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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE
IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies IRFR3710ZTRLPBF 2.3000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR3710 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 42a (TC) 10V 18mohm @ 33a, 10V 4V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 2930 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF3706PBF Infineon Technologies IRF3706pbf -
RFQ
 ECAD 2331 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 20 v 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 2V A 250µA 35 nc @ 4,5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IPP80N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S205AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8983 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 5.1mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 5110 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPD127N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD127N06LGBTMA1 -
RFQ
 ECAD 6218 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD127 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 50a (TC) 4.5V, 10V 12.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 30 V - 136W (TC)
IRF6638TR1PBF Infineon Technologies IRF6638TR1PBF -
RFQ
 ECAD 1555 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 25a (ta), 140a (tc) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µA 45 nc @ 4,5 V ± 20V 3770 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
SPD50P03LGXT Infineon Technologies Spd50p03lgxt -
RFQ
 ECAD 2208 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos®-P Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD SPD50P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-5 - 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP000086729 Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 50a, 10V 2V A 250µA 126 nc @ 10 V ± 20V 6880 PF @ 25 V - 150W (TC)
IRL3502STRLPBF Infineon Technologies IRL3502STRLPBF -
RFQ
 ECAD 1629 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mv @ 250µA (min) 110 nc @ 4,5 V ± 10V 4700 pf @ 15 V - 140W (TC)
IRFL4105PBF Infineon Technologies IRFL4105pbf -
RFQ
 ECAD 6779 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 55 v 3.7a (ta) 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRF3205LPBF Infineon Technologies IRF3205LPBF -
RFQ
 ECAD 5315 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IRF3205 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 110A (TC) 10V 8mohm @ 62a, 10V 4V A 250µA 146 NC @ 10 V ± 20V 3247 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF7464TR Infineon Technologies IRF7464TR -
RFQ
 ECAD 2100 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 v 1.2a (ta) 10V 730mohm @ 720mA, 10V 5,5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
AUIRFSL4115 Infineon Technologies AUIRFSL4115 -
RFQ
 ECAD 2853 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 150 v 99a (TC) 10V 12.1mohm @ 62a, 10V 5V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 5270 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF7421D1PBF Infineon Technologies IRF7421D1PBF -
RFQ
 ECAD 9495 0,00000000 Tecnologias Infineon Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566294 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 5.8a (ta) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.1a, 10V 1V a 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V Diodo Schottky (Isolado) 2W (TA)
SN7002NH6327XTSA1 Infineon Technologies SN7002NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 7403 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 200Ma (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 26µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD088N06N3GBTMA1 1.0700
RFQ
 ECAD 8320 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD088 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 50a (TC) 10V 8.8mohm @ 50a, 10V 4V @ 34µA 48 nc @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 71W (TC)
IRF7420TRPBF Infineon Technologies IRF7420TRPBF -
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7420 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 12 v 11.5a (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 11.5a, 4.5V 900MV A 250µA 38 NC a 4,5 V ± 8V 3529 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
SPB21N10 G Infineon Technologies Spb21n10 g -
RFQ
 ECAD 1172 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb21n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 21a (TC) 10V 80mohm @ 15a, 10V 4V @ 44µA 38,4 nc @ 10 V ± 20V 865 pf @ 25 V - 90W (TC)
IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Ikfw90n60eh3xksa1 12.7500
RFQ
 ECAD 248 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Ikfw90 Padrão 178 w PG-PARA247-3-AI download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 5OHM, 15V 107 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 77 a 300 a 2.3V @ 15V, 75A 2,65mj (ON), 1,3MJ (Desligado) 440 NC 32ns/210ns
IRLL024ZPBF Infineon Technologies IRLL024ZPBF -
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 55 v 5a (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3a, 10V 3V A 250µA 11 NC @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 1W (TA)
IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R185P7Auma1 3.0900
RFQ
 ECAD 5794 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-Powertsfn IPL60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 2a (4 semanas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 v 19a (TC) 10V 185mohm @ 5.6a, 10V 4V A 280µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 400 V - 81W (TC)
IRF1404STRR Infineon Technologies IRF1404STRR -
RFQ
 ECAD 6396 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 162a (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
ISC012N04LM6ATMA1 Infineon Technologies ISC012N04LM6ATMA1 2.6400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn ISC012N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 37a (ta), 238a (tc) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 2.3V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 20 V - 3W (TA), 125W (TC)
IPI80N06S3L06XK Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK -
RFQ
 ECAD 8167 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 5V, 10V 5.9mohm @ 56a, 10V 2.2V @ 80µA 196 NC @ 10 V ± 16V 9417 PF @ 25 V - 136W (TC)
ND171N18KHPSA1 Infineon Technologies ND171N18KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 8414 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto Montagem do chassi Módlo ND171N18 Padrão BG-PB34-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 20 mA a 1800 V -40 ° C ~ 135 ° C. 171a -
IRF3707ZS Infineon Technologies IRF3707ZS -
RFQ
 ECAD 1438 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF3707ZS Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 59a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 57W (TC)
IRL3714STRRPBF Infineon Technologies IRL3714STRPBF -
RFQ
 ECAD 5444 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 9,7 nc a 4,5 V ± 20V 670 pf @ 10 V - 47W (TC)
PTVA093002TCV1R250XUMA1 Infineon Technologies PTVA093002TCV1R250XUMA1 -
RFQ
 ECAD 8324 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 105 v H-37248G-4/2 PTVA093002 730MHz ~ 960MHz LDMOS H-49248H-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001226874 Ear99 8541.29.0095 250 Fonte Dupla E Comum 10µA 400 mA 300W 18.5dB - 50 v
PTAB182002TCV2R250XUMA1 Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XUMA1 -
RFQ
 ECAD 1655 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 65 v Montagem do chassi H-37248-4 PTAB182002 1.805 GHz ~ 1,88 GHz LDMOS H-37248-4 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP001234430 Ear99 8541.29.0095 250 Fonte Dupla E Comum 10µA 520 MA 180W 14.8db - 28 v
IRGC15B60KB Infineon Technologies IRGC15B60KB -
RFQ
 ECAD 9544 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 15 a 1.35V @ 15V, 3A - -
IRG5K100HH06E Infineon Technologies IRG5K100HH06E -
RFQ
 ECAD 3880 0,00000000 Tecnologias Infineon - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Powir Eco 2 ™ 405 w Padrão Powir Eco 2 ™ download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 14 Inversor de Ponte Conclua - 600 v 170 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Sim 6.2 NF @ 25 V
IRFS4228PBF Infineon Technologies IRFS4228pbf 3.5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001571734 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 150 v 83a (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V A 250µA 107 NC @ 10 V ± 30V 4530 PF @ 25 V - 330W (TC)
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