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Produtos Semicondutores Discretos (191)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Status de alcance	Nomes de Ulros	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F
G5S12020BM	-	RFQ	5996	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-247-3	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G5S12020BM	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	1200 v	33a (DC)	1,7 V @ 10 A	0 ns	30 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
G3S06504H	-	RFQ	1905	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06504H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 4 a	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	10a	181pf @ 0V, 1MHz
G3S12010A	-	RFQ	3289	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S12010A	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	34.8a	770pf @ 0V, 1MHz
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G5S06520AT	-	RFQ	6350	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S06520AT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,5 V @ 20 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	68.8a	1600pf @ 0V, 1MHz
G5S06504AT	-	RFQ	6237	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S06504AT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,6 V @ 4 a	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	11.6a	181pf @ 0V, 1MHz
G5S12020H	-	RFQ	6564	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G5S12020H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	24.6a	1320pf @ 0V, 1MHz
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G3S12010M	-	RFQ	8869	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S12010M	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	23.5a	765pf @ 0V, 1MHz
G3S06503D	-	RFQ	1675	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-263	Fornecedor indefinido	4436-G3S06503D	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 3 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	11.5a	181pf @ 0V, 1MHz
G51XT	-	RFQ	3988	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	SOD-123F	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	SOD-123fl	Fornecedor indefinido	4436-G51XT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,6 V @ 1 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1.84a	57,5pf @ 0V, 1MHz
G3S06510H	-	RFQ	5163	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06510H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	20a	690pf @ 0V, 1MHz
G3S06505C	-	RFQ	6424	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-252	Fornecedor indefinido	4436-G3S06505C	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	22.5a	424pf @ 0V, 1MHz
G5S12008H	-	RFQ	8914	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G5S12008H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 8 a	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	16a	550pf @ 0V, 1MHz
G5S06505CT	-	RFQ	6152	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-252	Fornecedor indefinido	4436-G5S06505CT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,5 V @ 5 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	24a	395pf @ 0V, 1MHz