- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos semicondutores discretos (16626)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | ATUAL - MÁX | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Resistência @ se, f | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Razão de Capacitânncia | Condição da Razão de Capacitância | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAT17-06WH6327 | 0,0700 |  | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 MA | 150 MW | 0,75pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 par ânodo comum | 4V | 15OHM @ 5MA, 10KHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bar63-05WH6327 | - | | 7995 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,3pf @ 5V, 1MHz | Pin - 1 par cátodo comum | 50V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar6406WE6327 | 0,0700 | | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35pf @ 20V, 1MHz | Pino - único | 150V | 1.35OHM @ 100MA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB640E6327HTSA1 | 0,5300 | | 21 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-76, SOD-323 | BB640 | PG-SOD323-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 3.3pf @ 28V, 1MHz | Solteiro | 30 v | 25 | C1/C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT1707E6327 | - | | 2036 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS3005A-02VE6327 | 0,0400 | | 4118 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 500 mA | 300 µA A 30 V | 150 ° C. | 500mA | 10pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4069PBF | - | | 7392 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 268 w | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001542388 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35A, 10OHM, 15V | Trincheira | 600 v | 76 a | 105 a | 1.85V @ 15V, 35A | 390µJ (ON), 632µJ (Desligado) | 104 NC | 46ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISC0805NLSATMA1 | 1.9800 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | ISC0805N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-TDSON-8-46 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 13a (ta), 71a (tc) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 50a, 10V | 2.3V @ 40µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC25T60NCX1SA4 | - | | 2114 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | SIGC25 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 300V, 30A, 8.2OHM, 15V | NPT | 600 v | 30 a | 90 a | 2.5V @ 15V, 30A | - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLHS2242TRPBF | 0,5900 | | 22 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-Powervdfn | IRLHS2242 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-PQFN (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P. | 20 v | 7.2a (ta), 15a (tc) | 2.5V, 4.5V | 31mohm @ 8.5a, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12 nc @ 10 V | ± 12V | 877 pf @ 10 V | - | 2.1W (TA), 9,6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IHW20N120R5 | 1.0000 | | 2974 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 288 w | PG-PARA247-3-41 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 20A, 10OHM, 15V | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 40 a | 60 a | 1.75V @ 15V, 20A | -, 750µJ (Desligado) | 170 NC | -/260ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB80R290C3AATMA2 | 6.7500 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1MA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | 123.1900 | | 4731 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | F3L225 | - | 1 (ilimito) | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC40FDPBF | - | | 9205 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 27a, 10ohm, 15v | 42 ns | - | 600 v | 49 a | 196 a | 1.7V @ 15V, 27a | 950µJ (ON), 2,01MJ (Desligado) | 100 nc | 63ns/230ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80P04P4L06AKSA1 | - | | 7235 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI80P | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000842050 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 40 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 150µA | 104 NC @ 10 V | +5V, -16V | 6580 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP90R1K2C3XKSA1 | - | | 1783 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP90R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 v | 5.1a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 2.8A, 10V | 3.5V A 310µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT1505WE6327HTSA1 | - | | 8118 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT15 | PG-SOT323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 110 MA | 100 mw | 0,35pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 Par Cátodo Comum | 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR183WH6327 | - | | 6838 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BCR183 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 7.123 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5406TR2PBF | - | | 8140 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 v | 11a (ta), 40a (tc) | 14.4mohm @ 24a, 10v | 4V @ 50µA | 35 nc @ 10 V | 1256 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC11T120T8LX1SA1 | - | | 1158 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | IGC11T120 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 24 a | 2.07V @ 15V, 8a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT62E6327HTSA1 | 0,5500 | | 28 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | TO-253-4, TO-253AA | BAT62 | PG-SOT-143-3D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 20 MA | 100 mw | 0,6pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 2 Independente | 40V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP65R095C7XKSA1 | 6.4700 | | 484 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ C7 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP65R095 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 24a (TC) | 10V | 95mohm @ 11.8a, 10V | 4V @ 590µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 2140 pf @ 400 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC81T60SNCX1SA1 | - | | 2072 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | SIGC81T60 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 400V, 100A, 3,3OHM, 15V | NPT | 600 v | 100 a | 300 a | 2.5V @ 15V, 100A | - | 65ns/450ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC40UPBF | - | | 7898 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.1V @ 15V, 20A | 320µJ (ON), 350µJ (Off) | 100 nc | 34ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BBY 51-02L E6327 | - | | 2857 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOD-882 | BBY 51 | PG-TSLP-2-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 3.7pf @ 4V, 1MHz | Solteiro | 7 v | 2.2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD450R12KE4HPSA1 | 170.7070 | | 3494 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP100R06KE3BOSA1 | 201.1300 | | 9726 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econopim ™ 3 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FP100R06 | 335 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 100A | 1 MA | Sim | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PH50S-EPBF | - | | 5446 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRG4PH50 | Padrão | 200 w | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 33A, 5OHM, 15V | - | 1200 v | 57 a | 114 a | 1.7V @ 15V, 33a | 1,8MJ (ON), 19,6MJ (Desligado) | 167 NC | 32ns/845ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKD10N60RATMA1 | 1.6600 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ikd10n | Padrão | 150 w | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 10A, 23OHM, 15V | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 20 a | 30 a | 2.1V @ 15V, 10A | 210µJ (ON), 380µJ (Desligado) | 64 NC | 14ns/192ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP147N03L g | - | | 1026 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP147N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)