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Produtos Semicondutores discretos (324)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)
G58N06F Goford Semiconductor G58N06F 0,9700
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 50 N-canal 60 v 35a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 2.4V a 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 30006 pf @ 30 V Padrão 44W (TC)
G75P04T Goford Semiconductor G75P04T -
RFQ
 ECAD 4272 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 50 Canal P. 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6985 PF @ 20 V - 277W (TC)
G75P04S Goford Semiconductor G75P04S 0,3260
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 4.000 Canal P. 40 v 11a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6893 pf @ 20 V - 2.5W (TC)
G300P06D5 Goford Semiconductor G300P06D5 0,9100
RFQ
 ECAD 5140 0,00000000 GoFord Semiconductor G Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 5.000 Canal P. 60 v 40A (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 49 NC @ 10 V ± 20V 2705 ​​pf @ 30 V - 50W (TC)
GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S 0,7300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 14a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 14a, 10v 2.4V a 250µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3W (TC)
GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0000 2.500 N-canal 100 v 75a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 2056 PF @ 50 V - 100w (TC)
GT045N10T Goford Semiconductor GT045N10T 1.8300
RFQ
 ECAD 91 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT045N10T Ear99 8541.29.0000 50 N-canal 100 v 150a (TC) 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 73 NC @ 10 V ± 20V 4198 PF @ 50 V - 156W (TC)
1002 Goford Semiconductor 1002 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 2a 250mohm @ 2a, 10V 3V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 387 pf @ 10 V 1.3W
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0,7012
RFQ
 ECAD 8022 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT080N10KITR Ear99 8541.29.0000 2.500 N-canal 100 v 65a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 2394 PF @ 50 V - 79W (TC)
GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH -
RFQ
 ECAD 7588 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 2.500 Canal P. 100 v 4.3a (TC) 10V 670mohm @ 1a, 10v 3V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 247 pf @ 50 V - 25W (TC)
G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-6L download Rohs Compatível Ear99 8541.29.0000 3.000 N-canal 30 v 5.3a (TC) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.3V a 250µA 9,1 NC a 4,5 V ± 10V 573 pf @ 15 V - 1.4W (TC)
GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T 0,3820
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 100 v 55a (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 54 NC @ 10 V ± 20V - 74W (TC)
G05P06L Goford Semiconductor G05P06L 0,0790
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 60 v 5a (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2,5V a 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 1366 pf @ 50 V - 4.3W (TC)
G80N03K Goford Semiconductor G80N03K 0,8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0000 2.500 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 25a, 10V 2V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 15 V - 69W (TC)
GC20N65F Goford Semiconductor GC20N65F 2.7000
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 650 v 20a (TC) 10V 170mohm @ 10a, 10V 4.5V a 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1724 pf @ 100 V - 34W (TC)
630A Goford Semiconductor 630A 0,8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 11a 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 3V A 250µA 11,8 nc @ 10 V ± 20V 509 pf @ 25 V - 83W
630AT Goford Semiconductor 630AT -
RFQ
 ECAD 4712 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 200 v 9a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 1a, 10v 2.2V A 250µA 11,8 nc @ 10 V ± 20V 509 pf @ 25 V - 83W (TC)
G75P04KI Goford Semiconductor G75P04KI 0,3822
RFQ
 ECAD 3046 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-g75p04kitr Ear99 8541.29.0000 2.500 Canal P. 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6586 PF @ 20 V - 130W (TC)
2301H Goford Semiconductor 2301H 0,0290
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 2a (ta) 4.5V, 10V 125mohm @ 3a, 10V 2V A 250µA 12 nc @ 2,5 V ± 12V 405 pf @ 10 V - 1W (TA)
G12P04K Goford Semiconductor G12P04K 0,5300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 40 v 12a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 930 PF @ 20 V - 50W (TC)
G130N06S Goford Semiconductor G130N06S 0,1950
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 4.000 N-canal 60 v 9a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 3068 pf @ 30 V - 2.6W (TC)
G65P06D5 Goford Semiconductor G65P06D5 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 60 v 60a (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 3,5V a 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 5814 pf @ 25 V - 130W (TC)
G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52 0,8700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 GoFord Semiconductor Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn G60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 20W (TC) 8-DFN (4.9x5.75) download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 5.000 40V 35a (TC) 9mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 27NC @ 10V 1998pf @ 20V Padrão
G08N02H Goford Semiconductor G08N02H 0.1141
RFQ
 ECAD 1671 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-G08N02HTR Ear99 8541.29.0000 2.500 N-canal 20 v 12a (TC) 2.5V, 4.5V 11.3mohm @ 1a, 4.5V 900MV A 250µA 12,5 nc a 4,5 V ± 12V 1255 pf @ 10 V - 1.7W (TC)
GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T 1.6400
RFQ
 ECAD 98 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 30V 901 pf @ 50 V - 78W (TC)
G06P01E Goford Semiconductor G06P01E 0,4300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 12 v 4a (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 3a, 4.5V 1V a 250µA 14 NC a 4,5 V ± 10V 1087 pf @ 6 V - 1.8W (TC)
GT060N04T Goford Semiconductor GT060N04T 0,8700
RFQ
 ECAD 343 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 60a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10V 2.3V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1301 pf @ 20 V - 48W (TC)
G1002L Goford Semiconductor G1002L 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3L download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 2a 250mohm @ 2a, 10V 2V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 413 pf @ 50 V 1.3W
G12P10K Goford Semiconductor G12P10K 0,7100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (DPAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 12a 200mohm @ 6a, 10V 3V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 50 V 57W
GT1003D Goford Semiconductor GT1003D 0,4500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3L download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 3a 130mohm @ 3a, 10V 2.6V a 250µA 5,2 nc @ 10 V ± 20V 212 pf @ 50 V 2W
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