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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Estrutura | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Atual – Máx. | Atual - Espera (Ih) (Máx.) | Condição de teste | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Resistência @ Se, F | Tipo de transistor | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 | 242.7250 | ![]() | 4903 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | DDB2U60N12 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGI4056DPBF | - | ![]() | 7422 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 34W | Pacote completo TO-220AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 9A, 22Ohm, 15V | 72 segundos | Trincheira | 600V | 18A | 27A | 1,65V a 15V, 9A | 59 µJ (ligado), 177 µJ (desligado) | 25 nC | 34ns/84ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW50N65RF5XKSA1 | 12.0100 | ![]() | 6493 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Tubo | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | AIKW50 | padrão | 250W | PG-TO247-3 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12Ohm, 15V | Parada de campo de trincheira | 650 V | 80A | 150A | 2,1V a 15V, 50A | 310 µJ (ligado), 120 µJ (desligado) | 109nC | 20ns/156ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT400N24KOFHPSA1 | - | ![]() | 9720 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TT400N | Conexão em série - Todos os SCRs | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2,4kV | 800A | 2,2V | 13000A a 50Hz | 250 mA | 510A | 2 SCRs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1 | - | ![]() | 9885 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Bandeja | Obsoleto | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7341QTRPBF | - | ![]() | 8867 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF734 | MOSFET (óxido metálico) | 2,4W | 8-SO | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canais N (duplo) | 55 V | 5.1A | 50mOhm @ 5,1A, 10V | 1V @ 250µA (mín.) | 44nC @ 10V | 780pF a 25V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA13039695NDSA1 | - | ![]() | 5492 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | - | REACH não afetado | 448-MA13039695NDSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BASTÃO 62-09S E6327 | - | ![]() | 9017 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | 150°C (TJ) | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAT62 | PG-SOT363-PO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 20 mA | 100 mW | 0,6pF a 0V, 1MHz | Schottky - 2 Independentes | 40V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD18DP10LMATMA1 | 1.5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD18D | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100V | 2,5A (Ta), 13,9A (Tc) | 4,5V, 10V | 178mOhm @ 13A, 10V | 2 V a 1,04 mA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF a 50 V | - | 3W (Ta), 83W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R360P7X7SA1 | - | ![]() | 1968 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | IPC60R | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001681342 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKW07N120FKSA1 | - | ![]() | 3870 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SKW07N | padrão | 125W | PG-TO247-3-1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 800V, 8A, 47Ohm, 15V | 60 ns | TNP | 1200 V | 16,5A | 27A | 3,6V a 15V, 8A | 1mJ | 70nC | 27ns/440ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8113 | - | ![]() | 5383 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF8113 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal N | 30 V | 17,2A (Ta) | 4,5V, 10V | 5,6mOhm a 17,2A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 36 nC @ 4,5 V | ±20V | 2.910 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD07N60C3 | - | ![]() | 7670 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SPD07N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP000077605 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600V | 7,3A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4,6A, 10V | 3,9 V a 350 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 790 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T4771N22TOFXPSA1 | 4.0000 | ![]() | 7012 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | TO-200AF | T4771N22 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 350 mA | 2,9kV | 6820A | 2,5 V | 100.000 A a 50 Hz | 350 mA | 6110A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC0923NDIATMA1 | 1.5800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | BSC0923 | MOSFET (óxido metálico) | 1W | PG-TISON-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canais N (duplo) assimétricos | 30V | 17A, 32A | 5mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 10nC a 4,5V | 1160pF a 15V | Porta de nível lógico, unidade de 4,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1404STRL | - | ![]() | 2703 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | AUIRF1404 | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001517298 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 4 V a 250 µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 7360 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3102SPBF | - | ![]() | 2199 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 20 V | 61A (Tc) | 4,5V, 7V | 13mOhm @ 37A, 7V | 700mV a 250µA (mín.) | 58 nC @ 4,5 V | ±10V | 2500 pF a 15 V | - | 89W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP24N60C3HKSA1 | - | ![]() | 3269 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SPP24N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 650 V | 24,3A(Tc) | 10V | 160mOhm @ 15,4A, 10V | 3,9 V a 1,2 mA | 135 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF a 25 V | - | 240W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC005N03LS5IATMA1 | 2.8300 | ![]() | 313 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | PG-TDSON-8 FL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 30 V | 42A (Ta), 433A (Tc) | 4,5V, 10V | 0,55mOhm a 50A, 10V | 2V a 10mA | 128 nC @ 10 V | ±20V | 8.000 pF a 15 V | - | 3W (Ta), 188W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG 235 E6327 | - | ![]() | 1508 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | BFG 235 | 2W | PG-SOT223-4 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12,5dB | 15V | 300mA | NPN | 75 @ 200mA, 8V | 5,5GHz | 1,7 dB a 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30S-S | - | ![]() | 1124 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 100 W | D2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 18A, 23Ohm, 15V | - | 600V | 34A | 68A | 1,6V a 15V, 18A | 260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado) | 50nC | 22ns/540ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP613P | - | ![]() | 3921 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | SIPMOS® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | PG-SOT223-4-21 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P | 60 V | 2,9A (Ta) | 10V | 130mOhm a 2,9A, 10V | 4V @ 1mA | 33 nC @ 10 V | ±20V | 875 pF a 25 V | - | 1,8W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST194E6716HTSA1 | - | ![]() | 4109 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-ST194E6716HTSA1-448 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF11MR12W1M1B11BOMA1 | - | ![]() | 3861 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | DF11MR12 | Carboneto de Silício (SiC) | 20mW | AG-EASY1BM-2 | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 24 | 2 canais N (duplo) | 1200V (1,2kV) | 50A | 23mOhm a 50A, 15V | 5,5 V a 20 mA | 125nC @ 5V | 3950pF a 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB025N10N3GATMA1 | 7.2200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | IPB025 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-7 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 100V | 180A (Tc) | 6V, 10V | 2,5mOhm a 100A, 10V | 3,5 V a 275 µA | 206 nC @ 10 V | ±20V | 14.800 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL214NH6327XTSA1 | - | ![]() | 8013 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | BSL214 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | PG-TSOP6-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 1,5A | 140mOhm a 1,5A, 4,5V | 1,2 V a 3,7 µA | 0,8nC a 5V | 143pF a 10V | Porta de nível lógico, unidade de 2,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGI4045DPBF | - | ![]() | 4647 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 33W | Pacote completo TO-220AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 6A, 47Ohm, 15V | 73 ns | Trincheira | 600V | 11A | 18A | 2V a 15V, 6A | 64 µJ (ligado), 123 µJ (desligado) | 13nC | 26ns/73ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4150R17ME4B11BPSA1 | - | ![]() | 7693 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EconoDUAL™ 3 | Bandeja | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C | Montagem em chassi | Módulo | F4150R17 | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Ponte Completa | Parada de campo de trincheira | 1700V | 230A | 2,3 V a 15 V, 150 A | 3 mA | Não | 12 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD900R12IP4DVBOSA1 | 652.3233 | ![]() | 3835 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | PrimePACK™2 | Bandeja | Não para novos designs | -40°C ~ 150°C | Montagem em chassi | Módulo | FD900R12 | 5100 W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 900A | 2,05 V a 15 V, 900 A | 5 mA | Sim | 54 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT142N12KOFHPSA1 | - | ![]() | 1361 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TT142N | Conexão em série - Todos os SCRs | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 8 | 200 mA | 1,2 kV | 2V | 4800A a 50Hz | 150 mA | 142A | 2 SCRs |

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