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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | TIPO | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | ATUAL | Tensão | Tensão - Isolamento | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCP68E6327 | 0,0500 |  | 6 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0075 | 6.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMIC32V06X6SA1 | - | | 3529 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Bandeja | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001660382 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD04N80C3ATMA1 | 1.9600 | | 811 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SPD04N80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 4a (TC) | 10V | 1.3OHM @ 2.5A, 10V | 3.9V @ 240µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | 14.9500 | | 194 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA247-3-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 950 v | 74.7a (TC) | 10V | 60mohm @ 57a, 10V | 3.5V @ 2.85mA | 315 NC @ 10 V | ± 20V | 9378 PF @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP070N06L g | - | | 9760 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP070N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 80a, 10V | 2V A 150µA | 126 nc @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 30 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF4905S | 6.4600 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AUIRF4905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 55 v | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRGP4066DPBF | - | | 4313 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRGP4066 | Padrão | 454 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | 155 ns | Trincheira | 600 v | 140 a | 225 a | 2.1V @ 15V, 75A | 2,47mj (ON), 2,16MJ (Desligado) | 150 NC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||||||||
| Ipd16cne8n g | - | | 1936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD16C | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 85 v | 53a (TC) | 10V | 16mohm @ 53a, 10V | 4V @ 61µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 40 V | - | 100w (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| BSM100GB120DLCHOSA1 | 176.8650 | | 5659 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | BSM100 | 830 w | Padrão | Módlo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Meia Ponte | - | 1200 v | 100 a | - | Sim | |||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | 2.9200 | | 2788 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AUIRFR8405 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 1,98mohm @ 90a, 10V | 3.9V @ 100µA | 155 nc @ 10 V | ± 20V | 5171 pf @ 25 V | - | 163W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Auirls4030-7p | - | | 3077 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 190a (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 110a, 10V | 2,5V a 250µA | 140 nc @ 4,5 V | ± 16V | 11490 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| BSM35GD120DN2 | - | | 2930 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | BSM35G | 280 w | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor Trifásico | NPT | 1200 v | 50 a | 3.2V @ 15V, 35a | Não | 2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | IKP15N65H5XKSA1718 | - | | 7036 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 105 w | PG-PARA220-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 7.5A, 39OHM, 15V | 48 ns | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 30 a | 45 a | 2.1V @ 15V, 15A | 120µJ (ON), 50µJ (OFF) | 38 NC | 17ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R210CFD7XKSA1 | 3.2700 | | 3138 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Ativo | - | - | - | IPA60R210 | - | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 7a (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA50R800CEXKSA2 | 0,9600 | | 343 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA50R800 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 4.1a (TC) | 13V | 800mohm @ 1.5a, 13v | 3,5V A 130µA | 12,4 nc @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 26.4W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPP60R750E6XKSA1 | - | | 7654 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 5.7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2a, 10V | 3,5V A 170µA | 17,2 nc @ 10 V | ± 20V | 373 pf @ 100 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IAUA250N04S6N008Auma1 | 3.3100 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optima ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 5-POWERSFN | IAUA250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HSOF-5-1 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 51a (TA) | 7V, 10V | 0,8mohm @ 100a, 10V | 3V @ 90µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 7088 pf @ 25 V | - | 172W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRFH5220TR2PBF | - | | 8042 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VQFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PQFN (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 200 v | 3.8a (ta), 20a (tc) | 99.9mohm @ 5.8a, 10V | 5V @ 100µA | 30 NC a 10 V | 1380 pf @ 50 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R2K8CEBTMA1 | - | | 3177 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD80R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 1.9a (TC) | 10V | 2.8ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V A 120µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 290 pf @ 100 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FS650R08A4P2BPSA1 | 545.4500 | | 16 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Hybridpack ™ DC6 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FS650R08 | 20 mw | Padrão | Ag-hybdc6i-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 16 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 750 v | 375 a | 1.35V @ 15V, 375A | 1 MA | Sim | 65 NF @ 50 V | |||||||||||||||||||||||||
| F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | 225.0528 | | 5688 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | F411MR | - | ROHS3 Compatível | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU05N03LA | - | | 5100 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IPU05N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | P-PARA251-3-1 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000014903 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10V | 2V @ 50µA | 25 NC @ 5 V | ± 20V | 3110 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | 2.4113 | | 7339 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFS4321 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 4460 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10D | - | | 8420 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | IRG8CH | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFS4610 | - | | 6402 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001522872 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 73a (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 50 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IKCM15L60GDXKMA1 | 17.4200 | | 245 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Cipos ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | Módlo de 24-Powerdip (1.028 ", 26,10mm) | IGBT | IKCM15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 14 | 3 fase | 20 a | 600 v | 2000Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS50R17KE3B17BPSA1 | 179.0947 | | 3428 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econopack ™ 2 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FS50R17 | 345 w | Padrão | Ag-Econo2b | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 82 a | 2.45V @ 15V, 50A | 1 MA | Não | 4.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF9956 | - | | 5985 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF995 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF9956 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3.5a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V a 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
| IPDQ60R025CFD7XTMA1 | 21.0500 | | 7763 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módulo 22-powerBsop | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HDDDSOP-22-1 | download | ROHS3 Compatível | 750 | N-canal | 600 v | 90A (TC) | 10V | 25mohm @ 32.6a, 10V | 4.5V @ 1.63mA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 5626 PF @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IFS150B12N3E4PB11BPSA1 | 319.6200 | | 8674 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MIPAQ ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | IFS150 | 750 w | Padrão | Módlo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | PONTE CONCLUTA | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 300 a | 2.1V @ 15V, 150a | 1 MA | Sim | 9.3 NF @ 25 V |
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