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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G1K1P06LL | 0,3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-6L | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 3a (TC) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 2a, 10V | 2,5V a 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 1035 pf @ 30 V | - | 1.5W (TC) | |||||
![]() | G18P03S | 0.1930 | ![]() | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | G | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 4.000 | Canal P. | 30 v | 15a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 20V | 3570 pf @ 15 V | - | 3.1W (TC) | ||||||
![]() | G09P02L | 0,4900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 9a (TC) | 2.5V, 4.5V | 23mohm @ 1a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 12V | 620 pf @ 10 V | - | 2.2W (TC) | ||||
![]() | G1002 | 0,0350 | ![]() | 21 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 4822-G1002TR | Ear99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 100 v | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 2a, 10V | 3V A 250µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 50 V | - | 1.3W (TC) | |||
![]() | G12P06K | 0,4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1108 pf @ 30 V | - | 27W (TC) | |||||
![]() | GT180P08M | 1.5800 | ![]() | 800 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 800 | |||||||||||||||||||||
![]() | GT10N10 | 0,1240 | ![]() | 100 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | Gt | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 2.500 | N-canal | 100 v | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 3.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 206 pf @ 50 V | - | 17W (TC) | ||||||
![]() | G45P40T | 0,9400 | ![]() | 399 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 40 v | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 3269 pf @ 20 V | - | 80W (TC) | ||||
![]() | G230P06F | 0,9800 | ![]() | 50 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 3141-G230P06F | Ear99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P. | 60 v | 42a (TC) | 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4669 pf @ 30 V | - | 67,57W (TC) | |||
![]() | G1008B | 0,5700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | G1008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W (TC) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 100V | 8a (TC) | 130mohm @ 2a, 10V | 3V A 250µA | 15.5NC @ 10V | 690pf @ 25V | Padrão | |||||||
![]() | 2002a | 0.1098 | ![]() | 8180 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-6L | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-2002ATR | Ear99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 190 v | 5a (TC) | 4.5V, 10V | 540mohm @ 1a, 10v | 3V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 733 pf @ 100 V | - | 1.4W (TC) | ||||
![]() | G35N02K | 0,4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 v | 35a (TC) | 2.5V, 4.5V | 13mohm @ 20a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 24 NC a 4,5 V | ± 12V | 1380 pf @ 10 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | G7K2N20LLE | 0,0690 | ![]() | 9 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-6L | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 200 v | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 700MOHM @ 1A, 100V | 2,5V a 250µA | 10,8 nc @ 10 V | ± 20V | 577 pf @ 100 V | - | 1.8W (TC) | ||||
![]() | GT035N10M | 2.8500 | ![]() | 739 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-263 | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8541.29.0000 | 800 | N-canal | 100 v | 190a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 6188 PF @ 50 V | - | 277W (TC) | |||||
![]() | 2301 | 0,0270 | ![]() | 120 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3a (ta) | 2.5V, 4.5V | 56mohm @ 1.7a, 4.5V | 900MV A 250µA | 12 nc @ 2,5 V | ± 10V | 405 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||
![]() | GC20N65T | 2.7300 | ![]() | 85 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 20a (TC) | 10V | 170mohm @ 10a, 10V | 4.5V a 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1724 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||
![]() | G15N06K | 0,5300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 15a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 8a, 10V | 3V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 763 pf @ 30 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | G10P03 | 0,4900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (3.15x3.05) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 10a | 1,5V a 250µA | 27 NC a 4,5 V | ± 12V | 1550 pf @ 15 V | 20w | |||||||
![]() | GT011N03D5E | 1.6700 | ![]() | 2573 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (4.9x5.75) | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-canal | 30 v | 209a (TC) | 4.5V, 10V | - | 2,5V a 250µA | 98 nc @ 10 V | ± 16V | 6503 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | |||||
![]() | G3K8N15HE | 0,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | GT060N04D3 | 0,6600 | ![]() | 13 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (3.15x3.05) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1282 pf @ 20 V | - | 36W (TC) | ||||
![]() | G20P06K | 0,6800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 20a (TC) | 10V | 45mohm @ 12a, 10V | 3,5V a 250µA | 46 nc @ 10 V | ± 20V | 3430 pf @ 30 V | 90W (TC) | |||||
![]() | G75P04F | 1.2000 | ![]() | 48 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 3141-G75P04F | Ear99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P. | 40 v | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 106 nc @ 10 V | ± 20V | 6768 pf @ 20 V | - | 35.7W (TC) | |||
![]() | GT080N08D5 | 0,3673 | ![]() | 3711 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (4.9x5.75) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-GT080N08D5TR | Ear99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-canal | 85 v | 65a (TC) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1885 PF @ 50 V | - | 69W (TC) | ||||
![]() | GT013N04D5 | 0,5251 | ![]() | 4507 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (4.9x5.75) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-GT013N04D5TR | Ear99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.7mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 3927 PF @ 20 V | - | 78W (TC) | ||||
![]() | GT030N08T | 2.3624 | ![]() | 1020 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-GT030N08T | Ear99 | 8541.29.0000 | 50 | N-canal | 85 v | 200a (TC) | 10V | 3mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 5822 pf @ 50 V | - | 260W (TC) | ||||
![]() | G2K8P15K | 0,7500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 2.500 | Canal P. | 150 v | 12a (TC) | 10V | 310mohm @ 1a, 10v | 3,5V a 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 953 pf @ 75 V | - | 59W (TC) | ||||
![]() | GC20N65Q | 3.5300 | ![]() | 35 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 20a (TC) | 10V | 170mohm @ 10a, 10V | 4.5V a 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1724 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||
![]() | GC11N65F | 1.6400 | ![]() | 145 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 11a | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 30V | 901 pf @ 50 V | 31.3W | ||||||
![]() | G080N10T | 1.9400 | ![]() | 5661 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-G080N10T | Ear99 | 8541.29.0000 | 50 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 107 nc @ 4,5 V | ± 20V | 13912 PF @ 50 V | - | 370W (TC) |
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