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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FF450R17IE4BOSA2 Infineon Technologies FF450R17IE4BOSA2 526.9533
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 ECAD 8196 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FF450R17 2800 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3 2 Independente - 1700 v 620 a 2.45V @ 15V, 450A 5 MA Sim 36 NF @ 25 V
IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies IPA95R450P7XKSA1 3.1500
RFQ
 ECAD 387 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA95R450 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 950 v 14a (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3,5V A 360µA 35 nc @ 10 V ± 20V 1053 pf @ 400 V - 30W (TC)
IRF7902TRPBF Infineon Technologies IRF7902TRPBF -
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 ECAD 5597 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7902 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4W, 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 30V 6.4a, 9.7a 22.6mohm @ 6.4a, 10V 2.25V @ 25µA 6.9NC @ 4.5V 580pf @ 15V Portão de Nível Lógico
IRF7820PBF Infineon Technologies IRF7820pbf -
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 ECAD 7291 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001570478 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 200 v 3.7a (ta) 10V 78mohm @ 2.2a, 10V 5V @ 100µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1750 PF @ 100 V - 2.5W (TA)
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 155.5811
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 ECAD 4166 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 18
IDYH50G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDYH50G200C5XKSA1 54.0924
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 ECAD 8695 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 448-IDYH50G200C5XKSA1 30
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
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 ECAD 7728 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-34 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 18a (ta), 63a (tc) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
SPA20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spa20n60cfdxksa1 3.9983
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 ECAD 3369 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Spa20N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 20.7a (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 nc @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 35W (TC)
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies Bsc130p03lsgauma1 -
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 ECAD 2104 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 12a (ta), 22.5a (tc) 10V 13mohm @ 22.5a, 10V 2.2V @ 150µA 73,1 nc @ 10 V ± 25V 3670 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRL2910STRLPBF Infineon Technologies IRL2910STRLPBF 4.0700
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRL2910 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 55a (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10V 2V A 250µA 140 nc @ 5 V ± 16V 3700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BSS119NH7796 Infineon Technologies BSS119NH7796 0,0400
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 ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23-3-5 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 100 v 190mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0,6 nc @ 10 V ± 20V 20,9 pf @ 25 V - 500mW (TA)
IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N08N3GATMA1 5.7600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 100a, 10V 3,5V A 270µA 206 nc @ 10 V ± 20V 14200 pf @ 40 V - 300W (TC)
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8535 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 100a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5660 pf @ 25 V - 300W (TC)
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1 0,6600
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 ECAD 5826 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 BSL215 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW PG-TSOP6-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N e P-Canal complementar 20V 1.5a 140mohm @ 1.5a, 4.5V 1,2V a 3,7µA 0,73NC @ 4.5V 143pf @ 10V Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V
SIGC156T120R2CSYX1SA1 Infineon Technologies SIGC156T120R2CSYX1SA1 -
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 ECAD 6642 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto SIGC156T - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1 42.4400
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 ECAD 7547 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolsic ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Sicfet (Carboneto de Silício) PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 52a (TC) 18V 46mohm @ 25a, 18V 5.7V @ 10Ma 59 NC @ 18 V +23V, -7V 2130 pf @ 800 V - 228W (TC)
IHW30N135R3 Infineon Technologies IHW30N135R3 2.5500
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 ECAD 1532 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 349 w PG-A247-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 88 600V, 30A, 10OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1350 v 60 a 90 a 1.85V @ 15V, 30A 1,93MJ (Desligado) 263 NC -/337ns
IRF1404STRLPBF Infineon Technologies IRF1404STRLPBF 2.8400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF1404 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 162a (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS205NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4235 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 2.5a (ta) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5V 1.2V @ 11µA 3,2 nc @ 4,5 V ± 12V 419 pf @ 10 V - 500mW (TA)
IPP65R380C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R380C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5429 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Ipp65r MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3,5V A 320µA 39 NC @ 10 V ± 20V 710 pf @ 100 V - 83W (TC)
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF -
RFQ
 ECAD 8736 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ ISOMETRIC MA IRF6723 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.7W DirectFet ™ MA download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001529196 Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 30V 15a 6.6mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V Portão de Nível Lógico
IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280C6XKSA1 2.8600
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 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3,5V a 430µA 43 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
AUIRF1324STRL Infineon Technologies AUIRF1324STRL -
RFQ
 ECAD 4401 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab AUIRF1324 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001518546 Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 24 v 195a (TC) 10V 1.65mohm @ 195a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 7590 pf @ 24 V - 300W (TC)
BC 807-40W H6433 Infineon Technologies BC 807-40W H6433 -
RFQ
 ECAD 6642 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-SOT323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
IRLR024ZPBF Infineon Technologies IRLR024ZPBF -
RFQ
 ECAD 6318 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 55 v 16a (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10V 3V A 250µA 9,9 nc @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 35W (TC)
AUIRFR4104TRL Infineon Technologies AUIRFR4104TRL 1.4202
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 ECAD 3468 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001522928 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 42a (TC) 5.5mohm @ 42a, 10V 4V A 250µA 89 NC @ 10 V 2950 PF @ 25 V - 140W (TC)
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA093N06N3GXKSA1 1.3000
RFQ
 ECAD 7755 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA093 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 43a (TC) 10V 9.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 34µA 48 nc @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 33W (TC)
SPD07N20GBTMA1 Infineon Technologies SPD07N20GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 1932 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD07N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 7a (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 31,5 nc @ 10 V ± 20V 530 pf @ 25 V - 40W (TC)
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R099CFD7AATMA1 7.4200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ CFD7A Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R099 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 24a (TC) 10V 99mohm @ 12.5a, 10V 4.5V A 630µA 53 nc @ 10 V ± 20V 2513 pf @ 400 v - 127W (TC)
SIDC53D120H6X1SA3 Infineon Technologies SIDC53D120H6X1SA3 -
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 ECAD 5456 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic Montagem na Superfície Morrer Sidc53d Padrão Serra Em Papel Alumínio download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,6 V @ 100 A 27 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100a -
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