SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Estrutura Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Velocidade Tipo FET Atual – Máx. Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Número de SCRs, Diodos Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Resistência @ Se, F Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição
BAS3005A-02VE6327 Infineon Technologies BAS3005A-02VE6327 0,0400
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ECAD 4118 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem em superfície SC-79, SOD-523 Schottky PG-SC79-2-1 download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.10.0070 6.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 30 V 500 mV a 500 mA 300 µA a 30 V 150ºC 500mA 10pF @ 5V, 1MHz
BSP324L6327 Infineon Technologies BSP324L6327 0,2900
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ECAD 147 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) PG-SOT223-4-21 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 400 V 170mA (Ta) 4,5V, 10V 25Ohm a 170mA, 10V 2,3 V a 94 µA 5,9 nC a 10 V ±20V 154 pF a 25 V - 1,8W (Ta)
IRLR8503 Infineon Technologies IRLR8503 -
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ECAD 3891 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRLR8503 EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 30 V 44A (Tc) 4,5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 3 V a 250 µA 20 nC @ 5 V ±20V 1650 pF a 25 V - 62W (Tc)
BAT-17-07 Infineon Technologies BAT-17-07 1.0000
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ECAD 9527 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150°C (TJ) TO-253-4, TO-253AA PG-SOT143-4 download Não aplicável 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 1 130 mA 150 mW 0,75pF a 0V, 1MHz Schottky - 2 Independentes 4V 15Ohm @ 5mA, 10kHz
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N80C3XKSA1 2.9900
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ECAD 8291 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 SPP08N80 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 5,1A, 10V 3,9 V a 470 µA 60 nC @ 10 V ±20V 1100 pF a 100 V - 104W (Tc)
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies BSS139L6906HTSA1 -
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ECAD 3797 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) PG-SOT23 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal N 250 V 100mA (Ta) 0V, 10V 14 Ohm @ 0,1 mA, 10 V 1V @ 56µA 3,5 nC @ 5 V ±20V 76 pF a 25 V Modo de esgotamento 360 mW (Ta)
BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N03LSGATMA1 1.1800
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ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN BSC030 MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 4,5V, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 2,2 V a 250 µA 55 nC @ 10 V ±20V 4300 pF a 15 V - 2,5 W (Ta), 69 W (Tc)
IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB067N08N3GATMA1 2.7800
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ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IPB067 MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 6,7mOhm a 73A, 10V 3,5 V a 73 µA 56 nC @ 10 V ±20V 3840 pF a 40 V - 136W (Tc)
IPD60R600C6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R600C6BTMA1 -
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ECAD 7904 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ C6 Fita e Carretel (TR) Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD60R MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 600V 7,3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2,4A, 10V 3,5 V a 200 µA 20,5 nC a 10 V ±20V 440 pF a 100 V - 63W (Tc)
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKQ100N60CTXKSA1 15.3400
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ECAD 4358 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, TrenchStop™ Tubo Não para novos designs -40°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 AIKQ100 padrão 714 W PG-TO247-3-46 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 100 A, 3,6 Ohm, 15 V Parada de campo de trincheira 600V 160A 400A 2V a 15V, 100A 3,1mJ (ligado), 2,5mJ (desligado) 610nC 30ns/290ns
IPP26CNE8N G Infineon Technologies IPP26CNE8N G -
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ECAD 1095 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP26C MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3 download 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 85 V 35A (Tc) 10V 26mOhm a 35A, 10V 4V @ 39µA 31 nC @ 10 V ±20V 2070 pF a 40 V - 71W (Tc)
IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies IAUC45N04S6L063HATMA1 1.5800
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ECAD 1705 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN IAUC45 MOSFET (óxido metálico) 41W (Tc) PG-TDSON-8-57 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (meia ponte) 40V 45A (Tj) 6,3mOhm a 22A, 10V 2V @ 9µA 13nC @ 10V 775pF a 25V Portão de nível lógico
SPB35N10 Infineon Technologies SPB35N10 -
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ECAD 8807 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SPB35N MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3-2 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 35A (Tc) 10V 44mOhm @ 26,4A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 1570 pF a 25 V - 150W (Tc)
IRG7PH35UD1MPBF Infineon Technologies IRG7PH35UD1MPBF -
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ECAD 2704 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 IRG7PH35 padrão 179W TO-247AD download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001537510 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 20A, 10Ohm, 15V Trincheira 1200 V 50A 150A 2,2 V a 15 V, 20 A 620 µJ (desligado) 130nC -/160ns
IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R800CEAUMA1 0,9100
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ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ CE Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD50R800 MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-2 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 500 V 7,6A (Tc) 13V 800mOhm a 1,5A, 13V 3,5 V a 130 µA 12,4 nC a 10 V ±20V 280 pF a 100 V - 60W (Tc)
DD340N18SHPSA1 Infineon Technologies DD340N18SHPSA1 -
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ECAD 6190 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto Montagem em chassi Módulo padrão BG-PB50SB-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 3 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) Conexão em série de 1 par 1800 V 330A 1 mA @ 1800 V -40°C ~ 135°C
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI147N12N3GAKSA1 -
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ECAD 9789 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA IPI147 MOSFET (óxido metálico) PG-TO262-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 120 V 56A (Ta) 10V 14,7mOhm a 56A, 10V 4V @ 61µA 49 nC @ 10 V ±20V 3220 pF a 60 V - 107W (Tc)
BAS40-50B5003 Infineon Technologies BAS40-50B5003 -
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ECAD 8439 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo BAS40 - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000
SPW15N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW15N60CFDFKSA1 -
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ECAD 9495 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 SPW15N MOSFET (óxido metálico) PG-TO247-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 240 Canal N 650 V 13,4A(Tc) 10V 330mOhm @ 9,4A, 10V 5 V a 750 µA 84 nC @ 10 V ±20V 1820 pF a 25 V - 156W (Tc)
D255K04BXPSA1 Infineon Technologies D255K04BXPSA1 -
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ECAD 8456 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem em pino DO-205AA, DO-8, pino D255K padrão - download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 400 V 20 mA a 400 V -40°C ~ 180°C 255A -
TT162N16KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N16KOFKHPSA1 -
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ECAD 9857 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em chassi Módulo TT162N16 Cátodo Comum - Todos os SCRs download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 8 200 mA 1,6kV 2V 5200A a 50Hz 150 mA 162A 2 SCRs
BC 860B E6327 Infineon Technologies BC 860B E6327 0,0500
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ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 mW PG-SOT23-3-11 download Não aplicável 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 7.105 45V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRF6218STRL Infineon Technologies AUIRF6218STRL -
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ECAD 4700 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5 V a 250 µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF a 25 V - 250W (Tc)
BC848BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC848BE6327HTSA1 0,0418
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ECAD 3437 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Última compra 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 mW PG-SOT23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFR13N15DTRL Infineon Technologies IRFR13N15DTRL -
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ECAD 8725 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 150 V 14A (Tc) 10V 180mOhm @ 8,3A, 10V 5,5 V a 250 µA 29 nC @ 10 V ±30V 620 pF a 25 V - 86W (Tc)
AUXS20956S Infineon Technologies AUXS20956S -
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ECAD 9846 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado OBSOLETO 0000.00.0000 45 -
T740N22TOFXPSA1 Infineon Technologies T740N22TOFXPSA1 192.7600
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ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40°C ~ 125°C Fixar DO-200AB, B-PUK T740N22 Solteiro download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.30.0080 9 300 mA 2,6 kV 1500A 2,2V 13000A a 50Hz 250 mA 745A 1 SCR
IRFS4510PBF Infineon Technologies IRFS4510PBF -
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ECAD 7092 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001576206 EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 100V 61A (Tc) 10V 13,9mOhm a 37A, 10V 4 V a 100 µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF a 50 V - 140W (Tc)
IGP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGP20N65H5XKSA1 2.7600
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ECAD 7029 0,00000000 Tecnologias Infineon TrenchStop® Tubo Ativo Através do furo PARA-220-3 IGP20N65 padrão 125W PG-TO220-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 32Ohm, 15V - 650 V 42A 60A 2,1V a 15V, 20A 170 µJ (ligado), 60 µJ (desligado) 48nC 18ns/156ns
IKD06N60RFAATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RFAATMA1 -
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ECAD 8506 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, TrenchStop™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 padrão 100 W PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 6A, 23Ohm, 15V 48 ns Trincheira 600V 12A 18A 2,5V a 15V, 6A 90 µJ (ligado), 90 µJ (desligado) 48nC 8ns/105ns
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque