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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Estrutura | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Atual - Espera (Ih) (Máx.) | Condição de teste | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC057N03MSGATMA1 | - | ![]() | 7503 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | BSC057 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TDSON-8-5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 30 V | 15A (Ta), 71A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,7mOhm a 30A, 10V | 2V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±16V | 3100 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta), 45W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUT300N10S5N014ATMA1 | 7.2800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerSFN | MOSFET (óxido metálico) | PG-HSOF-8-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 100V | 360A (Tj) | 6V, 10V | 1,4mOhm a 100A, 10V | 3,8 V a 275 µA | 216 nC @ 10 V | ±20V | 16011 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1590N26TOFVTXPSA1 | 740.0050 | ![]() | 7672 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | DO-200AD | T1590N26 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2,8 kV | 3200A | 3V | 32.000 A a 50 Hz | 300 mA | 1590A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ070N08LS5ATMA1 | 1.6400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™5 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | BSZ070 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TSDSON-8-FL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 80 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 20A, 10V | 2,3 V a 36 µA | 5 nC @ 4,5 V | ±20V | 2340 pF a 40 V | padrão | 69W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD500N16KOFHOSA1 | - | ![]() | 5359 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Última compra | 125°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | TD500N16 | Conexão em Série - SCR/Diodo | - | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 1,6kV | 900A | 2,2V | 17000A a 50Hz | 250 mA | 500A | 1 SCR, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT60R028G7XTMA1 | 19.9800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ G7 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerSFN | IPT60R028 | MOSFET (óxido metálico) | PG-HSOF-8-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600V | 75A (Tc) | 10V | 28mOhm @ 28,8A, 10V | 4 V a 1,44 mA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 4820 pF a 400 V | - | 391W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT162N08KOFKHPSA1 | - | ![]() | 2091 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | TT162N | Cátodo Comum - Todos os SCRs | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 8 | 200 mA | 800 V | 2V | 5200A a 50Hz | 150 mA | 162A | 2 SCRs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD390N16SHPSA1 | 113.1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem em chassi | Módulo | DD390N16 | padrão | BG-PB50SB-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1600V | 390A | 1,34 V a 800 A | 1 mA @ 1600 V | -40°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKB02N60ATMA1 | - | ![]() | 4835 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SKB02N | padrão | 30W | PG-TO263-3-2 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400V, 2A, 118Ohm, 15V | 130 ns | TNP | 600V | 6A | 12A | 2,4V a 15V, 2A | 64µJ | 14nC | 20ns/259ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ900R12KE4HOSA1 | 255.2900 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | C | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | FZ900R12 | 4300 W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 900A | 2,1V a 15V, 900A | 5 mA | Não | 56 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP01N120H2 | 0,5500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 28 W | PG-TO220-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 1A, 241Ohm, 15V | - | 1200 V | 3.2A | 3,5A | 2,8V a 15V, 1A | 140µJ | 8,6nC | 13ns/370ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR182E6327HTSA1 | 0,3800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR182 | 250mW | PG-SOT23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12dB ~ 18dB | 12V | 35mA | NPN | 70 @ 10mA, 8V | 8GHz | 0,9dB ~ 1,3dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP420E6433HTMA1 | - | ![]() | 8833 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-82A, SOT-343 | BFP420 | 160mW | PG-SOT343-3D | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 21dB | 5V | 35mA | NPN | 60 @ 20mA, 4V | 25GHz | 1,1 dB a 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA2 | - | ![]() | 1098 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | Morrer | SIDC14D60 | padrão | Serrado em papel alumínio | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,6 V a 45 A | 27 µA a 600 V | -40°C ~ 150°C | 45A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ067N06LS3GATMA1 | 1.5500 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | BSZ067 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TSDSON-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 60 V | 14A (Ta), 20A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,7mOhm a 20A, 10V | 2,2 V a 35 µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF a 30 V | - | 2,1 W (Ta), 69 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR12N25DTRRP | - | ![]() | 6182 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 8,4A, 10V | 5 V a 250 µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 810 pF a 25 V | - | 144W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI90N06S4L04AKSA1 | - | ![]() | 4281 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IPI90N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 90A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,7mOhm a 90A, 10V | 2,2 V a 90 µA | 170 nC @ 10 V | ±16V | 13.000 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12KS4HOSA1 | 202.7500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | C | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em chassi | Módulo | FF300R12 | 1950 W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independente | - | 1200 V | 370A | 3,75V a 15V, 300A | 5 mA | Não | 20 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R1K4C6 | - | ![]() | 2975 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ C6 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD60R | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 600V | 3,2A (Tc) | 10V | 1,4 Ohm @ 1,1 A, 10 V | 3,5 V a 90 µA | 9,4 nC a 10 V | ±20V | 200 pF a 100 V | - | 28,4W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7811AVTRPBF-1 | - | ![]() | 4907 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 448-IRF7811AVTRPBF-1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 30 V | 10,8A (Ta) | 4,5 V | 14mOhm a 15A, 4,5V | 3 V a 250 µA | 26 nC @ 5 V | ±20V | 1801 pF a 10 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF200R12W1H3FB11BPSA1 | - | ![]() | 5720 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EasyPACK® | Bandeja | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | DF200R12 | 20 mW | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001355692 | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Helicóptero Único | - | 1200 V | 30 A | 1,45V a 15V, 30A | 1mA | Sim | 6,15 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR555E6327HTSA1 | 0,3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Última compra | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR555 | 330 mW | PG-SOT23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | PNP - Pré-tendencioso | 300mV a 2,5mA, 50mA | 70 @ 50mA, 5V | 150 MHz | 2,2 kOhms | 10 kOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH5302DTR2PBF | - | ![]() | 3611 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | PQFN (5x6) Matriz Única | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal N | 30 V | 29A (Ta), 100A (Tc) | 2,5mOhm a 50A, 10V | 2,35 V a 100 µA | 55 nC @ 10 V | 3635 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T560N16TOFXPSA1 | 128.7700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C | Fixar | DO-200AA, A-PUK | T560N16 | Solteiro | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 300 mA | 1,8kV | 809A | 2V | 8000A a 50Hz | 200 mA | 559A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTS244ZE3062AATMA2 | 5.5700 | ![]() | 3572 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | TEMPFET® | Fita e Carretel (TR) | Não para novos designs | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-5, D²Pak (4 derivações + guia), TO-263BB | BTS244 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-5-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 55 V | 35A (Tc) | 4,5V, 10V | 13mOhm @ 19A, 10V | 2V @ 130µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 2660 pF a 25 V | Sensor de temperatura Diodo | 170W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI45N06S409AKSA2 | 1.8800 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IPI45N06 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 45A (Tc) | 10V | 9,4mOhm a 45A, 10V | 4 V a 34 µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 3785 pF a 25 V | - | 71W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC4227ED | - | ![]() | 6007 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001551896 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFS483H6327XTSA1 | 0,8300 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BFS483 | 450mW | PG-SOT363-PO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 19dB | 12V | 65mA | 2 NPN (duplo) | 70 @ 15mA, 8V | 8GHz | 0,9dB ~ 1,4dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD05N03LAG | - | ![]() | 6405 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD05N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3-11 | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,1mOhm a 30A, 10V | 2V @ 50µA | 25 nC @ 5 V | ±20V | 3110 pF a 15 V | - | 94W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT305N16KOFHPSA1 | - | ![]() | 3410 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 130°C | Montagem em chassi | Módulo | TT305N | Conexão em série - Todos os SCRs | download | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1,6kV | 520A | 2V | 10500A a 50Hz | 200 mA | 305A | 2 SCRs |

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