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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
BSD314SPE L6327 Infineon Technologies BSD314SPE L6327 -
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 ECAD 5959 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™-P 3 Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (óxido metálico) PG-SOT363-6-6 download Não aplicável 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 790 Canal P 30 V 1,5A (Ta) 4,5V, 10V 140mOhm a 1,5A, 10V 2 V a 6,3 µA 2,9 nC a 10 V ±20V 294 pF a 15 V - 500mW (Ta)
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
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 ECAD 7728 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-34 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 4,5V, 10V 4,5mOhm a 30A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1200 pF a 15 V - 2,5W (Ta), 30W (Tc)
IPB05N03LA Infineon Technologies IPB05N03LA -
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 ECAD 4246 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IPB05N MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3-2 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 25 V 80A (Tc) 4,5V, 10V 4,6mOhm a 55A, 10V 2V @ 50µA 25 nC @ 5 V ±20V 3110 pF a 15 V - 94W (Tc)
IRL8113STRRPBF Infineon Technologies IRL8113STRRPBF -
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 ECAD 4802 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 30 V 105A (Tc) 4,5V, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 2,25 V a 250 µA 35 nC @ 4,5 V ±20V 2.840 pF a 15 V - 110W (Tc)
SPP80N04S2-04 Infineon Technologies SPP80N04S2-04 -
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 ECAD 4305 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 SPP80N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 40 V 80A (Tc) 10V 3,7mOhm a 80A, 10V 4 V a 250 µA 170 nC @ 10 V ±20V 6.980 pF a 25 V - 300W (Tc)
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
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 ECAD 7501 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP045N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000457560 EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 100V 100A (Tc) 6V, 10V 4,5mOhm a 100A, 10V 3,5 V a 150 µA 117 nC @ 10 V ±20V 8.410 pF a 50 V - 214W (Tc)
BC847CWH6327 Infineon Technologies BC847CWH6327 1.0000
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 ECAD 8620 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 250 mW PG-SOT323-3-1 download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 250MHz
BCR108WH6433 Infineon Technologies BCR108WH6433 0,0500
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 ECAD 40 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem em superfície SC-70, SOT-323 BCR108 250 mW PG-SOT323-3-1 download Não aplicável 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 7.123 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN - Pré-tendencioso 300mV @ 500µA, 10mA 70 @ 5mA, 5V 170 MHz 2,2 kOhms 47 kOhms
BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1 -
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 ECAD 3211 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-WDSON BSB012 MOSFET (óxido metálico) MG-WDSON-2, CanPAK M™ download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado SP001034232 EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 25 V 170A (Tc) 4,5V, 10V 1,2mOhm a 30A, 10V 2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5852 pF a 12 V - 2,8 W (Ta), 57 W (Tc)
SIDC56D120F6YX1SA1 Infineon Technologies SIDC56D120F6YX1SA1 -
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 ECAD 8578 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto SIDC56D - 1 (ilimitado) REACH não afetado OBSOLETO 1
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 -
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 ECAD 9711 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN BSC072N03 MOSFET (óxido metálico) 57W PG-TDSON-8-4 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (duplo) 30V 11,5A 7,2mOhm a 20A, 10V 2,2 V a 250 µA 41nC @ 10V 3500pF a 15V Portão de nível lógico
IPSH5N03LA G Infineon Technologies IPSH5N03LAG -
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 ECAD 8019 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak IPSH5N MOSFET (óxido metálico) PG-TO251-3-11 download 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal N 25 V 50A (Tc) 4,5V, 10V 5,4mOhm a 50A, 10V 2V @ 35µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF a 15 V - 83W (Tc)
BSF885N03LQ3G Infineon Technologies BSF885N03LQ3G 0,3900
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 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5.000
BCR133WE6327 Infineon Technologies BCR133WE6327 -
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 ECAD 7553 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo BCR133 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000
IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPD096N08N3GATMA1 1.4000
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD096 MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 80 V 73A (Tc) 6V, 10V 9,6mOhm a 46A, 10V 3,5 V a 46 µA 35 nC @ 10 V ±20V 2.410 pF a 40 V - 100W (Tc)
IRG8CH10K10F Infineon Technologies IRG8CH10K10F -
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 ECAD 1362 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície Morrer IRG8CH padrão Morrer download Não aplicável REACH não afetado SP001537442 OBSOLETO 0000.00.0000 1 600V, 5A, 47Ohm, 15V - 1200 V 2V a 15V, 5A - 30 nC 20ns/160ns
IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF8714TRPBFXTMA1 0,2965
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 ECAD 3681 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Ativo - Compatível com ROHS3 448-IRF8714TRPBFXTMA1TR 4.000
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon Technologies BSC007N04LS6SCATMA1 4.0000
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 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ 6 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8 FL download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 40 V 48A (Ta), 381A (Tc) 4,5V, 10V 0,7mOhm a 50A, 10V 2,3 V a 250 µA 118 nC @ 10 V ±20V 8.400 pF a 20 V - 3W (Ta), 188W (Tc)
IRG4PF50WD-201P Infineon Technologies IRG4PF50WD-201P -
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 ECAD 4389 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bolsa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 padrão 200 W TO-247AC download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001541540 EAR99 8541.29.0095 25 720V, 28A, 5Ohm, 15V 90 ns - 900 V 51A 204A 2,7V a 15V, 28A 2,63mJ (ligado), 1,34mJ (desligado) 160nC 50ns/110ns
IGW08T120FKSA1 Infineon Technologies IGW08T120FKSA1 3.6300
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon TrenchStop® Tubo Não para novos designs -40°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 IGW08T120 padrão 70W PG-TO247-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 8A, 81Ohm, 15V NPT, parada do campo de trincheira 1200 V 16A 24A 2,2V a 15V, 8A 1,37mJ 53nC 40ns/450ns
FP50R12W2T7PBPSA1 Infineon Technologies FP50R12W2T7PBPSA1 84.1750
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 ECAD 2139 0,00000000 Tecnologias Infineon EasyPIM™ Bandeja Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi Módulo 20 mW Retificador de ponte trifásico AG-EASY2B - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 18 Inversor Trifásico Parada de campo de trincheira 1200 V 50A 1,6V a 15V, 35A 5 µA Sim 11,1 nF a 25 V
FZ800R33KF2CS1NDSA1 Infineon Technologies FZ800R33KF2CS1NDSA1 -
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 ECAD 1580 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo FZ800 9600W padrão - download REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Meia Ponte - 3300V 1A 4,25V a 15V, 800A 5 mA Não 100 nF a 25 V
AUIRGDC0250AKMA1 Infineon Technologies AUIRGDC0250AKMA1 -
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 ECAD 5078 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-273AA padrão 543W SUPER-TO-220 - Compatível com ROHS3 REACH não afetado 448-AUIRGDC0250AKMA1 EAR99 8541.29.0095 1 600V, 33A, 5Ohm, 15V - 1200 V 141A 99A 1,8V a 15V, 33A 15mJ (desligado) 151nC -/485ns
FP30R06YE3BOMA1 Infineon Technologies FP30R06YE3BOMA1 -
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 ECAD 3348 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP000100331 EAR99 8541.29.0095 1
FS450R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS450R12KE3BOSA1 770.8400
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 ECAD 1980 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Não para novos designs -40°C ~ 125°C (TJ) Montagem em chassi Módulo FS450R12 2100 W padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4 Inversor Trifásico Parada de campo de trincheira 1200 V 600A 2,15V a 15V, 450A 5 mA Sim 32 nF a 25 V
IPI075N15N3G Infineon Technologies IPI075N15N3G -
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 ECAD 4585 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™3 Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PG-TO262-3-1 download EAR99 8542.39.0001 1 Canal N 150 V 120A (Tc) 8V, 10V 7,5mOhm a 100A, 10V 4 V a 270 µA 93 nC @ 10 V ±20V 5470 pF a 75 V - 300W (Tc)
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN06N60RC2ATMA1 0,9500
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 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA IKN06N padrão 7,2W PG-SOT223-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 448-IKN06N60RC2ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 6A, 49Ohm, 15V 42 ns - 600V 8A 18A 2,3V a 15V, 6A 151 µJ (ligado), 104 µJ (desligado) 31 nC 8,8ns/174ns
IRL1104STRLPBF Infineon Technologies IRL1104STRLPBF -
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 ECAD 2324 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001576402 EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 40 V 104A (Tc) 4,5V, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 1V @ 250µA 68 nC @ 4,5 V ±16V 3445 pF a 25 V - 2,4 W (Ta), 167 W (Tc)
F4200R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies F4200R17N3E4BPSA1 284.5000
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 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoPACK™ 3 Bandeja Ativo -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi Módulo F4200R17 20 mW padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 Ponte Completa Parada de campo de trincheira 1700 V 200A 2,3 V a 15 V, 200 A 1mA Sim 18 nF a 25 V
AUIRGR4045DTRL Infineon Technologies AUIGR4045DTRL -
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 ECAD 6363 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IRGR4045 padrão 77W TO-252AA download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001511556 EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 6A, 47Ohm, 15V 74 ns Trincheira 600V 12A 18A 2V a 15V, 6A 56 µJ (ligado), 122 µJ (desligado) 19,5nC 27ns/75ns
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