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Produtos semicondutores discretos(191)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Estado do REACH	Outros nomes	Pacote Padrão	Velocidade	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F
G4S06508DT	-	Solicitação de cotação	1344	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G4S06508DT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	24A	395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06505H	-	Solicitação de cotação	1162	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06505H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 5 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	15,4A	424pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510JT	-	Solicitação de cotação	8617	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Guia Isolada TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-220ISO	Fornecedor indefinido	4436-G4S06510JT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	31,2A	550pF a 0 V, 1 MHz
G3S12010A	-	Solicitação de cotação	3289	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S12010A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	34,8A	770pF a 0 V, 1 MHz
G5S6506Z	-	Solicitação de cotação	7394	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	SiC (carboneto de silício) Schottky	8-DFN (4,9x5,75)	Fornecedor indefinido	4436-G5S6506Z	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 6 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	30,5A	395pF a 0 V, 1 MHz
G5S12008D	-	Solicitação de cotação	2939	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G5S12008D	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 8 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	26.1A	550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06520AT	-	Solicitação de cotação	6350	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S06520AT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 20 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	68,8A	1600pF a 0V, 1MHz
G3S12003A	-	Solicitação de cotação	3270	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S12003A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 3 A	0 ns	100 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	12A	260pF a 0 V, 1 MHz
G3S06510H	-	Solicitação de cotação	5163	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S06510H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	20A	690pF a 0 V, 1 MHz
G3S06550PM	-	Solicitação de cotação	4844	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06550PM	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 50 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	130A	4400pF a 0V, 1MHz
G3S12010M	-	Solicitação de cotação	8869	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S12010M	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	23,5A	765pF a 0 V, 1 MHz
G4S12020P	-	Solicitação de cotação	4931	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo					Fornecedor indefinido	4436-G4S12020P	1
G4S06515DT	-	Solicitação de cotação	1010	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G4S06515DT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 15 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	38A	645pF a 0 V, 1 MHz
G3S12002H	-	Solicitação de cotação	8714	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S12002H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 2 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	7.3A	136pF a 0 V, 1 MHz
G3S06502A	-	Solicitação de cotação	1195	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06502A	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 2 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	9A	123pF a 0V, 1MHz
G3S06508D	-	Solicitação de cotação	3784	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G3S06508D	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	25,5A	550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06008J	-	Solicitação de cotação	4839	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo					Fornecedor indefinido	4436-G3S06008J	1
G51XT	-	Solicitação de cotação	3988	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	SOD-123F	SiC (carboneto de silício) Schottky	SOD-123FL	Fornecedor indefinido	4436-G51XT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,6 V a 1 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	1,84A	57,5pF a 0V, 1MHz
G5S12020BM	-	Solicitação de cotação	5996	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-3	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G5S12020BM	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	1200 V	33A (CC)	1,7 V a 10 A	0 ns	30 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
G3S06502C	-	Solicitação de cotação	7907	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G3S06502C	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 2 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	9A	123pF a 0V, 1MHz
G3S12015H	-	Solicitação de cotação	9480	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S12015H	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 15 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	21A	1700pF a 0V, 1MHz
G5S06505AT	-	Solicitação de cotação	3018	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G5S06505AT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 5 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	24,5A	395pF a 0 V, 1 MHz
G3S17005P	-	Solicitação de cotação	4173	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S17005P	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1700V		1,7 V a 5 A	0 ns	50 µA a 1700 V	-55°C ~ 175°C	29,5A	780pF a 0 V, 1 MHz
G3S06504C	-	Solicitação de cotação	9021	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G3S06504C	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 4 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	11,5A	181pF a 0 V, 1 MHz
G3S12010D	-	Solicitação de cotação	7559	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G3S12010D	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	33,2A	765pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510DT	-	Solicitação de cotação	7817	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	Fornecedor indefinido	4436-G4S06510DT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	32A	550pF a 0 V, 1 MHz
G3S12020B	-	Solicitação de cotação	4697	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S12020B	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)	1 par de cátodo comum	1200 V	37A (CC)	1,7 V a 10 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
G3S12002C	-	Solicitação de cotação	5481	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G3S12002C	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 2 A	0 ns	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	8,8A	170pF a 0 V, 1 MHz
G4S06506AT	-	Solicitação de cotação	7515	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G4S06506AT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,8 V a 6 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	11,6A	181pF a 0V, 1MHz
G4S06506CT	-	Solicitação de cotação	2464	Global Power Technology Co.	-	Volume	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	Fornecedor indefinido	4436-G4S06506CT	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,8 V a 6 A	0 ns	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	13,8A	181pF a 0 V, 1 MHz