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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPH3202LD | - | ![]() | 3309 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 4-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 600V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5,5A, 8V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 65W (Tc) | ||||||
![]() | TPH3205WSBQA | 21.9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Transformar | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Última compra | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TPH3205 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 35A (Tc) | 10V | 62mOhm @ 22A, 8V | 2,6 V a 700 µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2.200 pF a 400 V | - | 125W (Tc) | |||||
![]() | TP65H035G4WS | 18.6500 | ![]() | 533 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H035 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 1707-TP65H035G4WS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 46,5A (Tc) | 10V | 41mOhm a 30A, 10V | 4,8V a 1mA | 22 nC @ 0 V | ±20V | 1500 pF a 400 V | - | 156W (Tc) | ||||
![]() | TPH3205WSB | - | ![]() | 3868 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Canal N | 650 V | 36A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 22A, 8V | 2,6 V a 700 µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2.200 pF a 400 V | - | 125W (Tc) | |||||
![]() | TPH3212PS | - | ![]() | 8548 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TPH3212 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 27A (Tc) | 10V | 72mOhm @ 17A, 8V | 2,6V a 400uA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 1130 pF a 400 V | - | 104W (Tc) | ||||
![]() | TPH3206LD | - | ![]() | 3473 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 600V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 96W (Tc) | ||||||
![]() | TP65H150BG4JSG-TR | 4.1600 | ![]() | 5640 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 8-PQFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 4.000 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 6V | 180mOhm @ 10A, 6V | 2,8 V a 500 µA | 4,9 nC a 10 V | ±10V | 400 pF a 400 V | - | 83W (Tc) | |||||||
![]() | TP65H050G4BS | 13.0300 | ![]() | 425 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | TP65H050 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-263 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 1707-TP65H050G4BS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 34A (Tc) | 10V | 60mOhm a 22A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF a 400 V | - | 119W (Tc) | |||
![]() | TPH3202PD | - | ![]() | 2776 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5,5A, 8V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 65W (Tc) | ||||||
![]() | TP65H070LSG-TR | 13.1200 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Transformar | TP65H070L | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 650 V | 25A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 16A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 9,3 nC a 10 V | ±20V | 600 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||||
![]() | TPH3206LDG-TR | - | ![]() | 1119 | 0,00000000 | Transformar | - | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | 1707-TPH3206LDG-TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 600V | 17A (Tc) | 8V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 96W (Tc) | ||||||
![]() | TP65H050WSQA | 19.7300 | ![]() | 73 | 0,00000000 | Transformar | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H050 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1707-TP65H050WSQA | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 36A (Tc) | 10V | 60mOhm a 25A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF a 400 V | - | 150W (Tc) | |||
![]() | TPH3206PSB | 9.8100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TPH3206 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 10A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 6,2 nC a 4,5 V | ±18V | 720 pF a 480 V | - | 81W (Tc) | |||||
![]() | TP65H050WS | 18.5400 | ![]() | 395 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H050 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 34A (Tc) | 12V | 60mOhm a 22A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF a 400 V | - | 119W (Tc) | ||||
![]() | TP65H150G4LSG-TR | 5.4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Transformar | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 2-PowerTSFN | GaNFET (nitreto de glio) | 2-PQFN (8x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 650 V | 13A (Tc) | 10V | 180mOhm a 8,5A, 10V | 4,8 V a 500 µA | 8 nC @ 10 V | ±20V | 598 pF a 400 V | - | 52W (Tc) | |||||
![]() | TP65H035WS | 20.7700 | ![]() | 879 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H035 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 46,5A (Tc) | 12V | 41mOhm a 30A, 10V | 4,8V a 1mA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 400 V | - | 156W (Tc) | ||||
![]() | TP65H070G4LSGB-TR | 11.3300 | ![]() | 3891 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 8-PQFN (8x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3.000 | Canal N | 650 V | 29A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 16A, 10V | 4,6 V a 700 µA | 8,4 nC a 10 V | ±20V | 600 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||||||
![]() | TPD3215M | - | ![]() | 1288 | 0,00000000 | Transformar | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Módulo | TPD3215 | GaNFET (nitreto de glio) | 470W | Módulo | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 600V | 70A (Tc) | 34mOhm a 30A, 8V | - | 28nC @ 8V | 2260pF a 100V | - | |||||||
![]() | TP65H035G4WSQA | 20.0900 | ![]() | 426 | 0,00000000 | Transformar | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | 3 (168 horas) | 1707-TP65H035G4WSQA | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 47,2A(Tc) | 10V | 41mOhm a 30A, 10V | 4,8V a 1mA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 400 V | - | 187W (Tc) |

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