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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB020N10N5LFATMA1 8.4300
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10V 4.1V @ 270µA 195 NC @ 10 V ± 20V 840 pf @ 50 V - 313W (TC)
SIDC14D60E6X7SA1 Infineon Technologies SIDC14D60E6X7SA1 -
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 ECAD 4551 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Morrer SIDC14D60 Padrão Morrer - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 30 A 27 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a -
BFN24E6327 Infineon Technologies BFN24E6327 0,0800
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 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 360 MW PG-SOT23-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 5.470 250 v 200 MA 100na (ICBO) 400mv @ 2Ma, 20Ma 40 @ 30MA, 10V 70MHz
BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies BSO615NGHuma1 -
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 ECAD 6961 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) BSO615 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 2.6a 150mohm @ 2.6a, 4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V Portão de Nível Lógico
FS50R12U1T4BPSA1 Infineon Technologies FS50R12U1T4BPSA1 -
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 ECAD 8439 0,00000000 Tecnologias Infineon SmartPack1 Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS50R12 250 w Padrão Módlo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 90 a 2.15V @ 15V, 50A 1 MA Sim 100 pf @ 25 V
DDB6U180N16RR Infineon Technologies Ddb6u180n16rr -
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 ECAD 2421 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo 515 w Padrão Módlo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Chopper de Freio Duplo Parada de Campo da Trinceira 1200 v 140 a 2.2V @ 15V, 100A 1 MA Não 6.3 NF @ 25 V
BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC027N04LSGATMA1 1.5800
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 ECAD 51 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC027 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 24a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 49µA 85 nc @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
IRFR4105TRLPBF Infineon Technologies IRFR4105TRLPBF -
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 ECAD 5675 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR4105 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 27a (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies Auillr024ntrl -
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 ECAD 5810 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001517694 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 17a (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V A 250µA 15 nc @ 5 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 45W (TC)
IGC193T120T12RMAX7SA1 Infineon Technologies IGC193T120T12RMAX7SA1 -
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 ECAD 3114 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
SIGC25T60NCX1SA4 Infineon Technologies SIGC25T60NCX1SA4 -
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 ECAD 2114 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer SIGC25 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 300V, 30A, 8.2OHM, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V, 30A - 21ns/110ns
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies IRFH4210DTRPBF 2.5800
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IRFH4210 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PQFN (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 44A (TA) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 50a, 10V 2.1V @ 100µA 77 nc @ 10 V ± 20V 4812 pf @ 13 V - 3.5W (TA), 125W (TC)
IRF520N Infineon Technologies IRF520N -
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 ECAD 2219 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 9.7a (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 48W (TC)
DDB6U104N18RRBOSA1 Infineon Technologies Ddb6u104n18rrbosa1 -
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 ECAD 1768 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 - 3 Independente 1800 v - -
IPW60R125P6 Infineon Technologies IPW60R125P6 -
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 ECAD 5062 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 30a (TC) 10V 125mohm @ 11.6a, 10V 4.5V @ 960µA 56 nc @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 100 V - 219W (TC)
64-4123PBF Infineon Technologies 64-4123pbf -
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 ECAD 5514 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001518380 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
BSS138W L6327 Infineon Technologies BSS138W L6327 -
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 ECAD 7521 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 280mA (TA) 4.5V, 10V 3.5OHM @ 220MA, 10V 1.4V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 43 pf @ 25 V - 500mW (TA)
IRG6S330UPBF Infineon Technologies IRG6S330UPBF -
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 ECAD 9487 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRG6S330 Padrão 160 w D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001540476 Ear99 8541.29.0095 50 196V, 25a, 10ohm Trincheira 330 v 70 a 2.1V @ 15V, 70A - 86 NC 39ns/120ns
IRG4PH50UDPBF Infineon Technologies IRG4PH50UDPBF -
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 ECAD 3942 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PH50 Padrão 200 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 800V, 24A, 5OHM, 15V 90 ns - 1200 v 45 a 180 a 3.7V @ 15V, 24A 2,1mj (ON), 1,5MJ (Desligado) 160 NC 47ns/110ns
SPB04N50C3 Infineon Technologies SPB04N50C3 0,5900
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 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 22 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 25 V - 50W (TC)
AIHD15N60RFATMA1 Infineon Technologies AIHD15N60RFATMA1 -
RFQ
 ECAD 3667 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AIHD15 Padrão 240 w PG-PARA252-3-313 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 400V, 15A, 15OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 30 a 45 a 2.5V @ 15V, 15A 270µJ (ON), 250µJ (Off) 90 NC 13ns/160ns
TT500N16KOFXPSA1 Infineon Technologies TT500N16KOFXPSA1 311.0450
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 ECAD 2125 0,00000000 Tecnologias Infineon Tt Bandeja Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS download ROHS3 Compatível 448-TT500N16KOFXPSA1 Ear99 8541.30.0080 2 300 mA 1,6 kV 900 a 2,2 v 17000A @ 50Hz 250 Ma 500 a 2 scrs
IRF7467TRPBF Infineon Technologies IRF7467TRPBF -
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 ECAD 2989 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 11a (ta) 2.8V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V A 250µA 32 NC a 4,5 V ± 12V 2530 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies IRLHS2242TR2PBF -
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 ECAD 7601 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 6-Powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-PQFN (2x2) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 Canal P. 20 v 7.2a (ta), 15a (tc) 31mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 10µA 12 nc @ 10 V 877 pf @ 10 V -
IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R045CFD7XTMA1 12.3400
RFQ
 ECAD 3013 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície Módulo 22-powerBsop IPDQ60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22-1 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 750 - 600 v - - - - - - -
BSS119NH7978XTSA1 Infineon Technologies BSS119NH7978XTSA1 0,1200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23-3-5 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 v 190mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0,6 nc @ 10 V ± 20V 20,9 pf @ 25 V - 500mW (TA)
IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF3709ZSTRRPBF 1.6600
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 ECAD 4330 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF3709 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 26 NC a 4,5 V ± 20V 2130 PF @ 15 V - 79W (TC)
IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies IRFH4213DTRPBF -
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 ECAD 5282 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PQFN (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 40A (TA) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 50a, 10V 2.1V @ 100µA 55 nc @ 10 V ± 20V 3520 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 96W (TC)
FP15R12KS4CBOSA1 Infineon Technologies FP15R12KS4CBOSA1 108.6580
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 ECAD 6979 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Última Vez compra -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FP15R12 180 w Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Solteiro - 1200 v 30 a 3.7V @ 15V, 15A 5 MA Sim 1 NF @ 25 V
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies IRF9395MTRPBF -
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 ECAD 4892 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ isométrico MC IRF9395 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.1W DirectFet ™ MC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566526 Ear99 8541.29.0095 4.800 2 Canal P (Duplo) 30V 14a 7mohm @ 14a, 10v 2.4V @ 50µA 64NC @ 10V 3241pf @ 15V Portão de Nível Lógico
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