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Produtos Semicondutores discretos (324)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)
GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 60a (TC) 10V 10.5mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 1574 pf @ 50 V - 83W (TC)
GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M 1.0400
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-263 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 800 N-canal 100 v 60a (TC) 10V 12mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1222 pf @ 50 V - 73.5W (TC)
G7P03L Goford Semiconductor G7P03L 0,0670
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 7a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 3a, 10V 2,5V a 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 1.9W (TC)
GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K 0,8800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3141-GT090N06KTR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 45a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.4V a 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1088 pf @ 30 V - 52W (TC)
G29 Goford Semiconductor G29 0,4300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 6a 30mohm @ 3a, 4.5V 900MV A 250µA 12,5 nc @ 10 V ± 12V 1151 pf @ 10 V 1w
5N20A Goford Semiconductor 5n20a 0,6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (DPAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 5a 650mohm @ 2.5a, 10V 3V A 250µA 10,8 nc @ 10 V ± 20V 255 pf @ 25 V 78W
G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6 0,0650
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 GoFord Semiconductor G Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 G2K3N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.67W (TC) SOT-23-6L download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 100V 3a (TC) 220mohm @ 2a, 10V 2.2V A 250µA 4.8NC @ 4.5V 536pf @ 50V -
G18P03D3 Goford Semiconductor G18P03D3 0,8000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (3.15x3.05) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 28a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 2060 pf @ 15 V - 40W (TC)
GT52N10D5I Goford Semiconductor GT52N10D5I 0,3840
RFQ
 ECAD 2219 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT52N10D5ITR Ear99 8541.29.0000 5.000 N-canal 100 v 65a (TC) 4.5V, 10V 8ohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 2428 pf @ 50 V - 79W (TC)
GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5 1.6800
RFQ
 ECAD 6436 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) download Rohs Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 5.000 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 5mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 20V 4217 pf @ 50 V - 180W (TC)
18N20J Goford Semiconductor 18N20J 0,9300
RFQ
 ECAD 141 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 75 N-canal 200 v 18a (TC) 10V 160mohm @ 9a, 10V 3V A 250µA 17,7 nc @ 10 V ± 30V 836 pf @ 25 V Padrão 65.8W (TC)
G450P04K Goford Semiconductor G450P04K 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 2.500 Canal P. 40 v 11a (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 983 pf @ 20 V - 48W (TC)
G05NP10S Goford Semiconductor G05NP10S 0.2116
RFQ
 ECAD 4363 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 3W (TC), 2,5W (TC) 8-SOP - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-G05NP10STR Ear99 8541.29.0000 4.000 - 100V 5A (TC), 6A (TC) 170mohm @ 1a, 10v, 200mohm @ 6a, 10V 3V A 250µA 18NC @ 10V, 25NC @ 10V 797pf @ 25V, 760pf @ 25V Padrão
2300F Goford Semiconductor 2300f 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 6a (TC) 2.5V, 4.5V 27mohm @ 2.3a, 4.5V 900MV A 250µA 11 NC a 4,5 V ± 12V 630 pf @ 10 V Padrão 1.25W (TC)
G030N06M Goford Semiconductor G030N06M 1.8900
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-263 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 800 N-canal 60 v 223a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 30a, 10V 2,5V a 250µA 101 NC a 4,5 V ± 20V 12432 pf @ 30 V - 240W (TC)
G2305 Goford Semiconductor G2305 0,0350
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.8a (ta) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 4.1a, 4.5V 1V a 250µA 7,8 nc @ 4,5 V ± 12V - 1.7W (TA)
G050P03S Goford Semiconductor G050P03S 0,9400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 4.000 Canal P. 30 v 25a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 111 nc @ 10 V ± 20V 7221 pf @ 15 V - 3.5W (TC)
G3035L Goford Semiconductor G3035L 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 4.1a (ta) 4.5V, 10V 59mohm @ 2.1a, 10V 2V A 250µA 12,5 nc @ 10 V ± 20V 650 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T 0,9800
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 60a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.4V a 250µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 30 V - 75W (TC)
G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5 1.5800
RFQ
 ECAD 1988 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 5.000 Canal P. 150 v 60a (TC) 10V 80mohm @ 5a, 10V 4V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 4050 pf @ 75 V - 100w (TC)
G70N04T Goford Semiconductor G70N04T 0,9100
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10V 2.4V a 250µA 50 nc @ 10 V ± 20V 4010 pf @ 20 V - 104W (TC)
G75P04SI Goford Semiconductor G75P04SI 0,3578
RFQ
 ECAD 4653 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-G75P04SITR Ear99 8541.29.0000 4.000 Canal P. 40 v 11a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6509 pf @ 20 V - 2.5W (TC)
GC120N65QF Goford Semiconductor GC120N65QF 6.5200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 3141-GC120N65QF Ear99 8541.29.0000 30 N-canal 650 v 30a (TC) 10V 120mohm @ 38a, 10V 5V A 250µA 68 nc @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 275 V - 96.1W (TC)
G69F Goford Semiconductor G69F 0,1247
RFQ
 ECAD 4161 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-DFN (2x2) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 3.000 Canal P. 12 v 16a (TC) 2.5V, 4.5V 18mohm @ 4.5a, 4.5V 1V a 250µA 48 NC a 4,5 V ± 8V 2700 pf @ 10 V - 18W (TC)
GT100N12T Goford Semiconductor GT100N12T 1.5500
RFQ
 ECAD 198 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 120 v 70A (TC) 10V 10mohm @ 35a, 10V 3,5V a 250µA 50 nc @ 10 V ± 20V 3050 pf @ 60 V - 120W (TC)
G01N20LE Goford Semiconductor G01N20LE 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 v 1.7a (TC) 4.5V, 10V 850mohm @ 1.7a, 10V 2,5V a 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
GT1003A Goford Semiconductor GT1003A 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor Gt Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 N-canal 100 v 3a (ta) 10V 140mohm @ 3a, 10V 3V A 250µA 4.3 NC @ 10 V ± 20V 206 pf @ 50 V - 1.6W (TA)
GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M 1.7300
RFQ
 ECAD 778 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-263 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 30V 768 pf @ 50 V - 78W (TC)
G4616 Goford Semiconductor G4616 0,5700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOP G461 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TC), 2,8W (TC) 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N e P-Canal complementar 40V 8a (TC), 7A (TC) 20mohm @ 8a, 10v, 35mohm @ 7a, 10V 2,5V a 250µA 12NC @ 10V, 13NC @ 10V 415pf @ 20V, 520pf @ 20V Padrão
G04P10HE Goford Semiconductor G04P10HE 0,5300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 4a (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 6a, 10V 2,8V a 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1647 PF @ 50 V Padrão 1.2W (TC)
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