SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caso Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Estado do REACH Outros nomes Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
G5S06510PT Global Power Technology Co. Ltd G5S06510PT -
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ECAD 4718 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC Fornecedor indefinido 4436-G5S06510PT 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 39A 645pF a 0 V, 1 MHz
G4S06530BT Global Power Technology Co. Ltd G4S06530BT -
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ECAD 8456 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB Fornecedor indefinido 4436-G4S06530BT 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 39A (CC) 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G5S06506DT Global Power Technology Co. Ltd G5S06506DT -
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ECAD 9863 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 Fornecedor indefinido 4436-G5S06506DT 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06520P Global Power Technology Co. Ltd G3S06520P -
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ECAD 8397 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC Fornecedor indefinido 4436-G3S06520P 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 60A 1170pF a 0 V, 1 MHz
G3S12010B Global Power Technology Co. Ltd G3S12010B -
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ECAD 1370 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB Fornecedor indefinido 4436-G3S12010B 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 39A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G5S12040PP Global Power Technology Co. Ltd G5S12040PP -
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ECAD 5820 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC Fornecedor indefinido 4436-G5S12040PP 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de anodo comum 1200 V 115A (CC) 1,7 V a 40 A 0 ns 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S12004B Global Power Technology Co. Ltd G3S12004B -
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ECAD 6760 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB Fornecedor indefinido 4436-G3S12004B 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 8,5A (CC) 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G4S06508AT Global Power Technology Co. Ltd G4S06508AT -
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ECAD 3775 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC Fornecedor indefinido 4436-G4S06508AT 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S12002D Global Power Technology Co. Ltd G3S12002D -
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ECAD 1785 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 Fornecedor indefinido 4436-G3S12002D 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 7A 136pF a 0 V, 1 MHz
G52YT Global Power Technology Co. Ltd G52YT -
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ECAD 7769 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Montagem em superfície DO-214AC, SMA SiC (carboneto de silício) Schottky SMA Fornecedor indefinido 4436-G52YT 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 5.8A 116,75pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508H Global Power Technology Co. Ltd G3S06508H -
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ECAD 7687 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F Fornecedor indefinido 4436-G3S06508H 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A 550pF a 0 V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque