPSA1 278.9300
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ECAD 2142 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 135°C (TC) Montagem em chassi Módulo ETD510 Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8542.39.0001 2 300 mA 1,6kV 700A 2V 15300A a 50Hz 250 mA 515A 1 SCR, 1 diodo
BCR 199F E6327 Infineon Technologies BCR199F E6327 -
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ECAD 2820 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Descontinuado na SIC Montagem em superfície SOT-723 BCR 199 250 mW PG-TSFP-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 mA 100nA (ICBO) PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 500µA, 10mA 120 @ 5mA, 5V 200 MHz 47 kOhms
IRAMT20TP60A Infineon Technologies IRMT20TP60A -
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ECAD 7210 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do furo Módulo - IRMT20 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001538674 EAR99 8541.29.0095 80 - -
TD430N22KOFXPSA1 Infineon Technologies TD430N22KOFXPSA1 311.4700
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ECAD 3009 0,00000000 Tecnologias Infineon DT Bandeja Ativo 125°C (TJ) Montagem em chassi Módulo Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 448-TD430N22KOFXPSA1 EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2kV 800A 2,2V 14000A a 50Hz 250 mA 430A 1 SCR, 1 diodo
SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3FKSA1 6.6600
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ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 SPW20N60 MOSFET (óxido metálico) PG-TO247-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 20,7A(Tc) 10V 190mOhm @ 13,1A, 10V 3,9V a 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2.400 pF a 25 V - 208W (Tc)
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 -
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ECAD 7772 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) PG-DSO-8 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 12A (Ta) 6V, 10V 8mOhm @ 14,8A, 10V 3,1 V a 150 µA 81 nC @ 10 V ±25V 6750 pF a 15 V - 1,6 W (Ta)
T2480N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2480N22TOFVTXPSA1 -
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ECAD 4737 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi DO-200AE T2480N Solteiro download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 2,8 kV 5100A 2,5 V 47500A a 50Hz 250 mA 2490A 1 SCR
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies BFP183WE6327BTSA1 -
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ECAD 9914 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-82A, SOT-343 BFP183 450mW PG-SOT343-3D download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 65mA NPN 70 @ 15mA, 8V 8GHz 0,9dB ~ 1,4dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
FS225R12OE4PBOSA1 Infineon Technologies FS225R12OE4PBOSA1 559.0900
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ECAD 4476 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoPACK™+ Bandeja Ativo -40°C ~ 150°C Montagem em chassi Módulo FS225R12 20 mW padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4 Ponte Completa Parada de campo de trincheira 1200 V 450A 2,15V a 15V, 225A 3 mA Sim 13 nF a 25 V
IRFR3711ZTR Infineon Technologies IRFR3711ZTR -
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ECAD 4620 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001571586 EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 20 V 93A (Tc) 4,5V, 10V 5,7mOhm a 15A, 10V 2,45 V a 250 µA 27 nC @ 4,5 V ±20V 2160 pF a 10 V - 79W (Tc)
BCX52E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX52E6327HTSA1 -
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ECAD 2111 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-243AA BCX52 2W PG-SOT89 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0075 1.000 60 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 2V 125 MHz
FS400R07A3E3BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A3E3BOMA1 526.4700
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ECAD 8273 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Ativo FS400R07 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 16
SIDC14D60C6Y Infineon Technologies SIDC14D60C6Y -
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ECAD 3952 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado na SIC Montagem em superfície Morrer SIDC14D60 padrão Serrado em papel alumínio download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000095897 EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 600V 1,9 V a 50 A 27 µA a 600 V -40°C ~ 175°C 50A -
IRF7769L2TR1PBF Infineon Technologies IRF7769L2TR1PBF -
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ECAD 5809 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície DirectFET™ Isométrico L8 MOSFET (óxido metálico) DirectFET™ Isométrico L8 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 375A (Tc) 10V 3,5mOhm a 74A, 10V 4 V a 250 µA 300 nC @ 10 V ±20V 11560 pF a 25 V - 3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
TD240N36KOFHPSA1 Infineon Technologies TD240N36KOFHPSA1 618.5400
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ECAD 16 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TD240N36 Conexão em Série - SCR/Diodo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 3,8kV 700A 1,5 V 6100A a 50Hz 250 mA 446A 1 SCR, 1 diodo
T300N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T300N16TOFXPSA1 -
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ECAD 7870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi PARA-200AA T300N16 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 18 200 mA 1,8kV 400A 2V 3800A a 50Hz 150 mA 303A 1 SCR
SPD03N60S5 Infineon Technologies SPD03N60S5 0,4900
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ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3-313 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 600V 3,2A (Tc) 10V 1,4Ohm a 2A, 10V 5,5 V a 135 µA 16 nC @ 10 V ±20V 420 pF a 25 V - 38W (Tc)
IRLR3714 Infineon Technologies IRLR3714 -
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ECAD 6414 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 20 V 36A (Tc) 4,5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3 V a 250 µA 9,7 nC a 4,5 V ±20V 670 pF a 10 V - 47W (Tc)
FB10R06KL4GBOMA1 Infineon Technologies FB10R06KL4GBOMA1 -
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ECAD 6581 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto FB10R06 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado OBSOLETO 20
IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD020N10NM5CGATMA1 4.6500
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ECAD 4662 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™5 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 9-PowerTDFN IQD020 MOSFET (óxido metálico) PG-TTFN-9-U02 - Compatível com ROHS3 EAR99 8542.39.0001 5.000 Canal N 100V 26A (Ta), 273A (Tc) 6V, 10V 2,05mOhm a 50A, 10V 3,8 V a 159 µA 134 nC @ 10 V ±20V 9.500 pF a 50 V - 3W (Ta), 333W (Tc)
IRF1407STRR Infineon Technologies IRF1407STRR -
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ECAD 5903 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 75 V 100A (Tc) 10V 7,8mOhm a 78A, 10V 4 V a 250 µA 250 nC @ 10 V ±20V 5600 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
BSO052N03S Infineon Technologies BSO052N03S -
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ECAD 8568 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) PG-DSO-8 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 30 V 14A (Ta) 4,5V, 10V 5,2mOhm a 17A, 10V 2V @ 70µA 43 nC @ 5 V ±20V 5530 pF a 15 V - 1,56W (Ta)
IRF5802 Infineon Technologies IRF5802 -
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ECAD 1440 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto Montagem em superfície SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 MOSFET (óxido metálico) Micro6™(TSOP-6) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 100 Canal N 150 V 900mA (Ta) 10V 1,2 Ohm a 540 mA, 10 V 5,5 V a 250 µA 6,8 nC a 10 V ±30V 88 pF a 25 V - 2W (Ta)
FF200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FF200R33KF2CNOSA1 -
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ECAD 8213 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo FF200R33 2.200W padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4 2 Independente - 3300V 330A 4,25V a 15V, 200A 5 mA Não 25 nF a 25 V
BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03LSGATMA1 0,9500
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ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSZ050 MOSFET (óxido metálico) PG-TSDSON-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 16A (Ta), 40A (Tc) 4,5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2,2 V a 250 µA 35 nC @ 10 V ±20V 2.800 pF a 15 V - 2,1 W (Ta), 50 W (Tc)
IRFR3711ZTRL Infineon Technologies IRFR3711ZTRL -
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ECAD 7845 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 20 V 93A (Tc) 4,5V, 10V 5,7mOhm a 15A, 10V 2,45 V a 250 µA 27 nC @ 4,5 V ±20V 2160 pF a 10 V - 79W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque