SIC
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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IRF5800TRPBF Infineon Technologies IRF5800TRPBF -
RFQ
 ECAD 3140 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (TSOP-6) download 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 4a (ta) 4.5V, 10V 85mohm @ 4a, 10V 1V a 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 535 pf @ 25 V - 2W (TA)
IPD03N03LA G Infineon Technologies IPD03N03LA g 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD03N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 60a, 10V 2V @ 70µA 41 nc @ 5 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 115W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5Auma1 6.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 5-POWERSFN IST011N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-5-1 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 60 v 38a (ta), 399a (tc) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10V 3.3V A 148µA 154 nc @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
IRF5810TRPBF Infineon Technologies IRF5810TRPBF -
RFQ
 ECAD 9604 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 IRF58 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 960MW 6-TSOP download 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 2.9a 90mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V a 250µA 9.6NC @ 4.5V 650pf @ 16V Portão de Nível Lógico
DD700N22KHPSA3 Infineon Technologies DD700N22KHPSA3 405.3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Módlo DD700N22 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2200 v 700A 1,36 V @ 2200 A 40 mA a 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BSF134N10NJ3GXUMA1 Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 2.3000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-wdson BSF134 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MG-WDSON-2, CANPAK M ™ download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 9A (TA), 40A (TC) 6V, 10V 13.4mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 40µA 30 NC a 10 V ± 20V 2300 pf @ 50 V - 2.2W (TA), 43W (TC)
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 6.8200
RFQ
 ECAD 9520 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ G7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo de 10 Pópitos IPDD60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-10-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 v 23a (TC) 10V 102mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 400 V - 139W (TC)
IRF7807 Infineon Technologies IRF7807 -
RFQ
 ECAD 6596 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 8.3a (ta) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V a 250µA 17 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
IPB100N06S3-03 Infineon Technologies IPB100N06S3-03 -
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 ECAD 7513 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 100a (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 480 nc @ 10 V ± 20V 21620 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRL3402SPBF Infineon Technologies IRL3402SPBF -
RFQ
 ECAD 3947 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001568332 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 20 v 85a (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7V 700mv @ 250µA (min) 78 NC @ 4,5 V ± 10V 3300 pf @ 15 V - 110W (TC)
IRFL1006TR Infineon Technologies IRFL1006TR -
RFQ
 ECAD 4911 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 1.6a (ta) 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 4V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1W (TA)
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 4633 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 250 v 25a (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V A 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
ETD480N22P60HPSA1 Infineon Technologies ETD480N22P60HPSA1 -
RFQ
 ECAD 5595 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 135 ° C (TC) Montagem do chassi Módlo ETD480 CONEXÃO EM SÉRIE - SCR/DIODO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2 kV 700 a 2,2 v 14700A @ 50Hz 250 Ma 480 a 1 scr, 1 diodo
IM393M6EXKLA1 Infineon Technologies IM393M6EXKLA1 -
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 ECAD 1869 0,00000000 Tecnologias Infineon Cipos ™ Tubo Obsoleto Através do buraco Módulo de 35-PowerDip (0,866 ", 22,00 mm), 30 leads IGBT IM393M6 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001675704 Ear99 8542.39.0001 450 Inversor de três fases 10 a 600 v 2000Vrms
IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH09SG60CXKSA2 4.0156
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 ECAD 8861 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Última Vez compra Através do buraco To-220-2 IDH09SG60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 280pf @ 1V, 1MHz
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03MSGATMA1 1.6600
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 25a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 124 nc @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
IRF7807ZTR Infineon Technologies IRF7807ZTR -
RFQ
 ECAD 5382 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001572296 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 11a, 10v 2,25V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 770 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRL530NPBF Infineon Technologies IRL530NPBF -
RFQ
 ECAD 5313 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRL530 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 17a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V A 250µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 79W (TC)
IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R099C6FKSA1 8.1900
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW60R099 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 37.9a (TC) 10V 99mohm @ 18.1a, 10V 3.5V @ 1.21MA 119 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 100 V - 278W (TC)
DD435N36KHPSA1 Infineon Technologies DD435N36KHPSA1 621.8600
RFQ
 ECAD 3484 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Módlo DD435N36 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 3600 v 573a 1,71 V @ 1200 A 50 mA A 3600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IRFR4105ZPBF Infineon Technologies IRFR4105ZPBF -
RFQ
 ECAD 4835 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 55 v 30a (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
IRG4BC30F-S Infineon Technologies IRG4BC30F-S -
RFQ
 ECAD 8211 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 100 w D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4BC30F-S Ear99 8541.29.0095 50 480V, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (ON), 1,18MJ (OFF) 51 NC 21ns/200ns
IRF6636 Infineon Technologies IRF6636 -
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 ECAD 1093 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ ISOMÉTRICO ST MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ st download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 v 18a (ta), 81a (tc) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2420 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BAS40E6433 Infineon Technologies BAS40E6433 0,0700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 download Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 1 V @ 40 Ma 100 ps 1 µA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120mA 5pf @ 0V, 1MHz
AUIRFR2407TRL Infineon Technologies AUIRFR2407TRL -
RFQ
 ECAD 4734 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR2407 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 v 42a (TC) 26mohm @ 25a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
BC856UE6327HTSA1 Infineon Technologies BC856UE6327HTSA1 0,1250
RFQ
 ECAD 3350 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 BC856 250mw PG-SC74-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF7700TRPBF Infineon Technologies IRF7700TRPBF -
RFQ
 ECAD 2913 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 20 v 8.6a (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5V 1.2V a 250µA 89 NC @ 5 V ± 12V 4300 pf @ 15 V - 1.5W (TC)
DD261N22KHPSA1 Infineon Technologies DD261N22KHPSA1 186.6100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Módlo DD261N22 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2200 v 260a 1,42 V @ 800 A 40 mA a 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FP40R12KE3BOSA1 -
RFQ
 ECAD 5130 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Volume Descontinuado no sic -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FP40R12 210 w Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 55 a 2.3V @ 15V, 40A 1 MA Sim 2.5 NF @ 25 V
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7954 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 240µA 187 NC @ 10 V ± 20V 3660 pf @ 25 V - 300W (TC)
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