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Produtos semicondutores discretos(191)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Estado do REACH	Outros nomes	Pacote Padrão	Velocidade	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F
G3S06506H	-	Solicitação de cotação	2953	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06506H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 6 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	15,4A	424pF a 0 V, 1 MHz
G3S12015L	-	Solicitação de cotação	4372	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G3S12015L	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 15 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	55A	1700pF a 0V, 1MHz
G5S12016B	-	Solicitação de cotação	8269	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G5S12016B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	1200 V	27,9A (CC)	1,7 V a 8 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
G3S06508B	-	Solicitação de cotação	7094	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G3S06508B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	650 V	14A (CC)	1,7 V a 8 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C
G3S06550P	-	Solicitação de cotação	8226	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06550P	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 50 A	100 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	105A	4400pF a 0V, 1MHz
GÁS06520L	-	Solicitação de cotação	2459	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-GAS06520L	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 20 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	66,5A	1390pF a 0 V, 1 MHz
G4S6508Z	-	Solicitação de cotação	3606	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	SiC (carboneto de silício) Schottky	8-DFN (4,9x5,75)	Fornecedor indefinido	4436-G4S6508Z	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	30,5A	395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06530A	-	Solicitação de cotação	5431	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06530A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 30 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	110A	2150pF a 0V, 1MHz
G3S065100P	-	Solicitação de cotação	2794	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S065100P	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 40 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	40A	13500pF a 0V, 1MHz
G3S06510A	-	Solicitação de cotação	4908	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06510A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	35A	690pF a 0 V, 1 MHz
G3S12004B	-	Solicitação de cotação	6760	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G3S12004B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	1200 V	8,5A (CC)	1,7 V a 2 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
G5S12005C	-	Solicitação de cotação	1555	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G5S12005C	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 5 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	20,95A	424pF a 0 V, 1 MHz
G4S06516BT	-	Solicitação de cotação	5550	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G4S06516BT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	650 V	25,9A (CC)	1,7 V a 8 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C
G4S06508AT	-	Solicitação de cotação	3775	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G4S06508AT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	24,5A	395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06512B	-	Solicitação de cotação	9651	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G3S06512B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	650 V	27A (CC)	1,7 V a 6 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C
G5S06510DT	-	Solicitação de cotação	2481	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G5S06510DT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	38A	645pF a 0 V, 1 MHz
G5S12008PM	-	Solicitação de cotação	2245	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S12008PM	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 8 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	27,9A	550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06510QT	-	Solicitação de cotação	2093	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	4-PowerTSFN	SiC (carboneto de silício) Schottky	4-DFN (8x8)	Fornecedor indefinido	4436-G5S06510QT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	53A	645pF a 0 V, 1 MHz
G3S12030B	-	Solicitação de cotação	4934	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G3S12030B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	1200 V	42A (CC)	1,7 V a 15 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
G3S06004J	-	Solicitação de cotação	5027	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Guia Isolada TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-220ISO	Fornecedor indefinido	4436-G3S06004J	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		600V		1,7 V a 4 A	50 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	11A	181pF a 0 V, 1 MHz
G3S06530P	-	Solicitação de cotação	5082	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06530P	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 30 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	95A	2150pF a 0V, 1MHz
G4S12020PM	-	Solicitação de cotação	9894	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G4S12020PM	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,6 V a 20 A	30 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	64,5A	2600pF a 0V, 1MHz
G3S12015P	-	Solicitação de cotação	5432	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S12015P	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 15 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	42A	1379pF a 0 V, 1 MHz
G3S06510D	-	Solicitação de cotação	2278	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G3S06510D	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	34A	690pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510AT	-	Solicitação de cotação	8951	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G4S06510AT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	30,5A	550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06520A	-	Solicitação de cotação	1139	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06520A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 20 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	56,5A	1170pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510CT	-	Solicitação de cotação	7640	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G4S06510CT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	31A	550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508H	-	Solicitação de cotação	7687	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06508H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	14A	550pF a 0 V, 1 MHz
G5S12015A	-	Solicitação de cotação	6081	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S12015A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 15 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	53A	1370pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002C	-	Solicitação de cotação	6074	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G5S12002C	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 2 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	8,8A	170pF a 0 V, 1 MHz