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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tensão - Nominal	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Frequência	Tecnologia	Potência - Máx.	Estrutura	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Classificação atual (amperes)	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Potência - Saída	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Figura de ruído	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Número de SCRs, Diodos	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Tensão - Teste	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emissor Base (R2)	Razão de capacitância	Condição da relação de capacitância	Q @ Vr, F
IRG4BC30WSTRR	-	Solicitação de cotação	6891	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto		-	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRG4BC30	padrão			100 W			D2PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50																																	-	600V	23A		2,7V a 15V, 12A
TD425N16KOFXPSA1	288.8050	Solicitação de cotação	8739	Tecnologias Infineon	DT	Bandeja	Ativo		125°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo						Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3			448-TD425N16KOFXPSA1	EAR99	8541.30.0080	2					300 mA														1,6 kV	800A	1,5 V	14500A a 50Hz	250 mA	471A								1 SCR, 1 diodo
TZ800N16KOFTIMHPSA1	583.8400	Solicitação de cotação	6749	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Última compra		-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	TZ800N16					Solteiro			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	1					500 mA														1,8kV	1500A	2V	35000A a 50Hz	250 mA	819A								1 SCR
FZ2400R17HE4PB9HPSA1	1.0000	Solicitação de cotação	2196	Tecnologias Infineon	IHM-B	Bandeja	Ativo		-40°C ~ 150°C	Montagem em chassi	Módulo	FZ2400						padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3	Interruptor único																																Parada de campo de trincheira	1700V	2.400A		2,3 V a 15 V, 2.400 A							5 mA	Não	195 nF a 25 V
T1930N36TOFVTXPSA1	1.0000	Solicitação de cotação	2221	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	DO-200AE	T1930N36					Solteiro			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA														3,8kV	4200A	3V	40000A a 50Hz	300 mA	2180A								1 SCR
BSC005N03LS5IATMA1	2.8300	Solicitação de cotação	313	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN				MOSFET (óxido metálico)				PG-TDSON-8 FL	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N						30 V	42A (Ta), 433A (Tc)	4,5V, 10V	0,55mOhm a 50A, 10V	2V a 10mA	128 nC @ 10 V	±20V	8.000 pF a 15 V	-	3W (Ta), 188W (Tc)
IMW120R020M1HXKSA1	35.6200	Solicitação de cotação	298	Tecnologias Infineon	CoolSiC™	Tubo	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3				SiCFET (carboneto de silício)				PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30			Canal N						1200 V	98A (Tc)	15V, 18V	26,9mOhm a 41A, 18V	5,2 V a 17,6 mA	83 nC @ 18 V	+20V, -5V	3460 nF a 25 V	-	375W (Tc)
SPP80N03S2L-06	-	Solicitação de cotação	2319	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	SPP80N			MOSFET (óxido metálico)				PG-TO220-3-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N						30 V	80A (Tc)	4,5V, 10V	6,2mOhm a 80A, 10V	2V @ 80µA	68 nC @ 10 V	±20V	2530 pF a 25 V	-	150W (Tc)
IRFS7734TRLPBF	3.0400	Solicitação de cotação	797	Tecnologias Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRFS7734			MOSFET (óxido metálico)				PG-TO263-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal N						75 V	183A (Tc)	6V, 10V	3,5mOhm a 100A, 10V	3,7 V a 250 µA	270 nC @ 10 V	±20V	10150 pF a 25 V	-	290W (Tc)
IQDH35N03LM5CGATMA1	3.9700	Solicitação de cotação	7676	Tecnologias Infineon	OptiMOS™5	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	9-PowerTDFN	IQDH35			MOSFET (óxido metálico)				PG-TTFN-9-U02	-	Compatível com ROHS3				EAR99	8542.39.0001	5.000			Canal N						30 V	66A (Ta), 700A (Tc)	4,5V, 10V	0,35mOhm a 50A, 10V	2 V a 1,46 mA	197 nC @ 10 V	±20V	18.000 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 278 W (Tc)
FS10R12YE3BOMA1	-	Solicitação de cotação	6402	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto					FS10R12								-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		OBSOLETO	0000.00.0000	20
BF 1005SR E6327	-	Solicitação de cotação	4508	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	8V		Montagem em superfície	SOT-143R	BF 1005		800MHz	MOSFET				PG-SOT-143R-3D	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canal N			25mA			-	22dB																	1,6dB																5V
IPT012N08N5ATMA1	6.9200	Solicitação de cotação	1	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerSFN	IPT012			MOSFET (óxido metálico)				PG-HSOF-8-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canal N						80 V	300A (Tc)	6V, 10V	1,2mOhm a 150A, 10V	3,8 V a 280 µA	223 nC @ 10 V	±20V	17.000 pF a 40 V	-	375W (Tc)
IRLR4343	-	Solicitação de cotação	4703	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63				MOSFET (óxido metálico)				D-Pak	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal N						55 V	26A (Tc)	4,5V, 10V	50mOhm @ 4,7A, 10V	1V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±20V	740 pF a 50 V	-	79W (Tc)
DT61N16KOFKHPSA1	-	Solicitação de cotação	6070	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto		125°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo						Conexão em Série - SCR/Diodo			download		Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	15					200 mA														1,6 kV	120A	1,4 V	1550A a 50Hz	120 mA	76A								1 SCR, 1 diodo
IRL3102SPBF	-	Solicitação de cotação	2199	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB				MOSFET (óxido metálico)				D2PAK	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal N						20 V	61A (Tc)	4,5V, 7V	13mOhm @ 37A, 7V	700mV a 250µA (mín.)	58 nC @ 4,5 V	±10V	2500 pF a 15 V	-	89W (Tc)
IHW40N60R	2.3100	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	TRENCHSTOP®	Volume	Ativo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão			305 W			PG-TO247-3-21	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	130						400 V, 40 A, 5,6 Ohm, 15 V																											Parada de campo de trincheira	600V	80A	120A	2,05V a 15V, 40A	750 µJ (desligado)	223nC	-/193ns
IKD06N65ET6ARMA1	1.5800	Solicitação de cotação	7	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IKD06N65	padrão			31W			PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	448-IKD06N65ET6ARMA1CT	EAR99	8541.29.0095	3.000						400V, 3A, 47Ohm, 15V																					30 segundos						Parada de campo de trincheira	650 V	9A	18A	1,9V a 15V, 3A	60 µJ (ligado), 30 µJ (desligado)	13,7nC	15ns/35ns
2PS24017E3CE32778NWSA1	-	Solicitação de cotação	4962	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto													-			REACH não afetado	448-2PS24017E3CE32778NWSA1	EAR99	8541.29.0095	1
17DN02S01EVOPRXPSA1	-	Solicitação de cotação	5515	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto			-	-	17DN02			-				-	-		Não aplicável	REACH não afetado	SP000541820	OBSOLETO	0000.00.0000	1		-																											-	-	-
BSO330N02KG	0,2300	Solicitação de cotação	1	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	BSO330N02			MOSFET (óxido metálico)	1,4 W			PG-DSO-8	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canais N (duplo)								20V	5.4A		30mOhm a 6,5A, 4,5V	1,2 V a 20 µA	4,9nC a 4,5V		730pF a 10V	Portão de nível lógico
IRGI4090PBF	-	Solicitação de cotação	7927	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		padrão			34W			Pacote completo TO-220AB	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001533850	EAR99	8541.29.0095	50						240V, 11A, 10Ohm																											Trincheira	300V	21A		1,94V a 15V, 30A	-	34nC	20ns/99ns
FZ1800R17HP4B9HOSA2	1.0000	Solicitação de cotação	6841	Tecnologias Infineon	IHM-B	Bandeja	Ativo		-40°C ~ 150°C	Montagem em chassi	Módulo	FZ1800				11.500 watts		padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor único																																Trincheira	1700V	1800 A		2,25V a 15V, 1800A							5 mA	Não	145 nF a 25 V
ND89N12KHPSA1	128.3200	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo			Montagem em chassi	Módulo	ND89N12			padrão				BG-PB20-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	15		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)																								1200 V		20 mA @ 1200 V	-40°C ~ 135°C	89A	-
BSZ0902NSIATMA1	1.2300	Solicitação de cotação	2095	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	BSZ0902			MOSFET (óxido metálico)				PG-TSDSON-8-FL	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N						30 V	21A (Ta), 40A (Tc)	4,5V, 10V	2,8mOhm a 30A, 10V	2V @ 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	1500 pF a 15 V	-	2,5W (Ta), 48W (Tc)
DBY 55-02W E6327	-	Solicitação de cotação	4891	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-80	ABY 55							SCD-80	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000																															6,5pF @ 10V, 1MHz											Solteiro	16V										3	C2/C10	-
IPD650P06NMSAUMA1	-	Solicitação de cotação	8943	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD650			MOSFET (óxido metálico)				PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP004987224	EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P						60 V	22A (Tc)	10V	65mOhm a 22A, 10V	4 V a 1,04 mA	39 nC @ 10 V	±20V	1600 pF a 30 V	-	83W (Tc)
IRG4BC30FDPBF	-	Solicitação de cotação	6890	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão			100 W			PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000						480V, 17A, 23Ohm, 15V																					42 ns						-	600V	31A	124A	1,8V a 15V, 17A	630 µJ (ligado), 1,39 mJ (desligado)	51nC	42ns/230ns
IRF7351PBF	-	Solicitação de cotação	9320	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF7351PBF			MOSFET (óxido metálico)	2W			8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001570426	EAR99	8541.29.0095	95	2 canais N (duplo)								60 V	8A		17,8mOhm a 8A, 10V	4V @ 50µA	36nC @ 10V		1330pF a 30V	Portão de nível lógico
BCR198E6393HTSA1	-	Solicitação de cotação	5440	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Última compra			Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR198				200 mW			PG-SOT23	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000010818	EAR99	8541.21.0075	3.000																																		50 V	100 mA									100nA (ICBO)			PNP - Pré-tendencioso	300mV @ 500µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	190 MHz	47 kOhms	47 kOhms