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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Estrutura	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Capacitância @ Vr, F	Número de SCRs, Diodos	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Figura de ruído (dB Typ @ f)	Razão de capacitância	Condição da relação de capacitância	Q @ Vr, F
BFR181E6327	0,0800	Solicitação de cotação	48	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				175mW			PG-SOT23	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000						18,5dB																											12V	20mA											NPN		70 @ 5mA, 8V	8GHz	0,9dB ~ 1,2dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
FF400R17KF4CNOSA1	-	Solicitação de cotação	9813	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo											-						0000.00.0000	1
IRG8B08N120KDPBF	-	Solicitação de cotação	4681	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRG8B	padrão		89W			PARA-220AB	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001542028	OBSOLETO		50					600V, 5A, 47Ohm, 15V																						50 ns					-	1200 V	15A	15A	2V a 15V, 5A	300 µJ (ligado), 300 µJ (desligado)	45nC	20ns/160ns
IPD650P06NMATMA1	1.6900	Solicitação de cotação	16	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD650		MOSFET (óxido metálico)				PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P				60 V	22A (Tc)	10V	65mOhm a 22A, 10V	4 V a 1,04 mA	39 nC @ 10 V	±20V	1600 pF a 30 V	-	83W (Tc)
DD800N22KXPSA1	352.8550	Solicitação de cotação	8926	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo											-	Compatível com ROHS3			448-DD800N22KXPSA1	EAR99	8541.30.0080	2
IRL3303L	-	Solicitação de cotação	5852	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)				PARA-262	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRL3303L	EAR99	8541.29.0095	50			Canal N				30 V	38A (Tc)	4,5V, 10V	26mOhm @ 20A, 10V	1V @ 250µA	26 nC @ 4,5 V	±16V	870 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 68 W (Tc)
IRL1104S	-	Solicitação de cotação	1816	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)				D2PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRL1104S	EAR99	8541.29.0095	50			Canal N				40 V	104A (Tc)	4,5V, 10V	8mOhm @ 62A, 10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4,5 V	±16V	3445 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 167 W (Tc)
IRF3706STRL	-	Solicitação de cotação	9948	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)				D2PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal N				20 V	77A (Tc)	2,8V, 10V	8,5mOhm a 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4,5 V	±12V	2.410 pF a 10 V	-	88W (Tc)
T830N14TOFXPSA1	152.3900	Solicitação de cotação	9782	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	DO-200AB, B-PUK	T830N14				Solteiro			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	9				300 mA													1,8kV	1500A	1,5 V	14500A a 50Hz	250 mA	844A									1 SCR
IHW20N120R3FKSA1	-	Solicitação de cotação	5444	Tecnologias Infineon	TrenchStop®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IHW20	padrão		310 W			PG-TO247-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	240					600V, 20A, 15Ohm, 15V																											Trincheira	1200 V	40A	60A	1,7V a 15V, 20A	950 µJ (desligado)	211nC	-/387ns
IRF7755GTPPBF	-	Solicitação de cotação	6359	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita Cortada (CT)	Obsoleto		Montagem em superfície	8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura)	IRF775		MOSFET (óxido metálico)	1W			8-TSSOP	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canais P (duplo)						20V	3.9A		51mOhm @ 3,7A, 4,5V	1,2 V a 250 µA	17nC a 4,5V		1090pF a 15V	Portão de nível lógico
SMBT 3906 B5003	-	Solicitação de cotação	9409	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMBT3906			330 mW			PG-SOT23	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																	40 V	200 mA								50nA (ICBO)			PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
FS35R12KE3GBPSA1	109.1653	Solicitação de cotação	2376	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo	FS35R12			200W		padrão	AG-ECONO2B	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de ponte completa																															-	1200 V	55A		2,15V a 15V, 35A						5 mA	Sim	2,5 nF a 25 V
SPB16N50C3	-	Solicitação de cotação	1932	Tecnologias Infineon	*	Volume	Ativo											-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000
ABY57-02L E6327	-	Solicitação de cotação	7815	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 125°C (TJ)	Montagem em superfície	SOD-882	DBY 57						PG-TSLP-2-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	15.000																														5,5pF @ 4V, 1MHz										Solteiro	10V									4,5	C1/C4	-
IRFR120NTRLPBF	0,9800	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Não para novos designs	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR120		MOSFET (óxido metálico)				PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N				100V	9,4A (Tc)	10V	210mOhm @ 5,6A, 10V	4 V a 250 µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF a 25 V	-	48W (Tc)
TD140N22KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	9414	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	TD140N22				Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	8				200 mA													2,2kV	250A	2V	4000A a 50Hz	150 mA	159A									1 SCR, 1 diodo
IRG7CH23K10EF	-	Solicitação de cotação	9368	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto				IRG7CH							download		Não aplicável	REACH não afetado	SP001545918	OBSOLETO	0000.00.0000	1
IRF7509TR	-	Solicitação de cotação	7299	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura)	IRF7509		MOSFET (óxido metálico)	1,25W			Micro8™	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000	Canal N e P						30V	2,7A, 2A		110mOhm @ 1,4A, 10V	1V @ 250µA	12nC @ 10V		210pF a 25V	Portão de nível lógico
TD104N12KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	6083	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 140°C	Montagem em chassi	Módulo	TD104N12				Conexão em Série - SCR/Diodo			download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	15				200 mA													1,4kV	160A	1,4 V	2050A a 50Hz	120 mA	104A									1 SCR, 1 diodo
FS25R12YT3BOMA1	-	Solicitação de cotação	3906	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	FS25R12			165W		padrão	Módulo	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	20	Inversor Trifásico																															-	1200 V	40A		2,15V a 15V, 25A						5 mA	Sim	1,8 nF a 25 V
IRLMS2002TRPBF	0,7200	Solicitação de cotação	125	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOT-23-6	IRLMS2002		MOSFET (óxido metálico)				Micro6™(SOT23-6)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N				20 V	6,5A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	30mOhm a 6,5A, 4,5V	1,2 V a 250 µA	22 nC @ 5 V	±12V	1310 pF a 15 V	-	2W (Ta)
BAV 70W H6327	0,0400	Solicitação de cotação	78	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo		Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	BAV 70		padrão				SOT-323	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0070	7.194		Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade																					1 par de cátodo comum	80 V	200mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4 ns	150 nA @ 70 V	150°C (máx.)
AUIRGF65G40D0	-	Solicitação de cotação	9587	Tecnologias Infineon	CooliRIGBT™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRGF65	padrão		625 W			TO-247AD	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001511798	EAR99	8541.29.0095	400					400 V, 20 A, 4,7 Ohm, 15 V																						41 ns					-	600V	62A	84A	2,2 V a 15 V, 20 A	298 µJ (ligado), 147 µJ (desligado)	270nC	35ns/142ns
SPS04N60C3AKMA1	0,6000	Solicitação de cotação	25	Tecnologias Infineon	*	Volume	Ativo											download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
ICA32V04X1SA1	-	Solicitação de cotação	9634	Tecnologias Infineon	*	Volume	Obsoleto											download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000949952	OBSOLETO	0000.00.0000	1
TT310N26KOFHPSA1	-	Solicitação de cotação	8252	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	TT310N				Conexão em série - Todos os SCRs			download		Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA													2,6 kV	700A	1,5 V	10000A a 50Hz	250 mA	446A									2 SCRs
IRF3706STRRPBF	-	Solicitação de cotação	7469	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)				D2PAK	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal N				20 V	77A (Tc)	2,8V, 10V	8,5mOhm a 15A, 10V	2V @ 250µA	35 nC @ 4,5 V	±12V	2.410 pF a 10 V	-	88W (Tc)
FP35R12U1T4BPSA1	151.0773	Solicitação de cotação	8849	Tecnologias Infineon	SmartPIM1	Bandeja	Não para novos designs	-40°C ~ 150°C	Montagem em chassi	Módulo	FP35R12			250W		padrão	Módulo	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	30	Inversor Trifásico																															Parada de campo de trincheira	1200 V	54A		2,25V a 15V, 35A						1mA	Sim	2 nF a 25 V
IRLL1503	-	Solicitação de cotação	6701	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Através do furo	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)				SOT-223	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	80			Canal N				30 V	75A (Ta)		3,3mOhm a 140A, 10V	4 V a 250 µA	200 nC @ 10 V		5730 pF a 25 V	-	-