SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Atual – Máx. Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Resistência @ Se, F Tipo de transistor Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Figura de ruído (dB Typ @ f)
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 242.7250
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ECAD 4903 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo DDB2U60N12 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 8
IRGI4056DPBF Infineon Technologies IRGI4056DPBF -
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ECAD 7422 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 padrão 34W Pacote completo TO-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 9A, 22Ohm, 15V 72 segundos Trincheira 600V 18A 27A 1,65V a 15V, 9A 59 µJ (ligado), 177 µJ (desligado) 25 nC 34ns/84ns
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65RF5XKSA1 12.0100
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ECAD 6493 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 Tubo Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 AIKW50 padrão 250W PG-TO247-3 download Compatível com ROHS3 Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12Ohm, 15V Parada de campo de trincheira 650 V 80A 150A 2,1V a 15V, 50A 310 µJ (ligado), 120 µJ (desligado) 109nC 20ns/156ns
TT400N24KOFHPSA1 Infineon Technologies TT400N24KOFHPSA1 -
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ECAD 9720 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TT400N Conexão em série - Todos os SCRs download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,4kV 800A 2,2V 13000A a 50Hz 250 mA 510A 2 SCRs
FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1 Infineon Technologies FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1 -
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ECAD 9885 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1
IRF7341QTRPBF Infineon Technologies IRF7341QTRPBF -
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ECAD 8867 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita Cortada (CT) Obsoleto Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) IRF734 MOSFET (óxido metálico) 2,4W 8-SO download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 canais N (duplo) 55 V 5.1A 50mOhm @ 5,1A, 10V 1V @ 250µA (mín.) 44nC @ 10V 780pF a 25V Portão de nível lógico
MA13039695NDSA1 Infineon Technologies MA13039695NDSA1 -
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ECAD 5492 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - REACH não afetado 448-MA13039695NDSA1 EAR99 8541.29.0095 1
BAT 62-09S E6327 Infineon Technologies BASTÃO 62-09S E6327 -
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ECAD 9017 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Descontinuado na SIC 150°C (TJ) 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAT62 PG-SOT363-PO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 3.000 20 mA 100 mW 0,6pF a 0V, 1MHz Schottky - 2 Independentes 40V -
IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies IPD18DP10LMATMA1 1.5500
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ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD18D MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100V 2,5A (Ta), 13,9A (Tc) 4,5V, 10V 178mOhm @ 13A, 10V 2 V a 1,04 mA 42 nC @ 10 V ±20V 2100 pF a 50 V - 3W (Ta), 83W (Tc)
IPC60R360P7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R360P7X7SA1 -
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ECAD 1968 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo IPC60R - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001681342 0000.00.0000 1 -
SKW07N120FKSA1 Infineon Technologies SKW07N120FKSA1 -
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ECAD 3870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 SKW07N padrão 125W PG-TO247-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 240 800V, 8A, 47Ohm, 15V 60 ns TNP 1200 V 16,5A 27A 3,6V a 15V, 8A 1mJ 70nC 27ns/440ns
IRF8113 Infineon Technologies IRF8113 -
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ECAD 5383 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-SO download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRF8113 EAR99 8541.29.0095 95 Canal N 30 V 17,2A (Ta) 4,5V, 10V 5,6mOhm a 17,2A, 10V 2,2 V a 250 µA 36 nC @ 4,5 V ±20V 2.910 pF a 15 V - 2,5W (Ta)
SPD07N60C3 Infineon Technologies SPD07N60C3 -
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ECAD 7670 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SPD07N MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000077605 EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600V 7,3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4,6A, 10V 3,9 V a 350 µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF a 25 V - 83W (Tc)
T4771N22TOFXPSA1 Infineon Technologies T4771N22TOFXPSA1 4.0000
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ECAD 7012 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em chassi TO-200AF T4771N22 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 1 350 mA 2,9kV 6820A 2,5 V 100.000 A a 50 Hz 350 mA 6110A 1 SCR
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 1.5800
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ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSC0923 MOSFET (óxido metálico) 1W PG-TISON-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (duplo) assimétricos 30V 17A, 32A 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10nC a 4,5V 1160pF ​​​​a 15V Porta de nível lógico, unidade de 4,5 V
AUIRF1404STRL Infineon Technologies AUIRF1404STRL -
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ECAD 2703 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB AUIRF1404 MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001517298 EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 40 V 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4 V a 250 µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRL3102SPBF Infineon Technologies IRL3102SPBF -
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ECAD 2199 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 20 V 61A (Tc) 4,5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 700mV a 250µA (mín.) 58 nC @ 4,5 V ±10V 2500 pF a 15 V - 89W (Tc)
SPP24N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPP24N60C3HKSA1 -
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ECAD 3269 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 SPP24N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 650 V 24,3A(Tc) 10V 160mOhm @ 15,4A, 10V 3,9 V a 1,2 mA 135 nC @ 10 V ±20V 3000 pF a 25 V - 240W (Tc)
BSC005N03LS5IATMA1 Infineon Technologies BSC005N03LS5IATMA1 2.8300
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ECAD 313 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8 FL download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 4,5V, 10V 0,55mOhm a 50A, 10V 2V a 10mA 128 nC @ 10 V ±20V 8.000 pF a 15 V - 3W (Ta), 188W (Tc)
BFG 235 E6327 Infineon Technologies BFG 235 E6327 -
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ECAD 1508 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA BFG 235 2W PG-SOT223-4 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0075 1.000 12,5dB 15V 300mA NPN 75 @ 200mA, 8V 5,5GHz 1,7 dB a 900 MHz
IRG4BC30S-S Infineon Technologies IRG4BC30S-S -
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ECAD 1124 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB padrão 100 W D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 18A, 23Ohm, 15V - 600V 34A 68A 1,6V a 15V, 18A 260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado) 50nC 22ns/540ns
BSP613P Infineon Technologies BSP613P -
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ECAD 3921 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) PG-SOT223-4-21 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal P 60 V 2,9A (Ta) 10V 130mOhm a 2,9A, 10V 4V @ 1mA 33 nC @ 10 V ±20V 875 pF a 25 V - 1,8W (Ta)
ST194E6716HTSA1 Infineon Technologies ST194E6716HTSA1 -
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ECAD 4109 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-ST194E6716HTSA1-448 EAR99 0000.00.0000 1
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 -
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ECAD 3861 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi Módulo DF11MR12 Carboneto de Silício (SiC) 20mW AG-EASY1BM-2 download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 24 2 canais N (duplo) 1200V (1,2kV) 50A 23mOhm a 50A, 15V 5,5 V a 20 mA 125nC @ 5V 3950pF a 800V -
IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3GATMA1 7.2200
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ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) IPB025 MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-7 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 180A (Tc) 6V, 10V 2,5mOhm a 100A, 10V 3,5 V a 275 µA 206 nC @ 10 V ±20V 14.800 pF a 50 V - 300W (Tc)
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL214NH6327XTSA1 -
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ECAD 8013 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 BSL214 MOSFET (óxido metálico) 500mW PG-TSOP6-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais N (duplo) 20V 1,5A 140mOhm a 1,5A, 4,5V 1,2 V a 3,7 µA 0,8nC a 5V 143pF a 10V Porta de nível lógico, unidade de 2,5 V
IRGI4045DPBF Infineon Technologies IRGI4045DPBF -
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ECAD 4647 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 padrão 33W Pacote completo TO-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 6A, 47Ohm, 15V 73 ns Trincheira 600V 11A 18A 2V a 15V, 6A 64 µJ (ligado), 123 µJ (desligado) 13nC 26ns/73ns
F4150R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA1 -
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ECAD 7693 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoDUAL™ 3 Bandeja Descontinuado na SIC -40°C ~ 150°C Montagem em chassi Módulo F4150R17 padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 6 Ponte Completa Parada de campo de trincheira 1700V 230A 2,3 V a 15 V, 150 A 3 mA Não 12 nF a 25 V
FD900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies FD900R12IP4DVBOSA1 652.3233
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ECAD 3835 0,00000000 Tecnologias Infineon PrimePACK™2 Bandeja Não para novos designs -40°C ~ 150°C Montagem em chassi Módulo FD900R12 5100 W padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3 Solteiro Parada de campo de trincheira 1200 V 900A 2,05 V a 15 V, 900 A 5 mA Sim 54 nF a 25 V
TT142N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TT142N12KOFHPSA1 -
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ECAD 1361 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TT142N Conexão em série - Todos os SCRs download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 8 200 mA 1,2 kV 2V 4800A a 50Hz 150 mA 142A 2 SCRs
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque