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Produtos semicondutores discretos (16626)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emissor Base (R2)
IPP80N06S4L07AKSA2	-	Solicitação de cotação	1109	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IPP80N		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N		60 V	80A (Tc)	4,5V, 10V	6,7mOhm a 80A, 10V	2,2 V a 40 µA	75 nC @ 10 V	±16V	5680 pF a 25 V	-	79W (Tc)
F4150R06KL4BOSA1	-	Solicitação de cotação	4796	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto	-40°C ~ 125°C	Montagem em chassi	Módulo	F4150R			570 W	padrão	Módulo	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	10	Ponte Completa																					-	600V	180A		2,55V a 15V, 150A				5 mA	Sim	6,5 nF a 25 V
BSB024N03LXG	-	Solicitação de cotação	5419	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	3-WDSON			MOSFET (óxido metálico)			MG-WDSON-2, CanPAK M™	download		3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000			Canal N		30 V	27A (Ta), 145A (Tc)	4,5V, 10V	2,4mOhm a 30A, 10V	2,2 V a 250 µA	72 nC @ 10 V	±20V	4900 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 78 W (Tc)
IPD65R380E6	1.0600	Solicitação de cotação	5	Tecnologias Infineon	CoolMOS™ E6	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)			PG-TO252-3-313	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	283			Canal N		650 V	10,6A (Tc)		380mOhm @ 3,2A, 10V	3,5 V a 320 µA	39 nC @ 10 V	±20V	710 pF a 100 V	-	83W (Tc)
IPB160N04S4H1ATMA1	3.5800	Solicitação de cotação	1	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia)	IPB160		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO263-7-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N		40 V	160A (Tc)	10V	1,6mOhm a 100A, 10V	4 V a 110 µA	137 nC @ 10 V	±20V	10920 pF a 25 V	-	167W (Tc)
IPP120N06S402AKSA2	-	Solicitação de cotação	3814	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IPP120N		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N		60 V	120A (Tc)	10V	2,8mOhm a 100A, 10V	4 V a 140 µA	195 nC @ 10 V	±20V	15750 pF a 25 V	-	188W (Tc)
IRFI7536GPBF	-	Solicitação de cotação	6732	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3			MOSFET (óxido metálico)			Pacote Completo TO-220	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canal N		60 V	86A (Tc)	10V	3,4mOhm a 75A, 10V	4 V a 150 µA	195 nC @ 10 V	±20V	6600 pF a 48 V	-	75W (Tc)
AUIRFBA1405	-	Solicitação de cotação	1758	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-273AA			MOSFET (óxido metálico)			SUPER-220™ (TO-273AA)	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001519538	EAR99	8541.29.0095	50			Canal N		55 V	95A (Tc)	10V	5mOhm @ 101A, 10V	4 V a 250 µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF a 25 V	-	330W (Tc)
IRF520NSTRRPBF	-	Solicitação de cotação	4441	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)			D2PAK	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal N		100V	9,7A (Tc)	10V	200mOhm @ 5,7A, 10V	4 V a 250 µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 48 W (Tc)
SGW15N120	-	Solicitação de cotação	8311	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SGW15N	padrão		198W		PG-TO247-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1				800V, 15A, 33Ohm, 15V																		TNP	1200 V	30 A	52A	3,6 V a 15 V, 15 A	1,9mJ	130nC	18ns/580ns
BCR148E6433HTMA1	-	Solicitação de cotação	7689	Tecnologias Infineon	-	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC		Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR148			200 mW		PG-SOT23	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	10.000																							50 V	100 mA						100nA (ICBO)			NPN - Pré-tendencioso	300mV @ 500µA, 10mA	70 @ 5mA, 5V	100 MHz	47 kOhms	47 kOhms
IMT65R030M1HXTMA1	-	Solicitação de cotação	8656	Tecnologias Infineon	*	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC				IMT65R						-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado				2.000
IPSA70R1K4CEAKMA1	-	Solicitação de cotação	3917	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA	IPSA70		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO251-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001605398	EAR99	8541.29.0095	75			Canal N		700 V	5,4A (Tc)	10V	1,4Ohm @ 1A, 10V	3,5 V a 100 µA	10,5 nC @ 10 V	±20V	225 pF a 100 V	-	53W (Tc)
IRFU5505PBF	-	Solicitação de cotação	2235	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA	IRFU5505		MOSFET (óxido metálico)			IPAK (TO-251AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P		55 V	18A (Tc)	10V	110mOhm @ 9,6A, 10V	4 V a 250 µA	32 nC @ 10 V	±20V	650 pF a 25 V	-	57W (Tc)
IPP04CN10NG	-	Solicitação de cotação	8610	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IPP04C		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal N		100V	100A (Tc)	10V	4,2mOhm a 100A, 10V	4 V a 250 µA	210 nC @ 10 V	±20V	13.800 pF a 50 V	-	300W (Tc)
IRF3805SPBF	-	Solicitação de cotação	2806	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)			D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N		55 V	75A (Tc)	10V	3,3mOhm a 75A, 10V	4 V a 250 µA	290 nC @ 10 V	±20V	7.960 pF a 25 V	-	300W (Tc)
IPA50R280CE	-	Solicitação de cotação	7331	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	IPA50R		MOSFET (óxido metálico)			PG-TO220-3-31	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal N		500 V	13A (Tc)	13V	280mOhm @ 4,2A, 13V	3,5 V a 350 µA	32,6 nC @ 10 V	±20V	773 pF a 100 V	-	30,4W (Tc)
SPN03N60S5	-	Solicitação de cotação	8402	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA	SPN03N		MOSFET (óxido metálico)			PG-SOT223-4	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N		600V	700mA (Ta)	10V	1,4Ohm a 2A, 10V	5,5 V a 135 µA	12,8 nC a 10 V	±20V	440 pF a 25 V	-	1,8W (Ta)
IRG7PH42UD2PBF	-	Solicitação de cotação	1763	Tecnologias Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IRG7PH42	padrão		321W		TO-247AC	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	25				600V, 30A, 10Ohm, 15V																		Trincheira	1200 V	60A	90A	2,02 V a 15 V, 30 A	1,32mJ (desligado)	234nC	-/233ns
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1	105.7700	Solicitação de cotação	5259	Tecnologias Infineon	EasyPACK®	Bandeja	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo	FS3L40			20 mW	padrão	AG-EASY2B-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-FS3L40R07W2H5FB11BOMA1-448	EAR99	8541.29.0095	15	Inversor Trifásico																					Parada de campo de trincheira	650 V	40A		1,81V a 15V, 20A				18 µA	Sim	2 nF a 25 V
IRLS3034PBF	-	Solicitação de cotação	3303	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)			D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N		40 V	195A (Tc)	4,5V, 10V	1,7mOhm a 195A, 10V	2,5 V a 250 µA	162 nC @ 4,5 V	±20V	10315 pF a 25 V	-	375W (Tc)
BAT64-05B5003	1.0000	Solicitação de cotação	8644	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT64		Schottky			PG-SOT23-3-3	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade													1 par de cátodo comum	40 V	120mA	750 mV a 100 mA	5 ns	2 µA a 30 V	150ºC
BSP372L6327HTSA1	-	Solicitação de cotação	2039	Tecnologias Infineon	SIPMOS®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)			PG-SOT223-4	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000			Canal N		100V	1,7A (Ta)	5V	310mOhm @ 1,7A, 5V	2V @ 1mA		±14V	520 pF a 25 V	-	1,8W (Ta)
FF3MR20KM1HPHPSA1	1.0000	Solicitação de cotação	3045	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	-	Montagem em chassi	Módulo					padrão	AG-62MMHB	-	Compatível com ROHS3						8	Meia Ponte																					Parada de campo de trincheira	2kV			-					Não
DD400S45KL3B5NOSA1	1.0000	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo		Montagem em chassi	Módulo	DD400S45		padrão			A-IHV130-4	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	2		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													2 Independente	4500V	-	3,1 V a 400 A		500 A a 2.800 V	-50°C ~ 125°C
SIGC81T60NCX1SA3	-	Solicitação de cotação	3941	Tecnologias Infineon	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Morrer	SIGC81T60	padrão				Morrer	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		OBSOLETO		1				300 V, 100 A, 2,2 Ohm, 15 V																		TNP	600V	100A	300A	2,5V a 15V, 100A	-		95ns/200ns
BCW60FN	-	Solicitação de cotação	1988	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				330 mW		PG-SOT23-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000																							32V	100 mA						20nA (ICBO)			NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	250 @ 2mA, 5V	250MHz
IPC95R450P7X7SA1	-	Solicitação de cotação	4905	Tecnologias Infineon	*	Volume	Ativo				IPC95						-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP002134094		0000.00.0000	1
AUILR2905	-	Solicitação de cotação	9902	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)			D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP001516026	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal N		55 V	42A (Tc)	4V, 10V	27mOhm @ 25A, 10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110W (Tc)
DF23MR12W1M1B67BPSA1	-	Solicitação de cotação	5829	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Obsoleto				DF23MR12		-				-					OBSOLETO		1													-