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Produtos semicondutores discretos(43)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS2302 | 0,1900 |  | 34 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 3A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55mOhm @ 3A, 4,5V | 1,25 V a 250 µA | 3,81 nC a 4,5 V | ±10V | 220 pF a 10 V | - | 700mW (Ta) | |||||||||||||||||||||
 | MMBT4403 | 0,1200 | | 126 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100nA | PNP | 750mV a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | MMBT2222A | 0,1600 | | 37 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N4148WT | 0,1000 | | 45 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | padrão | SOD-523 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 75V | 1,25 V a 150 mA | 4 ns | 1 µA a 75 V | -55°C ~ 150°C | 150mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | MMBT5401 | 0,1200 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 150 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | US1D-A | 0,1200 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | SMA/DO-214AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | AS3D030120P2 | 9.2100 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | AS3D03012 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3D030120P2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 42A | 1,8 V a 15 A | 0 ns | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||
 | AS3401 | 0,2900 | | 61 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4,4A (Ta) | 2,5V, 10V | 55mOhm @ 4,4A, 10V | 1,4 V a 250 µA | 7,2 nC a 10 V | ±12V | 680 pF a 15 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||||||||||||
 | 1N4148W | 0,1000 | | 69 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | 1N4148 | padrão | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 75V | 1,25 V a 150 mA | 4 ns | 2,5 µA a 75 V | -55°C ~ 150°C | 150mA | 1,5 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BC847B | 0,1000 | | 127 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45V | 100 mA | 100nA | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | AS3D020120C | 6.4900 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3D020120C | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 20 A | 0 ns | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 51A | 1280pF a 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | AS1M040120T | 21.5300 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M040120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55mOhm a 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2,946 pF a 1,000 V | - | 330W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | AS2M040120P | 21.5100 | | 7607 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55mOhm a 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2,946 pF a 1,000 V | - | 330W (Tc) | |||||||||||||||||||||
 | AS3400 | 0,2900 | | 8 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3400DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 5,6A (Ta) | 2,5V, 10V | 27mOhm @ 5,6A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 4,8 nC a 4,5 V | ±12V | 535 pF a 15 V | - | 1,2W (Ta) | ||||||||||||||||||||
 | BCP56-16 | 0,4300 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,6W | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | AS1M025120P | 39.5400 | | 128 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M025120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 90A (Tc) | 20V | 34mOhm a 50A, 20V | 4 V a 15 mA | 195 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3600 pF a 1000 V | - | 463W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | AS3D020120P2 | 6.5200 | | 60 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | AS3D02012 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3D020120P2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 30A (CC) | 1,8 V a 15 A | 0 ns | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||
 | RS1D-A | 0,1000 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | SMA/DO-214AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1 A | 150 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | MMBT2907A | 0,1200 | | 40 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 V | 800 mA | 20nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | AS3D030065C | 7.2300 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3D030065C | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 30 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 35A | 1805pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BSS123 | 0,1400 | | 73 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 200mA (Ta) | 4,5V, 10V | 5 Ohm @ 200 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 1,8 nC a 10 V | ±20V | 14 pF a 50 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||
 | B5819WS | 0,1900 | | 17 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV por 1 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 1A | 120pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BAV21WS | 0,1100 | | 20 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | BAV21 | padrão | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 250 V | 1,25 V a 200 mA | 50 ns | 100 nA a 250 V | -55°C ~ 150°C | 200mA | 5pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BAV99 | 0,1100 | | 125 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV99 | padrão | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 70 V | 215mA | 1,25 V a 150 mA | 6 ns | 2,5 µA a 70 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||
 | AS2312 | 0,2800 | | 33 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 6,8A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18mOhm @ 6,8A, 4,5V | 1V @ 250µA | 11,05 nC a 4,5 V | ±10V | 888 pF a 10 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||||||||||||
 | MMBT5551 | 0,1200 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-MMBT5551TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | AS2324 | 0,2900 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 2A (Ta) | 4,5V, 10V | 280mOhm @ 2A, 10V | 3 V a 250 µA | 5,3 nC a 10 V | ±20V | 330 pF a 50 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||||||||||||
 | 2N7002E | 0,1400 | | 44 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-2N7002ETR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 340mA (Ta) | 4,5V, 10V | 5 Ohm a 300 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 2,4 nC a 10 V | ±20V | 18 pF a 30 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||||||||||||
 | SD103AWS | 0,1100 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 350mA | 50pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | MMBT3904 | 0,1000 | | 194 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz |
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