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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Figura de Ruído Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
BCR 151F E6327 Infineon Technologies BCR 151F E6327 -
RFQ
 ECAD 4449 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOT-723 BCR 151 250 MW PG-TSFP-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 50 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 120 MHz 100 Kohms 100 Kohms
IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies IPP80N08S406AKSA1 3.1300
RFQ
 ECAD 488 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N08 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 80a (TC) 10V 5.8mohm @ 80a, 10V 4V A 90µA 70 nc @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPI60R280C6 Infineon Technologies IPI60R280C6 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C6 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 13.8a (TC) 280mohm @ 6.5a, 10V 3,5V a 430µA 43 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
BSP92PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP92PL6327HTSA1 -
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 ECAD 6726 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP92 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4-21 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 260mA (TA) 4.5V, 10V 12OHM @ 260MA, 10V 2V @ 130µA 5,4 nc @ 10 V ± 20V 104 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR183E6433HTMA1 -
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 ECAD 9453 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR183 200 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BCX6916E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6916E6327HTSA1 -
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 ECAD 8143 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX69 3 w PG-SOT89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 1V 100MHz
BC 817-40 E6433 Infineon Technologies BC 817-40 E6433 -
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 ECAD 8327 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
IRFSL4510PBF Infineon Technologies IRFSL4510PBF -
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 ECAD 1214 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 61a (TC) 10V 13.9mohm @ 37a, 10V 4V @ 100µA 87 nc @ 10 V ± 20V 3180 pf @ 50 V - 140W (TC)
IPB09N03LA Infineon Technologies IPB09N03LA -
RFQ
 ECAD 9972 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB09N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
STT2200N18P55XPSA1 Infineon Technologies STT2200N18P55XPSA1 779.7500
RFQ
 ECAD 5559 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo STT2200 Controlador de Fase 1 - Todos OS SCRS download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 1 300 mA 1,8 kV 2 v 21000A @ 50Hz 200 MA 2 scrs
IRFP4710PBF Infineon Technologies IRFP4710PBF -
RFQ
 ECAD 7179 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRFP4710 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 72a (TC) 10V 14mohm @ 45a, 10V 5,5V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 6160 PF @ 25 V - 190W (TC)
BF 2040 E6814 Infineon Technologies BF 2040 E6814 0,0800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 8 v Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA 1 ghz MOSFET PG-SOT143-4 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50µA 15 MA - 23dB 1.6dB 5 v
IRL3705ZL Infineon Technologies IRL3705ZL -
RFQ
 ECAD 5706 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL3705ZL Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 75a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 16V 2880 pf @ 25 V - 130W (TC)
AUIRFSL8409 Infineon Technologies AUIRFSL8409 -
RFQ
 ECAD 6004 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-262-3 leva Curtos, i²pak MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001516096 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 195a (TC) 10V 1.2mohm @ 100a, 10V 3,9V a 250µA 450 nc @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFR4105ZTRL Infineon Technologies IRFR4105Ztrl -
RFQ
 ECAD 9090 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 30a (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1 11.9900
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IPZ65R065 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 33a (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10V 4V A 850µA 64 nc @ 10 V ± 20V 3020 PF @ 400 V - 171W (TC)
IKY120N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Iky120n120ch7xksa1 16.0100
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IKY120N120 Padrão 721 w PG-PARA247-4-U10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 600V, 100A, 4OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1200 v 212 a 400 a 2.15V @ 15V, 100A 2,37MJ (ON), 2,65MJ (Desligado) 714 NC 44NS/359NS
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2393 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB80P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 40 v 80a (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V A 150µA 89 NC @ 10 V ± 20V 6085 pf @ 25 V - 88W (TC)
IPB114N03L G Infineon Technologies IPB114N03L g -
RFQ
 ECAD 5825 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB114N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 38W (TC)
IRFR3711ZPBF Infineon Technologies IRFR3711ZPBF -
RFQ
 ECAD 4241 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001564900 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
IPI90R340C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R340C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3759 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI90R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 900 v 15a (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10V 3.5V @ 1Ma 94 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 100 V - 208W (TC)
IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies IPB120N10S405ATMA1 3.9600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 5mohm @ 100a, 10V 3,5V A 120µA 91 nc @ 10 V ± 20V 6540 pf @ 25 V - 190W (TC)
BSS138W E6433 Infineon Technologies BSS138W E6433 -
RFQ
 ECAD 1565 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 60 v 280mA (TA) 4.5V, 10V 3.5OHM @ 220MA, 10V 1.4V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 43 pf @ 25 V - 500mW (TA)
SPP07N60S5HKSA1 Infineon Technologies Spp07n60s5hksa1 -
RFQ
 ECAD 3423 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp07n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000012115 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5,5V A 350µA 35 nc @ 10 V ± 20V 970 pf @ 25 V - 83W (TC)
DD230S20KHPSA1 Infineon Technologies DD230S20KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3090 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2000 v 261a 1,74 V @ 800 A 160 mA @ 2000 V 150 ° C.
IPB05N03LA Infineon Technologies IPB05N03LA -
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 ECAD 4246 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB05N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 25 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 55a, 10V 2V @ 50µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
SIPC03S2N03LX3MA1 Infineon Technologies SIPC03S2N03LX3MA1 0,3144
RFQ
 ECAD 2088 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos SIPC03 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000014961 0000.00.0000 5.000
BAS40-60B5000 Infineon Technologies BAS40-60B5000 -
RFQ
 ECAD 1118 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo Bas40 - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 10.000
IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies IRLR2705TRLPBF 0,9700
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 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRLR2705 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V A 250µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
IFF600B12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies IFF600B12ME4B11BPSA1 392.9980
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 ECAD 2449 0,00000000 Tecnologias Infineon Econodual ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo IFF600 20 mw Padrão Ag-Econod-5 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor de meia ponte Parada de Campo da Trinceira 1200 v 600 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA Sim 37 NF @ 25 V
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