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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSXF030A020S1-D3 | 27.8000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXF030 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 200 V | 30A | 1 V a 30 A | 60 ns | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF060A040S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6933 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXF060 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 400 V | 60A | 1,3 V a 60 A | 75ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA030A135MN-FDR | - | ![]() | 5364 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-3P-3, SC-65-3 | padrão | 329 W | TO-3PN | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30A, 5Ohm, 15V | 450 ns | Parada de campo de trincheira | 1350 V | 60A | 90A | 2,4V a 15V, 30A | 4,4mJ (ligado), 1,18mJ (desligado) | 300nC | 30ns/145ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS030A060S-D3 | 36.6337 | ![]() | 9681 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GHXS030 | SiC (carboneto de silício) Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 600 V | 30A | 1,7 V a 3 A | 100 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D008A065A | 2.0600 | ![]() | 4930 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | GP3D008 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-220-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,6 V a 8 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 8A | 336pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D040A065U | 7.0947 | ![]() | 4610 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | GP3D040 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-GP3D040A065U | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 40A | 835pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A010S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 9570 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD050 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 100V | 50A | 840 mV a 50 A | 1 mA a 100 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2T080A120H | 11.0900 | ![]() | 65 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | GP2T080A | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1560-GP2T080A120H | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 35A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V @ 10mA | 61 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1377 pF a 1000 V | - | 188W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A006S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 3256 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD050 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 60 V | 50A | 750 mV a 50 A | 1 mA a 60 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A120U | - | ![]() | 5604 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 33A (CC) | 1,8 V a 10 A | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D024A065U | - | ![]() | 9837 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 36A (CC) | 1,65 V a 12 A | 0 ns | 120 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF120A060S1-D3 | 38.6179 | ![]() | 6739 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXF120 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 600 V | 120A | 1,5 V a 120 A | 105 ns | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A065D | 2.2227 | ![]() | 5334 | 0,00000000 | SemiQ | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | GP3D010 | - | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-GP3D010A065DCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | - | 650 V | - | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D060A120U | 25.3893 | ![]() | 6446 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | GP3D060 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 30A | 1,7 V a 30 A | 0 ns | 60 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D050A065B | 11.0520 | ![]() | 4522 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | GP3D050 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-GP3D050A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,6 V a 50 A | 125 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 135A | 1946pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2T080A120U | 11.8700 | ![]() | 414 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | GP2T080A | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 1560-GP2T080A120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 35A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1377 pF a 1000 V | - | 188W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF100A020S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 4347 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXF100 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 200 V | 120A | 1 V a 100 A | 75ns | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA020A120MN-FD | - | ![]() | 7236 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-3P-3, SC-65-3 | padrão | 223 W | TO-3PN | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 20A, 10Ohm, 15V | 425ns | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 40A | 60A | 2,5V a 15V, 20A | 2,8 mJ (ligado), 480 µJ (desligado) | 210nC | 30ns/150ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D010A170B | - | ![]() | 7483 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-1046-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1700V | 1,75 V a 10 A | 0 ns | 20 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 812pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF030A120S1-D3 | - | ![]() | 8298 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXF030 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | GSXF030A120S1D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 1200 V | 30A | 2,35 V a 30 A | 85 ns | 25 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A006S1-D3 | - | ![]() | 1562 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD080 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 60 V | 80A | 750 mV a 80 A | 1 mA a 60 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A008S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 3300 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD080 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 80 V | 80A | 840 mV a 80 A | 1 mA a 80 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS020A060S-D3 | 37.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GHXS020 | SiC (carboneto de silício) Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 600 V | 20A | 1,7 V a 20 A | 200 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSID150A120S5C1 | - | ![]() | 1331 | 0,00000000 | SemiQ | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | GSID150 | 1087 W | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-1230 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Inversor Trifásico | - | 1200 V | 285A | 2,1V a 15V, 150A | 1mA | Sim | 21,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D012A065B | 4.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | GP3D012 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-GP3D012A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 12 A | 0 ns | 30 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 572pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID100A120T2C1A | - | ![]() | 6323 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C | Montagem em chassi | Módulo | GSID100 | 800 W | Retificador de ponte trifásico | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Inversor Trifásico | - | 1200 V | 200A | 2,1V a 15V, 100A | 1mA | Sim | 13,7 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD300A170S2D5 | - | ![]() | 2356 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | ADICIONAR-A-PAK (3) | GSXD300 | padrão | ADD-A-PAK® | download | Compatível com ROHS3 | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1700V | 1,9 V a 300 A | 540ns | -40°C ~ 150°C | 300A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A015S1-D3 | - | ![]() | 7234 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD120 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 150 V | 120A | 880 mV a 120 A | 3 mA a 150 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D010A120B | - | ![]() | 1417 | 0,00000000 | SemiQ | Amp+™ | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1560-1044-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 10 A | 0 ns | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 635pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A004S1-D3 | 32.7063 | ![]() | 2349 | 0,00000000 | SemiQ | - | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GSXD050 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 45V | 50A | 700 mV a 50 A | 1 mA a 45 V | -40°C ~ 150°C |

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