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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Estrutura	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Atual – Máx.	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Número de SCRs, Diodos	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Resistência @ Se, F	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Razão de capacitância	Condição da relação de capacitância	Q @ Vr, F
BCP5610H6327XTSA1	0,2968	Solicitação de cotação	7884	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Última compra	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA	BCP56			2W		PG-SOT223-4-10	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0075	1.000																																80 V	1A								100nA (ICBO)		NPN	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
IRF7468TR	-	Solicitação de cotação	5124	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)			8-SO	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal N				40 V	9,4A (Ta)	4,5V, 10V	15,5mOhm @ 9,4A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 4,5 V	±12V	2.460 pF a 20 V	-	2,5W (Ta)
BB814E6359HTMA1	0,1200	Solicitação de cotação	40	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 125°C	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3						PG-SOT23-3-1	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	10.000																													22,7 pF a 8 V, 1 MHz										1 par de cátodo comum	18V							2,25	C2/C8	200 @ 2 V, 100 MHz
IDH10G65C5XKSA2	4.9000	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Ativo		Através do furo	PARA-220-2	IDH10G65		SiC (carboneto de silício) Schottky			PG-TO220-2-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	50		Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)																					650 V	1,7 V a 10 A	0 ns	180 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	10A	300pF @ 1V, 1MHz
IMBG120R053M2HXTMA1	9.2962	Solicitação de cotação	4186	Tecnologias Infineon	*	Fita e Carretel (TR)	Ativo										-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	448-IMBG120R053M2HXTMA1TR			1.000
BC 847C E6433	0,0300	Solicitação de cotação	30	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				330 mW		PG-SOT23	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	9.427																																45V	100 mA								15nA (ICBO)		NPN	600mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	250MHz
IRGB4056DPBF	-	Solicitação de cotação	8759	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRGB4056	padrão		140W		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50						400V, 12A, 22Ohm, 15V																			68 ns						Trincheira	600V	24A	48A	1,85V a 15V, 12A	75 µJ (ligado), 225 µJ (desligado)	25 nC	31ns/83ns
IPB50CN10NGATMA1	-	Solicitação de cotação	1538	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)			PG-TO263-3-2	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N				100V	20A (Tc)	10V	50mOhm a 20A, 10V	4 V a 20 µA	16 nC @ 10 V	±20V	1090 pF a 50 V	-	44W (Tc)
IPP26CN10NGHKSA1	-	Solicitação de cotação	8519	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IPP26C		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N				100V	35A (Tc)	10V	26mOhm a 35A, 10V	4V @ 39µA	31 nC @ 10 V	±20V	2070 pF a 50 V	-	71W (Tc)
BTS282ZE3230AKSA2	6.7900	Solicitação de cotação	8370	Tecnologias Infineon	TEMPFET®	Tubo	Não para novos designs	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-7	BTS282		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-7-12	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal N				49V	80A (Tc)	4,5V, 10V	6,5mOhm a 36A, 10V	2V @ 240µA	232 nC @ 10 V	±20V	4800 pF a 25 V	Sensor de temperatura Diodo	300W (Tc)
IPT012N08N5ATMA1	6.9200	Solicitação de cotação	1	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerSFN	IPT012		MOSFET (óxido metálico)			PG-HSOF-8-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canal N				80 V	300A (Tc)	6V, 10V	1,2mOhm a 150A, 10V	3,8 V a 280 µA	223 nC @ 10 V	±20V	17.000 pF a 40 V	-	375W (Tc)
IPI028N08N3GHKSA1	-	Solicitação de cotação	4652	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA	IPI028N		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO262-3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N				80 V	100A (Tc)	6V, 10V	2,8mOhm a 100A, 10V	3,5 V a 270 µA	206 nC @ 10 V	±20V	14.200 pF a 40 V	-	300W (Tc)
IRFR220NTRLPBF	0,9700	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR220		MOSFET (óxido metálico)			D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N				200 V	5A (Tc)	10V	600mOhm @ 2,9A, 10V	4 V a 250 µA	23 nC @ 10 V	±20V	300 pF a 25 V	-	43W (Tc)
IHW20N65R5XKSA1	3.3200	Solicitação de cotação	291	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Tubo	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IHW20N65	padrão		150 W		PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30						400V, 10A, 20Ohm, 15V																			68 ns						-	650 V	40A	60A	1,7V a 15V, 20A	300 µJ (ligado), 70 µJ (desligado)	97nC	24ns/250ns
IRFC3006EB	-	Solicitação de cotação	4564	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto										download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001566680	OBSOLETO	0000.00.0000	1								-
IRFR5410TRRPBF	0,7747	Solicitação de cotação	7302	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR5410		MOSFET (óxido metálico)			D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P				100V	13A (Tc)	10V	205mOhm @ 7,8A, 10V	4 V a 250 µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF a 25 V	-	66W (Tc)
IPD90N04S403ATMA1	1.8900	Solicitação de cotação	5	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD90		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal N				40 V	90A (Tc)	10V	3,2mOhm a 90A, 10V	4V @ 53µA	66,8 nC @ 10 V	±20V	5260 pF a 25 V	-	94W (Tc)
IPP086N10N3GHKSA1	-	Solicitação de cotação	5444	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IPP086N		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000485980	EAR99	8541.29.0095	500			Canal N				100V	80A (Tc)	6V, 10V	8,6mOhm a 73A, 10V	3,5 V a 75 µA	55 nC @ 10 V	±20V	3.980 pF a 50 V	-	125W (Tc)
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1	242.7250	Solicitação de cotação	4903	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo				DDB2U60N12						-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	8
IRGI4056DPBF	-	Solicitação de cotação	7422	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		padrão		34W		Pacote completo TO-220AB	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50						400V, 9A, 22Ohm, 15V																			72 segundos						Trincheira	600V	18A	27A	1,65V a 15V, 9A	59 µJ (ligado), 177 µJ (desligado)	25 nC	34ns/84ns
AIKW50N65RF5XKSA1	12.0100	Solicitação de cotação	6493	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop™ 5	Tubo	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AIKW50	padrão		250W		PG-TO247-3	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30						400V, 25A, 12Ohm, 15V																									Parada de campo de trincheira	650 V	80A	150A	2,1V a 15V, 50A	310 µJ (ligado), 120 µJ (desligado)	109nC	20ns/156ns
TT400N24KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	9720	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	TT400N				Conexão em série - Todos os SCRs		download		Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA												2,4kV	800A	2,2V	13000A a 50Hz	250 mA	510A								2 SCRs
FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1	-	Solicitação de cotação	9885	Tecnologias Infineon	*	Bandeja	Obsoleto										download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
IRF7341QTRPBF	-	Solicitação de cotação	8867	Tecnologias Infineon	-	Fita Cortada (CT)	Obsoleto		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF734		MOSFET (óxido metálico)	2,4W		8-SO	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canais N (duplo)						55 V	5.1A		50mOhm @ 5,1A, 10V	1V @ 250µA (mín.)	44nC @ 10V		780pF a 25V	Portão de nível lógico
MA13039695NDSA1	-	Solicitação de cotação	5492	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto										-			REACH não afetado	448-MA13039695NDSA1	EAR99	8541.29.0095	1
BASTÃO 62-09S E6327	-	Solicitação de cotação	9017	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC	150°C (TJ)		6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BAT62					PG-SOT363-PO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	3.000				20 mA												100 mW													0,6pF a 0V, 1MHz										Schottky - 2 Independentes	40V		-
IPD18DP10LMATMA1	1.5500	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD18D		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P				100V	2,5A (Ta), 13,9A (Tc)	4,5V, 10V	178mOhm @ 13A, 10V	2 V a 1,04 mA	42 nC @ 10 V	±20V	2100 pF a 50 V	-	3W (Ta), 83W (Tc)
IPC60R360P7X7SA1	-	Solicitação de cotação	1968	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo				IPC60R						-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001681342		0000.00.0000	1								-
SKW07N120FKSA1	-	Solicitação de cotação	3870	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SKW07N	padrão		125W		PG-TO247-3-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	240						800V, 8A, 47Ohm, 15V																			60 ns						TNP	1200 V	16,5A	27A	3,6V a 15V, 8A	1mJ	70nC	27ns/440ns
IRF8113	-	Solicitação de cotação	5383	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)			8-SO	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRF8113	EAR99	8541.29.0095	95			Canal N				30 V	17,2A (Ta)	4,5V, 10V	5,6mOhm a 17,2A, 10V	2,2 V a 250 µA	36 nC @ 4,5 V	±20V	2.910 pF a 15 V	-	2,5W (Ta)