Solicitação de cotação
BOM
Contate-nos

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Entrar

Português

Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Tipo	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Estrutura	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Ganho	Tensão - Isolamento	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Número de SCRs, Diodos	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Figura de ruído (dB Typ @ f)
IRLU3915PBF	-	Solicitação de cotação	6431	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA				MOSFET (óxido metálico)				IPAK (TO-251AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N					55 V	30A (Tc)	5V, 10V	14mOhm a 30A, 10V	3 V a 250 µA	92 nC @ 10 V	±16V	1870 pF a 25 V	-	120W (Tc)
IRG4BC10SD	-	Solicitação de cotação	1572	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		IRG4BC10	padrão		38 W			PARA-220AB	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRG4BC10SD	EAR99	8541.29.0095	50					480V, 8A, 100Ohm, 15V																					28 ns						-	600V	14A	18A	1,8V a 15V, 8A	310 µJ (ligado), 3,28 mJ (desligado)	15 nC	76ns/815ns
ICA30V01X1SA1	-	Solicitação de cotação	4275	Tecnologias Infineon	*	Volume	Obsoleto												download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000906842	OBSOLETO	0000.00.0000	1
BSC152N10NSFGATMA1	-	Solicitação de cotação	8310	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN				MOSFET (óxido metálico)				PG-TDSON-8-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N					100V	9,4A (Ta), 63A (Tc)	10V	15,2mOhm a 25A, 10V	4V @ 72µA	29 nC @ 10 V	±20V	1900 pF a 50 V	-	114W (Tc)
ETD510N16P60HPSA1	278.9300	Solicitação de cotação	2142	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 135°C (TC)	Montagem em chassi	Módulo		ETD510				Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8542.39.0001	2				300 mA														1,6kV	700A	2V	15300A a 50Hz	250 mA	515A								1 SCR, 1 diodo
BCR199F E6327	-	Solicitação de cotação	2820	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC		Montagem em superfície	SOT-723		BCR 199			250 mW			PG-TSFP-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																	50 V	70 mA						100nA (ICBO)			PNP - Pré-tendencioso	300mV @ 500µA, 10mA	120 @ 5mA, 5V	200 MHz	47 kOhms
IRMT20TP60A	-	Solicitação de cotação	7210	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Ativo		Através do furo	Módulo	-	IRMT20							download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001538674	EAR99	8541.29.0095	80	-						-
TD430N22KOFXPSA1	311.4700	Solicitação de cotação	3009	Tecnologias Infineon	DT	Bandeja	Ativo	125°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo						Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3			448-TD430N22KOFXPSA1	EAR99	8541.30.0080	2				300 mA														2,2kV	800A	2,2V	14000A a 50Hz	250 mA	430A								1 SCR, 1 diodo
SPW20N60C3FKSA1	6.6600	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		SPW20N60		MOSFET (óxido metálico)				PG-TO247-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30			Canal N					650 V	20,7A(Tc)	10V	190mOhm @ 13,1A, 10V	3,9V a 1mA	114 nC @ 10 V	±20V	2.400 pF a 25 V	-	208W (Tc)
BSO080P03NS3EGXUMA1	-	Solicitação de cotação	7772	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)				MOSFET (óxido metálico)				PG-DSO-8	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P					30 V	12A (Ta)	6V, 10V	8mOhm @ 14,8A, 10V	3,1 V a 150 µA	81 nC @ 10 V	±25V	6750 pF a 15 V	-	1,6 W (Ta)
T2480N22TOFVTXPSA1	-	Solicitação de cotação	4737	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	DO-200AE		T2480N				Solteiro			download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA														2,8 kV	5100A	2,5 V	47500A a 50Hz	250 mA	2490A								1 SCR
BFP183WE6327BTSA1	-	Solicitação de cotação	9914	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-82A, SOT-343		BFP183			450mW			PG-SOT343-3D	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000						22dB																											12V	65mA									NPN		70 @ 15mA, 8V	8GHz		0,9dB ~ 1,4dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
FS225R12OE4PBOSA1	559.0900	Solicitação de cotação	4476	Tecnologias Infineon	EconoPACK™+	Bandeja	Ativo	-40°C ~ 150°C	Montagem em chassi	Módulo		FS225R12			20 mW		padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4	Ponte Completa																															Parada de campo de trincheira	1200 V	450A		2,15V a 15V, 225A				3 mA	Sim	13 nF a 25 V
IRFR3711ZTR	-	Solicitação de cotação	4620	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				D-Pak	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001571586	EAR99	8541.29.0095	2.000			Canal N					20 V	93A (Tc)	4,5V, 10V	5,7mOhm a 15A, 10V	2,45 V a 250 µA	27 nC @ 4,5 V	±20V	2160 pF a 10 V	-	79W (Tc)
BCX52E6327HTSA1	-	Solicitação de cotação	2111	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA		BCX52			2W			PG-SOT89	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0075	1.000																																	60 V	1A						100nA (ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	125 MHz
FS400R07A3E3BOMA1	526.4700	Solicitação de cotação	8273	Tecnologias Infineon	*	Bandeja	Ativo					FS400R07							download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	16
SIDC14D60C6Y	-	Solicitação de cotação	3952	Tecnologias Infineon	-	Volume	Descontinuado na SIC		Montagem em superfície	Morrer		SIDC14D60		padrão				Serrado em papel alumínio	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000095897	EAR99	8541.10.0080	1		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)																						600V	1,9 V a 50 A		27 µA a 600 V	-40°C ~ 175°C	50A	-
IRF7769L2TR1PBF	-	Solicitação de cotação	5809	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrico L8				MOSFET (óxido metálico)				DirectFET™ Isométrico L8	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N					100V	375A (Tc)	10V	3,5mOhm a 74A, 10V	4 V a 250 µA	300 nC @ 10 V	±20V	11560 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
TD240N36KOFHPSA1	618.5400	Solicitação de cotação	16	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo		TD240N36				Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA														3,8kV	700A	1,5 V	6100A a 50Hz	250 mA	446A								1 SCR, 1 diodo
T300N16TOFXPSA1	-	Solicitação de cotação	7870	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	PARA-200AA		T300N16				Solteiro			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	18				200 mA														1,8kV	400A	2V	3800A a 50Hz	150 mA	303A								1 SCR
SPD03N60S5	0,4900	Solicitação de cotação	11	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal N					600V	3,2A (Tc)	10V	1,4Ohm a 2A, 10V	5,5 V a 135 µA	16 nC @ 10 V	±20V	420 pF a 25 V	-	38W (Tc)
IRLR3714	-	Solicitação de cotação	6414	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				D-Pak	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal N					20 V	36A (Tc)	4,5V, 10V	20mOhm @ 18A, 10V	3 V a 250 µA	9,7 nC a 4,5 V	±20V	670 pF a 10 V	-	47W (Tc)
FB10R06KL4GBOMA1	-	Solicitação de cotação	6581	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto					FB10R06							-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		OBSOLETO		20
IQD020N10NM5CGATMA1	4.6500	Solicitação de cotação	4662	Tecnologias Infineon	OptiMOS™5	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	9-PowerTDFN		IQD020		MOSFET (óxido metálico)				PG-TTFN-9-U02	-	Compatível com ROHS3				EAR99	8542.39.0001	5.000			Canal N					100V	26A (Ta), 273A (Tc)	6V, 10V	2,05mOhm a 50A, 10V	3,8 V a 159 µA	134 nC @ 10 V	±20V	9.500 pF a 50 V	-	3W (Ta), 333W (Tc)
IRF1407STRR	-	Solicitação de cotação	5903	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB				MOSFET (óxido metálico)				D2PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal N					75 V	100A (Tc)	10V	7,8mOhm a 78A, 10V	4 V a 250 µA	250 nC @ 10 V	±20V	5600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
BSO052N03S	-	Solicitação de cotação	8568	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)				MOSFET (óxido metálico)				PG-DSO-8	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal N					30 V	14A (Ta)	4,5V, 10V	5,2mOhm a 17A, 10V	2V @ 70µA	43 nC @ 5 V	±20V	5530 pF a 15 V	-	1,56W (Ta)
IRF5802	-	Solicitação de cotação	1440	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Montagem em superfície	SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6				MOSFET (óxido metálico)				Micro6™(TSOP-6)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	100			Canal N					150 V	900mA (Ta)	10V	1,2 Ohm a 540 mA, 10 V	5,5 V a 250 µA	6,8 nC a 10 V	±30V	88 pF a 25 V	-	2W (Ta)
FF200R33KF2CNOSA1	-	Solicitação de cotação	8213	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo		FF200R33			2.200W		padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4	2 Independente																															-	3300V	330A		4,25V a 15V, 200A				5 mA	Não	25 nF a 25 V
BSZ050N03LSGATMA1	0,9500	Solicitação de cotação	4	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN		BSZ050		MOSFET (óxido metálico)				PG-TSDSON-8	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N					30 V	16A (Ta), 40A (Tc)	4,5V, 10V	5mOhm @ 20A, 10V	2,2 V a 250 µA	35 nC @ 10 V	±20V	2.800 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta), 50 W (Tc)
IRFR3711ZTRL	-	Solicitação de cotação	7845	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				D-Pak	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N					20 V	93A (Tc)	4,5V, 10V	5,7mOhm a 15A, 10V	2,45 V a 250 µA	27 nC @ 4,5 V	±20V	2160 pF a 10 V	-	79W (Tc)