SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Tipo FET Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2) Figura de ruído (dB Typ @ f)
17DN02S01EVOPRXPSA1 Infineon Technologies 17DN02S01EVOPRXPSA1 -
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ECAD 5515 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto - - 17DN02 - - - Não aplicável REACH não afetado SP000541820 OBSOLETO 0000.00.0000 1 - - - -
IRGP4760PBF Infineon Technologies IRGP4760PBF -
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ECAD 6614 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 padrão 325 W TO-247AC download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001532824 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10Ohm, 15V - 650 V 90A 144A 2V a 15V, 48A 1,7mJ (ligado), 1mJ (desligado) 145nC 70ns/140ns
BFP420E6433HTMA1 Infineon Technologies BFP420E6433HTMA1 -
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ECAD 8833 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-82A, SOT-343 BFP420 160mW PG-SOT343-3D download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 10.000 21dB 5V 35mA NPN 60 @ 20mA, 4V 25GHz 1,1 dB a 1,8 GHz
T1590N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1590N26TOFVTXPSA1 740.0050
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ECAD 7672 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi DO-200AD T1590N26 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,8 kV 3200A 3V 32.000 A a 50 Hz 300 mA 1590A 1 SCR
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ070N08LS5ATMA1 1.6400
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ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™5 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSZ070 MOSFET (óxido metálico) PG-TSDSON-8-FL download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 80 V 40A (Tc) 4,5V, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 2,3 V a 36 µA 5 nC @ 4,5 V ±20V 2340 pF a 40 V padrão 69W (Tc)
IPD046N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPD046N08N5ATMA1 2.6000
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ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD046 MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 80 V 90A (Tc) 6V, 10V 4,6mOhm a 45A, 10V 3,8 V a 65 µA 53 nC @ 10 V ±20V 3800 pF a 40 V - 125W (Tc)
IRLR4343 Infineon Technologies IRLR4343 -
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ECAD 4703 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 55 V 26A (Tc) 4,5V, 10V 50mOhm @ 4,7A, 10V 1V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 740 pF a 50 V - 79W (Tc)
BCR 503 B6327 Infineon Technologies BCR503 B6327 -
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ECAD 6516 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Descontinuado na SIC Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR503 330 mW PG-SOT23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 30.000 50 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN - Pré-tendencioso 300mV a 2,5mA, 50mA 40 @ 50mA, 5V 100 MHz 2,2 kOhms 2,2 kOhms
IRG4BC30WSTRR Infineon Technologies IRG4BC30WSTRR -
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ECAD 6891 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto - Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IRG4BC30 padrão 100 W D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 - 600V 23A 2,7V a 15V, 12A
IRFR12N25DCTRRP Infineon Technologies IRFR12N25DCTRRP -
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ECAD 5770 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 250 V 14A (Tc) 10V 260mOhm @ 8,4A, 10V 5 V a 250 µA 35 nC @ 10 V ±30V 810 pF a 25 V - 144W (Tc)
IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5CGATMA1 3.9700
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ECAD 7676 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™5 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 9-PowerTDFN IQDH35 MOSFET (óxido metálico) PG-TTFN-9-U02 - Compatível com ROHS3 EAR99 8542.39.0001 5.000 Canal N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 4,5V, 10V 0,35mOhm a 50A, 10V 2 V a 1,46 mA 197 nC @ 10 V ±20V 18.000 pF a 15 V - 2,5 W (Ta), 278 W (Tc)
FS10R12YE3BOMA1 Infineon Technologies FS10R12YE3BOMA1 -
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ECAD 6402 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto FS10R12 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado OBSOLETO 0000.00.0000 20
F3L200R12W2H3BOMA1 Infineon Technologies F3L200R12W2H3BOMA1 81.1300
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ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-F3L200R12W2H3BOMA1 EAR99 8541.29.0095 1
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1 1.5100
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ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSC018 MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 4,5V, 10V 1,8mOhm a 30A, 10V 2V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2500 pF a 12 V - 2,5 W (Ta), 69 W (Tc)
SIPC10N65C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC10N65C3X1SA2 -
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ECAD 8939 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo - - - SIPC10 - - - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001611950 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IFS150B12N3E4PB50BPSA1 Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB50BPSA1 331.9400
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ECAD 5506 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo IFS150 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 6
IRL60S216 Infineon Technologies IRL60S216 -
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ECAD 5385 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, StrongIRFET™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IRL60S216 MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 60 V 195A (Tc) 4,5V, 10V 1,95mOhm a 100A, 10V 2,4 V a 250 µA 255 nC @ 4,5 V ±20V 15330 pF a 25 V - 375W (Tc)
IHW40N60R Infineon Technologies IHW40N60R 2.3100
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ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon TRENCHSTOP® Volume Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 padrão 305 W PG-TO247-3-21 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 0000.00.0000 130 400 V, 40 A, 5,6 Ohm, 15 V Parada de campo de trincheira 600V 80A 120A 2,05V a 15V, 40A 750 µJ (desligado) 223nC -/193ns
ACCESSORY31804NOSA1 Infineon Technologies ACESSÓRIO31804NOSA1 -
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ECAD 9303 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto ACESSÓRIO3 - REACH não afetado 448-ACESSÓRIO31804NOSA1 EAR99 8542.39.0001 1
IRGI4090PBF Infineon Technologies IRGI4090PBF -
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ECAD 7927 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 padrão 34W Pacote completo TO-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001533850 EAR99 8541.29.0095 50 240V, 11A, 10Ohm Trincheira 300V 21A 1,94V a 15V, 30A - 34nC 20ns/99ns
TZ810N22KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies TZ810N22KOFTIMHPSA1 627.6000
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ECAD 1391 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo 125°C (TJ) Montagem em chassi Módulo TZ810N22 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 2,2kV 1500A 2V 39000A a 50Hz 250 mA 819A 1 SCR
BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1 2.0600
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ECAD 4721 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSC900 MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-5 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 200 V 15,2A(Tc) 10V 90mOhm @ 7,6A, 10V 4 V a 30 µA 11,6 nC a 10 V ±20V 920 pF a 100 V - 62,5W (Tc)
IAUA200N04S5N010ATMA1 Infineon Technologies IAUA200N04S5N010ATMA1 -
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ECAD 5669 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™-5 Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 5-PowerSFN MOSFET (óxido metálico) PG-HSOF-5-1 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 448-IAUA200N04S5N010ATMA1TR EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 40 V 200A (Tc) 7V, 10V 1mOhm a 100A, 10V 3,4 V a 100 µA 132 nC @ 10 V ±20V 7650 pF a 25 V - 167W (Tc)
BCR198E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR198E6393HTSA1 -
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ECAD 5440 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Última compra Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR198 200 mW PG-SOT23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000010818 EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 500µA, 10mA 70 @ 5mA, 5V 190 MHz 47 kOhms 47 kOhms
BCR148SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR148SH6327XTSA1 0,0975
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ECAD 4407 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Última compra Montagem em superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR148 250mW PG-SOT363-PO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA - 2 NPN - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 500µA, 10mA 70 @ 5mA, 5V 100MHz 47kOhms 47kOhms
IRFS3107PBF Infineon Technologies IRFS3107PBF -
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ECAD 8393 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 75 V 195A (Tc) 10V 3mOhm @ 140A, 10V 4 V a 250 µA 240 nC @ 10 V ±20V 9370 pF a 50 V - 370W (Tc)
IRG4IBC30W Infineon Technologies IRG4IBC30W -
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ECAD 7887 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 IRG4IBC padrão 45W PG-TO220-FP download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRG4IBC30W EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 23Ohm, 15V - 600V 17A 92A 2,7V a 15V, 12A 130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado) 51nC 25ns/99ns
BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSZ0902NSIATMA1 1.2300
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ECAD 2095 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSZ0902 MOSFET (óxido metálico) PG-TSDSON-8-FL download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 4,5V, 10V 2,8mOhm a 30A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1500 pF a 15 V - 2,5W (Ta), 48W (Tc)
BSS87H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS87H6327XTSA1 0,1749
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ECAD 7217 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Fita e Carretel (TR) Não para novos designs -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-243AA BSS87 MOSFET (óxido metálico) PG-SOT89-4-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001195034 EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 240V 260mA (Ta) 4,5V, 10V 6 Ohm a 260 mA, 10 V 1,8 V a 108 µA 5,5 nC a 10 V ±20V 97 pF a 25 V - 1W (Ta)
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies ISZ065N03L5SATMA1 0,7100
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ECAD 36 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN ISZ065 MOSFET (óxido metálico) PG-TSDSON-8-FL download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 4,5V, 10V 6,5mOhm a 20A, 10V 2V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 670 pF a 15 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque