SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.)
TPH3202LD Transphorm TPH3202LD -
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ECAD 3309 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 4-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 4-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 600V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5,5A, 8V 2,5 V a 250 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 65W (Tc)
TPH3205WSBQA Transphorm TPH3205WSBQA 21.9300
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ECAD 4 0,00000000 Transformar Automotivo, AEC-Q101 Tubo Última compra -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TPH3205 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 35A (Tc) 10V 62mOhm @ 22A, 8V 2,6 V a 700 µA 42 nC @ 8 V ±18V 2.200 pF a 400 V - 125W (Tc)
TP65H035G4WS Transphorm TP65H035G4WS 18.6500
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ECAD 533 0,00000000 Transformar - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C Através do furo PARA-247-3 TP65H035 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download 1 (ilimitado) 1707-TP65H035G4WS EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 46,5A (Tc) 10V 41mOhm a 30A, 10V 4,8V a 1mA 22 nC @ 0 V ±20V 1500 pF a 400 V - 156W (Tc)
TPH3205WSB Transphorm TPH3205WSB -
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ECAD 3868 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 180 Canal N 650 V 36A (Tc) 10V 60mOhm @ 22A, 8V 2,6 V a 700 µA 42 nC @ 8 V ±18V 2.200 pF a 400 V - 125W (Tc)
TPH3212PS Transphorm TPH3212PS -
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ECAD 8548 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TPH3212 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 27A (Tc) 10V 72mOhm @ 17A, 8V 2,6V a 400uA 14 nC @ 8 V ±18V 1130 pF a 400 V - 104W (Tc)
TPH3206LD Transphorm TPH3206LD -
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ECAD 3473 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 4-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 600V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 96W (Tc)
TP65H150BG4JSG-TR Transphorm TP65H150BG4JSG-TR 4.1600
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ECAD 5640 0,00000000 Transformar SuperGaN® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN GaNFET (nitreto de glio) 8-PQFN (5x6) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 4.000 Canal N 650 V 16A (Tc) 6V 180mOhm @ 10A, 6V 2,8 V a 500 µA 4,9 nC a 10 V ±10V 400 pF a 400 V - 83W (Tc)
TP65H050G4BS Transphorm TP65H050G4BS 13.0300
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ECAD 425 0,00000000 Transformar SuperGaN® Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB TP65H050 GaNFET (nitreto de glio) PARA-263 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 1707-TP65H050G4BS EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 34A (Tc) 10V 60mOhm a 22A, 10V 4,8 V a 700 µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF a 400 V - 119W (Tc)
TPH3202PD Transphorm TPH3202PD -
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ECAD 2776 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5,5A, 8V 2,5 V a 250 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 65W (Tc)
TP65H070LSG-TR Transphorm TP65H070LSG-TR 13.1200
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ECAD 12 0,00000000 Transformar TP65H070L Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4,8 V a 700 µA 9,3 nC a 10 V ±20V 600 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3206LDG-TR Transphorm TPH3206LDG-TR -
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ECAD 1119 0,00000000 Transformar - Bandeja Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download 1707-TPH3206LDG-TR EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 600V 17A (Tc) 8V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 96W (Tc)
TP65H050WSQA Transphorm TP65H050WSQA 19.7300
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ECAD 73 0,00000000 Transformar Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TP65H050 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 1707-TP65H050WSQA EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 36A (Tc) 10V 60mOhm a 25A, 10V 4,8 V a 700 µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF a 400 V - 150W (Tc)
TPH3206PSB Transphorm TPH3206PSB 9.8100
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ECAD 1 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TPH3206 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 8V 2,6 V a 500 µA 6,2 nC a 4,5 V ±18V 720 pF a 480 V - 81W (Tc)
TP65H050WS Transphorm TP65H050WS 18.5400
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ECAD 395 0,00000000 Transformar - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TP65H050 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 34A (Tc) 12V 60mOhm a 22A, 10V 4,8 V a 700 µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF a 400 V - 119W (Tc)
TP65H150G4LSG-TR Transphorm TP65H150G4LSG-TR 5.4800
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ECAD 2 0,00000000 Transformar - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 2-PowerTSFN GaNFET (nitreto de glio) 2-PQFN (8x8) - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 650 V 13A (Tc) 10V 180mOhm a 8,5A, 10V 4,8 V a 500 µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF a 400 V - 52W (Tc)
TP65H035WS Transphorm TP65H035WS 20.7700
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ECAD 879 0,00000000 Transformar - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TP65H035 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 46,5A (Tc) 12V 41mOhm a 30A, 10V 4,8V a 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 1500 pF a 400 V - 156W (Tc)
TP65H070G4LSGB-TR Transphorm TP65H070G4LSGB-TR 11.3300
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ECAD 3891 0,00000000 Transformar SuperGaN® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN GaNFET (nitreto de glio) 8-PQFN (8x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 3.000 Canal N 650 V 29A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4,6 V a 700 µA 8,4 nC a 10 V ±20V 600 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPD3215M Transphorm TPD3215M -
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ECAD 1288 0,00000000 Transformar - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Módulo TPD3215 GaNFET (nitreto de glio) 470W Módulo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 2 canais N (meia ponte) 600V 70A (Tc) 34mOhm a 30A, 8V - 28nC @ 8V 2260pF a 100V -
TP65H035G4WSQA Transphorm TP65H035G4WSQA 20.0900
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ECAD 426 0,00000000 Transformar Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download 3 (168 horas) 1707-TP65H035G4WSQA EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 47,2A(Tc) 10V 41mOhm a 30A, 10V 4,8V a 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF a 400 V - 187W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque